【正文】 _____________；MoS2納米粒子具有類似于石墨的層狀結(jié)構(gòu)，具有優(yōu)異的潤滑性能，其原因是___________________________。（4）一個(gè) Cu2O 晶胞（如圖 2）中，Cu 原子的數(shù)目為_________。①鋰鈷復(fù)合氧化物中Li、Co、O分別形成了六邊層狀結(jié)構(gòu)(圖a)，按照LiOCoOLi–OCoO Li順序排列，則該化合物的化學(xué)式為____，Co3+的價(jià)層電子排布式為_____。②已知NA為阿伏伽德羅常數(shù)的值，立方CuF晶胞結(jié)構(gòu)如圖b，則CuF的晶胞參數(shù)a= ____nm。(各舉一例)(4)SF6中含____個(gè)σ鍵，根據(jù)____ 理論，可判斷出其空間構(gòu)型為正八面體，其中S的雜化方式為_____。（3）①烷烴(CnH2n+2)隨n的增大其熔沸點(diǎn)升高，原因是__。（4）溴化亞銅(晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示)可用作有機(jī)合成的催化劑，（5）某錳氧化物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖：該錳的氧化物的化學(xué)式為___，該晶體中Mn的配位數(shù)為____，該晶體中Mn之間的最近距離為___pm（用a、b來表示）。4．自然界中含錳元素的主要礦物有軟錳礦（MnO2(填“大于”或“小于”)（3）水晶的主要成分是二氧化硅，在水晶中硅原子的配位數(shù)是__。（1）我國科研工作者基于丁二酮肟氨酯基團(tuán)的多重反應(yīng)性，研制了一種強(qiáng)韌、自愈的超級防護(hù)材料，其中的分子機(jī)制如圖所示。(3)經(jīng)X射線衍射測得化合物R的晶體結(jié)構(gòu)，其局部結(jié)構(gòu)如圖（b）所示。第二周期部分元素的E1變化趨勢如圖（a）所示，其中除氮元素外，其他元素的E1自左而右依次增大的原因是___________；氮元素的E1呈現(xiàn)異常的原因是__________。2．2020年，自修復(fù)材料、自適應(yīng)材料、新型傳感材料等智能材料技術(shù)將大量涌現(xiàn)，為生物醫(yī)療、國防軍事以及航空航天等領(lǐng)域發(fā)展提供支撐。（2）根據(jù)元素周期律，原子半徑Ga__As，第一電離能Ga__As。cm3。（4）二價(jià)錳的化合物MnO和MnS熔融態(tài)均能導(dǎo)電，熔點(diǎn)MnO___MnS（選填“高于”、“等于”、“低于”）并解釋原因___。Br與F、Cl位于同一主族，第一電子親合能(如圖1所示)原比氯和溴都小，其原因是___。（2）CH3OH分子中C原子的雜化方式為__，SCN的空間構(gòu)型為___。(3)[H2F] + [SbF6] －(氟銻酸)是一種超強(qiáng)酸，其陽離子的空間構(gòu)型為_____，與[H2F] +具有相同空間構(gòu)型和鍵合形式的分子和陰離子分別是 ____。①CuF的熔點(diǎn)比CuCl高的原因是_____。A． B． C． D．(4)目前最常用的電極材料有鋰鈷復(fù)合氧化物和石墨。（3）抗壞血酸的分子結(jié)構(gòu)如圖 1 所示，分子中碳原子的軌道雜化類型為________；推測抗壞血酸在水中的溶解性：_______（填“難溶于水”或“易溶于水”）。（2）輝鉬(MoS2)在納米電子設(shè)備制造領(lǐng)域比硅或富勒烯(如C60)更有優(yōu)勢，可用H2S硫化(NH4)2MoO4溶液生產(chǎn)輝鉬。（1）基態(tài)B原子的價(jià)電子軌道表達(dá)式為__，第二周期第一電離能比B高的元素有__種。12．（1）基態(tài)溴原子的價(jià)層電子軌道排布圖為________。①磷化硼晶體晶胞如圖甲所示：己知晶胞邊長apm，阿伏加德羅常數(shù)為NA。連接的O原子吸引電子能力較強(qiáng)，導(dǎo)致與1號C原子相鄰C原子對電子的吸引力減小，所以氧化石墨烯轉(zhuǎn)化為還原石墨烯時(shí)，1號C與其相鄰 C原子間鍵能變大；氧化石墨烯中含有的羥基和羧基更多，與水分子間形成的氫鍵更多，所以氧化石墨烯溶解度更大；(3)由各原子坐標(biāo)，可知晶胞中B原子處于晶胞的頂點(diǎn)、面心位置，而As原子處于晶胞內(nèi)部，處于B原子形成的正四面體體心位置，晶胞三維結(jié)構(gòu)如圖所示：(注：小球大小不代表原子半徑大小)，投影時(shí)頂點(diǎn)原子形成正方形的頂點(diǎn)，左、右側(cè)面及前、后面的面心原子投影處于正方形棱心，而上、下底面面心原子投影重合處于正方形的中心，As原子投影處于原子處于正方形內(nèi)部且處于正方形對角線上(As原子投影、上下底面面心B原子投影將對角線4等分)，故砷化硼晶胞的俯視圖為：；根據(jù)晶胞三維結(jié)構(gòu)示意圖可知，位于體對角線上的原子相切，即As原子和B原子的半徑之和的四倍即體對角線的長度；根據(jù)均攤法，一個(gè)晶胞中As原子個(gè)數(shù)為4，B原子個(gè)數(shù)為，所以晶胞的質(zhì)量為，晶胞密度為dg/cm3，則晶胞的體積為，則晶胞的邊長為，則晶胞的體積對角線的長度為，所以B原子的半徑為()pm。4．d N 電子氣 A 6 “頭碰頭” 高于 均為離子晶體，O2半徑比S2半徑小，MnO晶格能大，熔點(diǎn)高 MnO2 6 【解析】解析：d N 電子氣 A 6 “頭碰頭” 高于 均為離子晶體，O2半徑比S2半徑小，MnO晶格能大，熔點(diǎn)高 MnO2 6 【解析】【分析】(1)Mn是25號元素，原子核外電子排布式是1s22s22p63s23p63d54s2；錳可導(dǎo)電，導(dǎo)熱，具有金屬光澤，有延展性，是因?yàn)橛凶杂呻娮?，這些性質(zhì)都可以用“電子氣理論”解釋；(2)A．Mn3＋在水溶液中容易歧化為MnO2和Mn2＋，說明Mn3＋不穩(wěn)定；B．Mn2＋中價(jià)電子層不含成對電子，但是內(nèi)層中含有成對電子；C．第四周期中價(jià)電子層中未成對電子數(shù)最多的元素價(jià)電子排布式為：3d54s1；D．Mn2＋與Fe3＋具有相同的價(jià)電子構(gòu)型，微粒的化學(xué)性質(zhì)不僅與價(jià)電子構(gòu)型有關(guān)，也和微粒的電荷數(shù)、微粒半徑、原子序數(shù)有關(guān)；(3)MnF62?的空間構(gòu)型是正八面體，則中心原子的價(jià)層電子對數(shù)為6；F與Mn之間的共價(jià)鍵都是共價(jià)單鍵；(4)物質(zhì)都屬于離子晶體，離子晶體的陰離子帶有相同電荷，離子半徑越小，離子鍵越強(qiáng)，晶格能越大，熔點(diǎn)越高；(5)用均攤法計(jì)算確定化學(xué)式，并結(jié)合微粒的空間排列確定Mn的配位數(shù)；由晶胞結(jié)構(gòu)可知：在該晶胞中距離相等且最近的2個(gè)Mn在晶胞體對角線的一半。mol－1，轉(zhuǎn)化單位，帶入數(shù)據(jù)，可得a=nm?！驹斀狻?1)PO43中P原子價(jià)層電子對個(gè)數(shù)=4，且不含孤電子對，根據(jù)價(jià)層電子對互斥理論判斷空間構(gòu)型為正四面體結(jié)構(gòu)；元素的非金屬性越強(qiáng)，其電負(fù)性越大，則電負(fù)性O(shè)＞S＞P；故答案為：正四面體；O＞S＞P；(2)抗壞血酸碳原子數(shù)目相對較少，但分子內(nèi)含4個(gè)羥基，可與水分子間形成氫鍵，因此它易溶于水；分子內(nèi)有碳碳單鍵、對應(yīng)碳原子sp3雜化方式，也有碳碳雙鍵，對應(yīng)碳原子sp2雜化方式；與四個(gè)不同的原子或原子團(tuán)相連的碳原子稱為手性碳原子，由圖知，1個(gè)抗壞血酸分子中含2個(gè)手性碳原子，則1mol抗壞血酸中手性碳原子的數(shù)目為2NA；故答案為：分子中含有多個(gè)羥基，可與水分子間形成氫鍵；spsp2；2NA；(3)結(jié)合信息：O2因具有單電子而成為順磁性分子，從示意圖知B結(jié)構(gòu)中化學(xué)鍵有3電子，B有單電子，B滿足；故答案為：B；(4)①鋰鈷復(fù)合氧化物中Li、Co、O分別形成了六邊層狀結(jié)構(gòu)(圖a)，整個(gè)六棱柱結(jié)構(gòu)中：Li個(gè)數(shù)為：12+2+6＝9個(gè)，Co個(gè)數(shù)為：7+6＝9，O個(gè)數(shù)為14+12＝18，則，Li、Co和O個(gè)數(shù)比為1：1：2，化學(xué)式為 LiCoO2；鈷的原子序數(shù)為27，Co3+有24個(gè)電子，電子排布式為[Ar]3d6，其價(jià)層電子排布式為3d6；故答案為：LiCoO2；3d6；②石墨晶胞中碳原子數(shù)目＝8+4+1+2＝4，故晶胞的質(zhì)量=4g，層內(nèi)(平行四邊形)CC鍵長為apm＝a1010cm，底面的邊長為2a1010cm＝a1010cm，底面上的高為底面的邊長＝a1010cm，層間距為dpm，則晶胞的體積＝a1010cma1010cm2d1010cm=da21030cm3，則該晶胞的密度=g/cm3，則NA=，故答案為：；(5)該長鏈硅酸根離子每個(gè)單元為四面體結(jié)構(gòu)，根據(jù)圖示可知：若一個(gè)單環(huán)狀離子中Si原子數(shù)為n，則含有n個(gè)四面體結(jié)構(gòu)，含有的氧原子數(shù)為(3n+1)個(gè)，即：含有n個(gè)Si，則含有(3n+1)個(gè)O，帶有的負(fù)電荷為：n(+4)+(3n+1) (2)＝?(2n+2)，則其化學(xué)式為：(SinO3n+1)(2n+2)?，故答案為：(SinO3n+1)(2n+2)?。11．正四面體形 CHNH4＋ (BO2)nn sp sp2 氫鍵、共價(jià)鍵、范德華力 【解析】【分析】（1）B位于周期表中第2周期，第ⅢA族，同周期主解析：正四面體形 CHNH4＋ (BO2)nn sp sp2 氫鍵、共價(jià)鍵、范德華力 【解析】【分析】（1）B位于周期表中第2周期，第ⅢA族，同周期主族元素，隨著原子序數(shù)的增大，第一電離能有增大的趨勢，但第ⅡA族和第ⅤA族元素反常；（2）硼化合物是典型的缺電子結(jié)構(gòu)化合物，H3BO3也屬于缺電子化合物，可接受OH的一對孤電子對形成B（OH）4，根據(jù)VSEPR理論說明空間構(gòu)型，等電子體是指原子數(shù)目相同，價(jià)電子總數(shù)相同的微粒；（3）根據(jù)均攤思想分析偏硼酸根離子的化學(xué)式，根據(jù)雜化軌道理論判斷五硼酸根離子中B原子的雜化方式；（4）硼酸晶體是片層結(jié)構(gòu)，硼酸分子內(nèi)存在共價(jià)鍵，分子間存在氫鍵，分子之間還存在范德華力，晶胞是無隙并置的，不能通過旋轉(zhuǎn)得到，同一層內(nèi)，存在一組相反的基本結(jié)構(gòu)單元；（5）根據(jù)立體幾何知識書寫原子坐標(biāo)。由D點(diǎn)向底面作垂線，垂足為中線的三等分點(diǎn)，則垂足的坐標(biāo)為(，0)，所以D點(diǎn)的坐標(biāo)為D（）