擴(kuò)散課工藝(氧化工藝、擴(kuò)散工藝、合金工藝、氧化層電荷、lpcvd工藝)培訓(xùn)課程(更新版)
【正文】 4爐管氣體的流量掌握 MFC的 狀態(tài)，保證膜的成分保持穩(wěn)定，確保質(zhì)量。趨勢(shì)圖如下 LPCVD 工藝 6?LPCVD 工藝控制 ?拉恒溫區(qū)控制溫度 ： 定期拉恒溫區(qū)以得到好的溫度控制，保證爐管內(nèi)各處的生長速率趨向平衡。當(dāng) SiH4 濃度過高 時(shí)，容易出現(xiàn)氣相成核，這就限制了硅烷濃度和淀積速率的提高。 LPCVD 工藝簡(jiǎn)介 3?顆粒產(chǎn)生的可能原因： ?連續(xù)作業(yè)，導(dǎo)致爐管，陪片上氮化硅生長太厚而脫落成為顆粒源。 LPCVD 工藝簡(jiǎn)介 2LPCVD 工藝簡(jiǎn)介 ?LPCVD（ Low Pressure Chemical Vapor Deposition ） 低壓氣相淀積，是在 27270Pa 的反應(yīng)壓力下進(jìn)行的化學(xué)氣相淀積。一般認(rèn)為由過剩硅或過剩氧引起的，密度大約在10101012CM2范圍內(nèi)。 合金工藝 2?鋁柵合金： ?硅在鋁膜中的溶解和擴(kuò)散過程受鋁晶粒尺寸、孔邊緣氧化層應(yīng)力、孔上殘余的 SiO2 的影響，引起鋁膜對(duì)硅 的不均勻溶解。 氣體：氣體流量的改變會(huì)影響膜厚，從而使表面濃度產(chǎn)生變化， 直接影響器件的電參數(shù)。 氣體 排風(fēng)和氣體很重要，會(huì)影響到厚度和均勻性 ； 氧化工藝 10?氧化質(zhì)量控制 ?拉恒溫區(qū)控制溫度 定期拉恒溫區(qū)以得到好的溫度控制 ?HCL 吹掃爐管 CL有使堿性金屬離子（如 Na+）鈍化的功能，使金屬離子喪失活動(dòng)能力，定期清洗爐管可以大幅度地減少離子濃度，使?fàn)t管潔凈 ?BT 測(cè)量 BT 項(xiàng)目可以使我們即及時(shí)掌握爐管的狀態(tài)，防止?fàn)t管受到粘污 ,使大批園片受損 。 ?水汽氧化 2H2O+SI == SIO2+2H2 生長速率快，但結(jié)構(gòu)疏松，掩蔽能力差，氧化層有較多缺陷。 氧化工藝 5?氧化方法 ?干氧氧化 SI+O2 == SIO2 結(jié)構(gòu)致密，均勻性、重復(fù)性好，掩蔽能力強(qiáng)，對(duì)光刻膠的粘附性較好，但生長速率較慢，一般用于高質(zhì)量的氧化，如柵氧化等；厚層氧化時(shí)用作起始和終止氧化；薄層緩沖氧化也使用此法。 氧化工藝 9?氯化物的影響 加入氯化物后，氧化速率明顯加快，這可能是 HCL 和 O2生成水汽的原因；但同時(shí)氧化質(zhì)量有了很大提高 ?壓力影響 壓力增大，氧化速率增大； ?溫度 溫度升高，氧化速率增大； ?排風(fēng) amp。氣體 排風(fēng)：對(duì)爐管的片間均勻性，尤其是爐口有較大的影響。 ?合金的目的是使接觸孔中的鋁與硅之間形成低電阻歐姆接觸，并增加鋁與二氧化硅之間的附著力。 熱氧化層上的電荷 3?3. 固定氧化物電荷： ?位于 SiSiO2 界面處 25A 以內(nèi)。本文僅介紹了 LPCVD工藝 。 DCS 的化學(xué)性質(zhì)比較穩(wěn)定 ,容易控制淀積速率 。 ?多晶硅的晶粒尺寸主要取決于淀積溫度， 600C 下淀積的多晶硅顆粒極細(xì)；淀積溫度為625750C 時(shí)，晶粒結(jié)構(gòu)明顯并且隨溫度的升高略有增大 ?SiH4 流量：多晶硅的淀積速率隨 SiH4 流量的增加而增加 。 ?反應(yīng)壓力的影響： 淀積速率隨反應(yīng)壓力的增大而增大。均勻性控制在 3 SIGM
公司管理相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1