ram的一般結(jié)構(gòu)和讀寫(xiě)過(guò)程-文庫(kù)吧在線文庫(kù)
【正文】 =0D3H=0011010011B，片選有效=0，選中該片RAM為工作狀態(tài)。假定要讀出信息“1”： 1)訪問(wèn)該地址單元的地址碼有效； 2)片選有效=0； 3)讀操作有效R/=1；此時(shí)：三態(tài)門(mén)G1工作態(tài)，GG3高阻態(tài)，存儲(chǔ)單元中的信息“1”經(jīng)TTG1三態(tài)門(mén)讀出。動(dòng)態(tài)RAM需要定時(shí)刷新，使用較復(fù)雜。 動(dòng)態(tài)RAM的刷新：由于DRAM靠MOS電容存儲(chǔ)信息。同時(shí)在不進(jìn)行任何操作時(shí)，CPU也應(yīng)該每隔一定時(shí)間對(duì)動(dòng)態(tài)RAM進(jìn)行一次補(bǔ)充充電(一般是2mS時(shí)間)，以彌補(bǔ)電荷損失。 解：4096需要12位地址，而RAM2114只有10位地址，所以需要進(jìn)行地址擴(kuò)展，同時(shí)應(yīng)該將一字 4位，擴(kuò)展成一字8位?！±河?K容量的RAM2114，實(shí)現(xiàn)一個(gè)容量為10248 (≈8K字位)字位容量的RAM?！ ⊙a(bǔ)充充電的過(guò)程：加預(yù)充電脈沖、預(yù)充電管TT10導(dǎo)電，C01，C02很快充電至VDD，撤消后，C01，C02上的電荷保持。寫(xiě)入操作時(shí)，假定原信息為“0”，要寫(xiě)入信息“1”，該存儲(chǔ)單元的地址有效后，X、Y為高電平；在片選信號(hào)到達(dá)后，加寫(xiě)入命令W=1，R=0，即“1?！?DRAM) 靜態(tài)存儲(chǔ)單元存在靜態(tài)功耗，集成度做不高，所以，存儲(chǔ)容量也做不大。 其中
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