擴(kuò)散課工藝(氧化工藝、擴(kuò)散工藝、合金工藝、氧化層電荷、lpcvd工藝)培訓(xùn)課程(存儲版)
【正文】 進(jìn)行 PURGE 后再做； 3． 清洗爐管和假片 ?均勻性問題 對策： 1 檢查溫度、壓力、氣體流量等是否正常，否則更換流量計(jì)、清洗壓力計(jì)、重新拉恒溫區(qū)。 LPCVD 工藝 8?常見問題及處理 ? LPCVD 爐管工藝中斷 ? 對策： 1 根據(jù)提示的中斷信息，找出中斷的真正原因； 2 根據(jù)剩余時(shí)間確定返工時(shí)間的多少，將返工時(shí)間減去 12 分鐘，作為氣體開關(guān)時(shí)的補(bǔ)償。 ?顆粒檢查 ： TENCOR 6420 監(jiān)控顆粒，規(guī)范是（顆粒數(shù)〈 300 個(gè) / 以上〉。LPCVD 工藝簡介 5?LPTEOS 是通過低壓熱解正硅酸乙酯生成的，淀積溫度在 650℃ — 750℃，反應(yīng)壓力控制在 400Pa（ 3T）以下，而在實(shí)際的工藝中，一般會控制在 67Pa（ 500mT）以下。 ?副產(chǎn)物 NH4CL未汽化被抽走而是凝固在真空系統(tǒng)溫度較低處 ?腐蝕性氣體 DCS與硅表面直接接觸或反應(yīng)不充分； ?非氣態(tài)的 DCS進(jìn)入爐管； ?冷阱內(nèi)，主閥盤路內(nèi)的反應(yīng)生成物回灌到爐管內(nèi)； ?水蒸氣與 HCL接觸腐蝕真空管道引起的沾污； LPCVD 工藝簡介 4?LP POLY ? LPPOLY 主要作為 MOS 管的柵極、電阻條、電容器的極板等。 LPCVD 工藝簡介 3?LP Si3N4 ? LPSi3N4在工藝中主要作為氧化或注入的掩蔽膜， 淀積 Si3N4 時(shí)通常使用的氣體是： NH3+DCS（ SiH2Cl2） 這兩種氣體的反應(yīng)生成的 Si3N4質(zhì)量高， 副產(chǎn)物少，膜厚均勻性極佳，而且是氣體源便于精確 控制流量，是目前國內(nèi)外普遍采用的方法。 ?4. 界面陷阱電荷： ?界面陷阱可以是正電，負(fù)電，中性。 合金工藝 3?硅柵合金 ?用 TiN 層來阻擋鋁膜向硅中的滲透，在 TiN 與硅的結(jié)合處，預(yù)先形成 TiSi 化合物來加強(qiáng)粘附性 熱氧化層上的電荷 1 熱氧化層上的電荷 2?1. 可動(dòng)離子電荷： ?SiO2中的可動(dòng)離子主要由帶正電的堿金屬離子如 Li+， Na+ 和 K+，也可能是 H+。 ?BT 測量 BT 項(xiàng)目可以使我們即及時(shí)掌握爐管的狀態(tài)，防止?fàn)t管受到粘污。 退火：可以激活雜質(zhì)，減少缺陷。 氧化工藝 6?氧化方法 ?濕氧氧化（反應(yīng)氣體： O2 +H2O） H2O+SI == SIO2+2H2 SI+O2 == SIO2 生長速率介于干氧氧化和水汽氧化之間； H2O 的由 H2和 O2的反應(yīng)得到；并通過 H2和 O2的流量比例來 調(diào)節(jié)氧化速率，但比例不可超過 ；對雜 質(zhì)掩蔽能力以及均勻性均能滿足工藝要求；多使用在 厚層氧化中。 阻擋住不需擴(kuò)散或注入的區(qū)域，使離子不能進(jìn)入。 氧化工藝 7?影響氧化速率的因素 ?硅片晶向 氧化速率 (110)POLY(111)(100) ?摻雜雜質(zhì)濃度 雜質(zhì)增強(qiáng)氧化，氧化速率
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