ram的一般結(jié)構(gòu)和讀寫過程(更新版)
【正文】 如SRAM 2114：10位地址，4位數(shù)據(jù)線，其容量=2104=1024 4=4096字位(4K)。補(bǔ)充充電的過程稱為“刷新”—Refresh,也稱“再生”?！ ∽x出操作時(shí)，令原信息Q=1，C2充有電荷，地址有效后，行、列選取線高電平；加片選信號后，送讀出信號R=1，W=0；TTT8導(dǎo)電，經(jīng)TTT8讀出。 雙極型結(jié)構(gòu)SRAM：功耗較大，存取速度更加快。 靜態(tài)存儲單元(SRAM)的典型結(jié)構(gòu)： TTTT8都是門控管，只要柵極高電平，這些管子就工作在可變電阻區(qū)，當(dāng)作開關(guān)?！ 〈鎯w或RAM的容量：存儲單元的個(gè)數(shù)*每個(gè)存儲單元中數(shù)據(jù)的位數(shù)。而每個(gè)存儲單元存放著一個(gè)二進(jìn)制字信息，二進(jìn)制字可能是一位的，也可能多位?！?SRAM)：它由電源來維持信息，如觸發(fā)器，寄存器等?！ MOS結(jié)構(gòu)的SRAM：功耗更加低，存儲容量更加大?！ RAM的讀/寫操作過程： 1)訪問該存儲單元的地址有效；2)片選信號有(未畫)；3)發(fā)出讀出信息或?qū)懭胄滦畔⒌目刂菩盘?。及時(shí)補(bǔ)充電荷是動(dòng)態(tài)RAM中一個(gè)十分重要的問題。當(dāng)靜態(tài)RAM的地址線和數(shù)據(jù)線不能與微機(jī)相匹配時(shí)，可用地址線擴(kuò)展、數(shù)據(jù)線擴(kuò)展或地址和數(shù)據(jù)線同時(shí)進(jìn)行擴(kuò)展的方法加以解決。擴(kuò)展后的電路如圖所示：
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