擴散課工藝(氧化工藝、擴散工藝、合金工藝、氧化層電荷、lpcvd工藝)培訓(xùn)課程-文庫吧在線文庫
【正文】 發(fā)生較大變化如 N+退火氧化（ N+DRIVE1）： 襯底氧化厚度： 750A N+摻雜區(qū)氧化厚度： 1450A氧化工藝 8 熱氧化過程中的硅片表面位置的變化 生長 1um 的 SiO2，要消耗掉 的 Si。 ?程序的設(shè)置： 不同的程序，如先氧化后推阱和先推阱后氧化所得出的表面濃度不同。 擴散工藝 8 磷擴散原理 POCL3 4POCL3+3O2 ==== 2P2O5+6CL2 2P2O5 +5Si ==== 5SiO2 +4P PBr3 4 PBr3 +5O2 ==== 2P2O5+6Br2 2P2O5 +5Si ==== 5SiO2 +4P 擴散工藝 9 磷擴散工藝主要參數(shù) 結(jié)深： 電阻： 現(xiàn)行的主要控制參數(shù)； 表面濃度： 這些參數(shù)都和摻雜時間、摻雜溫度、磷源流量等有密切的關(guān)系； 擴散工藝 10?影響磷擴散的因素 ?爐管溫度和源溫 爐管溫度會影響雜質(zhì)擴散的固溶度，硅中雜質(zhì)的溶解量變化，從而影響摻雜電阻； PBr3和 POCL3都是揮發(fā)性較強的物質(zhì)，溫度的變化會影響源氣的揮發(fā)量，使摻雜雜質(zhì)的總量發(fā)生變化 ,因此必須保證其相對穩(wěn)定； ?程序的編制 磷源流量設(shè)置的大小決定了時間的長短，使推結(jié)的時間變化，從而影響了表面濃度和電阻； 擴散工藝 11?影響磷擴散的因素 – 時間 一般不易偏差，取決于時鐘的精確 度 ； – 氣體和排風(fēng) 排風(fēng)：排風(fēng)不暢，會使摻雜氣體不能及時排出，集中在爐管之內(nèi)，使摻雜電阻變化； 氣體： N2 和 POCL3 氣體流量的比例對摻雜的大小，均勻性有較明顯的影響； 擴散工藝 12?磷擴散工藝控制 – 拉恒溫區(qū)控制溫度 定期拉恒溫區(qū)以得到好的溫度控制； – 電阻均勻性 電阻均勻性可以反應(yīng)出溫度或氣體的變化以及時發(fā)現(xiàn)工藝和設(shè)備發(fā)生的問題，在進行換源、換爐管等備件的更換時，需及時進行該 QC 的驗證工作，以確定爐管正常； 擴散工藝 13?磷擴散工藝控制 – 清洗爐管及更換 內(nèi)襯管 由于在工藝過程中會有偏磷酸生成，在爐口溫度較低處會凝結(jié)成液體，并堆積起來，會腐蝕爐管甚至流出爐管后腐蝕機器設(shè)備，因此須及時清洗更換爐管和內(nèi)襯管。由輻射或結(jié)構(gòu)陷阱引起。 LPCVD 工藝 1?CVD 技術(shù)是微電子工業(yè)中最基本、最重要的成膜手段之一。 ?在爐管的尾部有一冷卻機構(gòu)，稱為 “冷阱 ”。低于此溫度，淀積出的是非晶硅，只有高于此溫度才能生長出多晶硅。 SiO2 + 4C2H4 +2H2OLPCVD 工藝簡介5LPTEOS 的應(yīng)用： ?4000A 和 20xxA 的 LPTEOS 形成 spacer結(jié)構(gòu)，如下圖所示： ?400A 的 LPTEOS形成兩層多晶硅間的電容； 影響 LPTEOS淀積的幾種因素： ： ，淀積速率明顯增加； 。臥式爐目前的淀積
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