擴(kuò)散課工藝(氧化工藝、擴(kuò)散工藝、合金工藝、氧化層電荷、lpcvd工藝)培訓(xùn)課程(完整版)
【正文】 速率是 LPSIN 30A/MIN ； LPTEOS 50A/MIN； LPPOLY 70A/MIN。 2 可以調(diào)整各區(qū)的溫度，氣體的流量，淀積時(shí)間以調(diào)整均勻性。否則就會(huì)使腐蝕時(shí)的腐蝕速率難以控制（折射率越大，腐蝕速率越?。；旧弦粋€(gè)月拉一次恒溫，每次清洗爐管后再拉一次。目前我們淀積多晶硅所使用的是 100%的 SiH4。 ?SIC 槳，舟與舟之間的摩擦，碰撞產(chǎn)生的顆粒。 ?裝片 ——進(jìn)舟 ——對(duì)反應(yīng)室抽真空 ——檢查設(shè)備是否正常 ——充N2 吹掃并升溫 ——再抽真空 ——保持壓力穩(wěn)定后開始淀積 ——關(guān)閉所有工藝氣體，重新抽真空 ——回沖 N2到常壓 ——出爐。氧化退火對(duì)它有影響。溶解入硅的鋁膜，我們稱之為 ?鋁釘 ?。 擴(kuò)散工藝 5 ?阱工藝控制 ?拉恒溫區(qū)控制溫度： 定期拉恒溫區(qū)以得到好的溫度控制。 氧化工藝 11?氧化質(zhì)量控制 ?片內(nèi)均勻性 ： 保證硅片中每個(gè)芯片的重復(fù)性良好 ?片間均勻性 保證每個(gè)硅片的重復(fù)性良好 ?定期清洗爐管 清洗爐管，可以避免金屬離子 ,堿離子的粘污，減少顆粒，保證氧化層質(zhì)量，尤其是柵氧化，清洗頻率更高 ,1次 /周 擴(kuò)散工藝 1?擴(kuò)散 ?推阱，退火 推阱： CMOS工藝 的必有一步，在一種襯底上制造出另一種襯底 ,以制造 N、 P管 ,需要在較高的溫度下進(jìn)行，以縮短工藝時(shí)間。 對(duì)光刻膠的粘附性較差。 氧化工藝 2?氧化膜的作用 ?緩沖介質(zhì)層 二次氧化等，緩沖氮化硅應(yīng)力或減少注入損傷 氧化工藝 3?氧化膜的作用 器件結(jié)構(gòu)的一部分：如柵（ Gate）氧化層，非常關(guān)鍵的項(xiàng)目，質(zhì)量要求非常高；電容極板之 間的介質(zhì)，對(duì)電容的大小有較大影響 氧化工藝4 氧化膜的作用 ?隔離介質(zhì)：工藝中常用的場氧化就是生長較厚的二氧化硅膜，達(dá)到器件隔離的目的。但不同熱氧化生長的 SiO 密 度不同， a 值會(huì)略有差異 。 擴(kuò)散工藝 4?影響推阱的工藝參數(shù) – 排風(fēng) amp。 合金工藝 1?合金的概念 ?淀積到硅片表面的金屬層經(jīng)光刻形成一定的互連圖形之后，還必須進(jìn)行一次熱處理，稱為 “合金化 ”。 300℃以上退火可以消除陷阱電荷。按照生長機(jī)理的不同，可以分為若干種類。用以淀積副產(chǎn)物 NH4CL，防止其凝集在真空管道里，堵塞真空管道。而高于 700C 后，硅烷沿氣流方向的耗盡嚴(yán)重。趨勢圖如下所示 影響 LPTEOS淀積的幾種因素： ?TEOS流量的影響： 在其他條件不變時(shí)，增大 TEOS的流量生長速率變大 。 ?由于所有爐管的工藝氣體都是自爐口通入，因此爐口的氣體分壓較高，反應(yīng)速率較快，而爐尾則相對(duì)較低，于是通常將爐口的工藝溫度降低并爐尾的工藝溫度升高，以補(bǔ)償氣體的濃度差，從而獲得了較好的均勻性 .LPCVD 工藝 7 均勻性檢查 ： 保證硅片中每個(gè)芯片和每個(gè)硅片的重復(fù)性良好，在發(fā)現(xiàn)均勻性變差時(shí)及時(shí)進(jìn)行調(diào)整，一般比較片內(nèi)與片間均勻性兩種，每個(gè)星期作一次顆粒均勻性試爐。 。 折射率： 通過折射率的檢查，我們可以分析 LP Si3N
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