ram的一般結(jié)構(gòu)和讀寫過程(存儲版)
【正文】 DRAM按排一次刷新，即先加一個預(yù)充電脈沖，然后進(jìn)行讀出操作?！±河肦AM2114，擴(kuò)展成容量為40968字位(32K)的RAM。 解：10248字位容量，其地址仍是十位，故只要進(jìn)行數(shù)據(jù)位擴(kuò)展即可，選用RAM2114兩片，將兩片的地址線，讀/寫線及片選線并聯(lián)，兩片的位線分別作為高4位數(shù)據(jù)和低4位數(shù)據(jù)，組成8位的數(shù)據(jù)線即可。然而進(jìn)行讀出操作：地址有效，行、列選線X、Y高電平；R=1，W=0進(jìn)行讀出操作，如果原信息為Q=“1”，說明MOS電容C2有電荷，C1沒有電荷(即T2導(dǎo)電，T1截止)；這時C01上的電荷將對C2補(bǔ)充充電，而C02上的電荷經(jīng)T2導(dǎo)電管放掉，結(jié)果對C2實現(xiàn)了補(bǔ)充充電。信息經(jīng)TTT3對C2充電。動態(tài)存儲單元，利用了柵源間的MOS電容存儲信息。寫入信息的操作過程，在第一次寫入信息之前，存儲單元中的信息是隨機(jī)信息?！ ?)I/O及讀/寫控制電路：該部分電路決定著存儲器是進(jìn)行讀出信息操作還是寫入新信息操作。 例如：一個10位的地址碼A4A3A2A1A0=00101，B4B3B2B1B0=00011時，則將對應(yīng)于第5行第3列的存儲單元被選中?！?讀/寫過程)：時序 訪問某地址單元的地址碼有效，假如你想去訪問的具體地址：如A9～A0
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