ram的一般結構和讀寫過程(完整版)
【正文】 ，存儲單元通過TT6和數(shù)據線(位線)相連；數(shù)據線又通過TT8和再經輸入/輸出緩沖電路和輸入/輸出線相連接，以實現(xiàn)信息的傳遞和交換?！ ±纾粋€10位地址的RAM，共有210個存儲單元，若每個存儲單元存放一位二進制信息，則該RAM的容量就是210(字)1(位)=1024字位，通常稱1K字位(容量)。 2)存儲體：它是存放大量二進制信息的“倉庫”，該倉庫由成千上萬個存儲單元組成。讀/寫操作有效：＝1，讀出信息；＝0，寫入信息；二、RAM中的存儲單元 按照數(shù)據存取的方式不同，RAM中的存儲單元分為兩種：靜態(tài)存儲單元—靜態(tài)RAM(SRAM)；動態(tài)存儲單元—動態(tài)RAM(DRAM)。 除上述NMOS結構的靜態(tài)SRAM以外，還有以下幾種類型的SRAM?！ 討B(tài)存儲單元(DRAM)的典型結構： 門控管TTTTTT8 ，CC2為MOS電容。當該信息長時間不處理時，電容上的電荷將會因漏電等原因而逐漸的損失，從而造成存儲數(shù)據的丟失。三、靜態(tài)RAM的容量擴展(SRAM) 通常微處理器的數(shù)據總線為8位、16位或32位，而地址總線為16位或24位不等。字的位擴展用前面方法，地址擴展用譯碼器完成，用8片RAM2114?！?數(shù)據線擴展
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