【正文】 自愈的超級防護材料，其中的分子機制如圖所示。鄰苯二酚的熔沸點比對苯二酚_____(填“高”或“低”)，原因是_________。(寫元素符號)（2）寫出F元素基態(tài)原子的核外價電子排布圖_____，其最高化合價為_____。其中C、E、F是金屬元素；A和E屬同族，它們原子的最外層電子排布式為ns1。（4）請寫出元素C的最高價氧化物對應(yīng)的水化物與HClO4反應(yīng)的離子方程式：_____。由表可知，比較穩(wěn)定的配離子配位數(shù)是__________(填“4”或“6”)。砷化硼為立方晶系晶體，該晶胞中原子的分數(shù)坐標為：B：（0，0，0）；（，0）；（，0，）；（0，）；……As：（，）；（，）；（，）；（，）請在圖中畫出砷化硼晶胞的俯視圖___________，已知晶體密度為dg/cm3，As半徑為a pm，假設(shè)As、B原子相切，則B原子的半徑為_________pm（寫計算表達式）。5．補鐵劑常用于防治缺鐵性貧血，其有效成分般為硫酸亞鐵、琥珀酸亞鐵、富馬酸亞鐵和乳酸亞鐵等。6．有A、B、C、D、E、F六種元素，A是周期表中原子半徑最小的元素，B是電負性最大的元素，C的2p軌道中有三個未成對的單電子，F(xiàn)原子核外電子數(shù)是B與C核外電子數(shù)之和，D是主族元素且與E同周期，E能形成紅色(或磚紅色)的E2O和黑色的EO兩種氧化物，D與B可形成離子化合物，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示．請回答下列問題．（1）E元素原子基態(tài)時的電子排布式為_________．（2）A2F分子中F原子的雜化類型是_________（3）CA3極易溶于水，其原因主要是_________，（4）富勒烯衍生物由于具有良好的光電性能，在太陽能電池的應(yīng)用上具有非常光明的前途．富勒烯(C60)的結(jié)構(gòu)如圖，分子中碳原子軌道的雜化類型為_________；1molC60分子中σ鍵的數(shù)目為_________．（5）多元化合物薄膜太陽能電池材料為無機鹽，其主要包括砷化鎵、硫化鎘、硫化鋅及銅銦硒薄膜電池等．①第一電離能：As_________Se(填“”“”或“=”)．②硫化鋅的晶胞中(結(jié)構(gòu)如圖所示)，硫離子的配位數(shù)是_________與S距離最近且等距離的S之間的距離為_________（密度為ρg/cm3）③二氧化硒分子的空間構(gòu)型為_________．7．工業(yè)上合成氨，CO易與鐵觸媒作用導致鐵觸媒失去催化活性：Fe+5CO═Fe（CO）5．為了防止催化劑鐵觸媒中毒，要除去CO，發(fā)生的反應(yīng)為Cu（NH3）2OOCCH3+CO+NH3═Cu（NH3）3（CO）OOCCH3．回答下列問題：（1）下列氮原子的電子排布圖表示的狀態(tài)中，能量最低的是______（填字母序號）。（2）CH3OH分子中C原子的雜化方式為__，SCN的空間構(gòu)型為___。（2）CuSO4溶液中，金屬陽離子的最高能層符號為___；其中未成對電子數(shù)為___。②科研發(fā)現(xiàn)硫化銅可以作為一種極為重要的P型半導體，其晶胞結(jié)構(gòu)可以理解為銅晶胞中互不相鄰的正四面體形成的空隙被S2占據(jù)，若該晶體的密度為agⅡ.鈷是人體不可或缺的微量元素之一。（3）①ClO4的VSEPR模型是___。12．X、Y、Z、R、M是原子序數(shù)依次增大的五種元素，基態(tài)X原子的s電子數(shù)比p電子數(shù)多3個，Y、Z間形成的某種化合物是一種常用的漂白劑、供氧劑，R和Z位于同一周期且基態(tài)原子中有3個電子能量最高，M2+與過量氨水作用先得到藍色沉淀，后轉(zhuǎn)化為深藍色溶液Q?！緟⒖即鸢浮?**試卷處理標記，請不要刪除一、物質(zhì)的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的綜合性考察1．H O Sc +3 紫色 激發(fā)態(tài)的電子從能量較高的軌道躍遷到能量較低的軌道時，以一定波長光的形式將能量釋放出來 Al(OH)3+3H+=Al3++3H2O解析：H O Sc +3 紫色 激發(fā)態(tài)的電子從能量較高的軌道躍遷到能量較低的軌道時，以一定波長光的形式將能量釋放出來 Al(OH)3+3H+=Al3++3H2O 將兩種金屬單質(zhì)分別投入冷水中，鉀能和冷水發(fā)生劇烈反應(yīng)而鋁幾乎不和水反應(yīng) 【解析】【分析】有位于前四周期的A、B、C、D、E、F六種元素，它們的核電荷數(shù)依次增大；B和D屬同一族，它們原子最外層的p能級電子數(shù)是s能級電子數(shù)的兩倍，最外層電子排布為ns2np4，則B為O元素、D為S元素；A和E屬同一族，它們原子的最外層電子排布為ns1，處于IA族，E的原子序數(shù)大于硫，且6種元素中只有C、E、F是金屬元素，則A為H元素、E為K元素；C原子最外層上電子數(shù)等于D原子最外層上電子數(shù)的一半，其最外層電子數(shù)為6=3，故C為Al；F元素原子共有3個價電子，其中一個價電子位于第三能層d軌道，則價電子排布式為3d14s2，故F為Sc元素，據(jù)此分析解題?！军c睛】第3題為難點，需要學生有一定的空間想象能力，對數(shù)學的立體幾何要有一定了解，要能夠根據(jù)平面圖和坐標能夠準確畫出該晶胞的三維晶胞結(jié)構(gòu)，再進行解答。8．鍺 4s24p2 sp3雜化 直線型 烷烴分子組成和結(jié)構(gòu)相似，隨著n值增大，相對分子質(zhì)量增大，分子間作用力增大，熔沸點升高 SiSi鍵，SiH鍵鍵能比較小，易斷裂，解析：鍺 4s24p2 sp3雜化 直線型 烷烴分子組成和結(jié)構(gòu)相似，隨著n值增大，相對分子質(zhì)量增大，分子間作用力增大，熔沸點升高 SiSi鍵，SiH鍵鍵能比較小，易斷裂，不易形成長的硅鏈 12 【解析】【分析】【詳解】（1）最早用于制造半導體器件的的碳族元素是鍺，鍺是32號元素，位于第四周期，其價電子排布式為：4s24p2，故答案為：鍺；4s24p2；（2）CH3OH中，價層電子對數(shù)=σ鍵電子對數(shù)（4）+中心原子上的孤電子對數(shù)（0）=4，所以碳原子采取sp3雜化，SCN的中心C原子：價層電子對數(shù)=σ鍵電子對數(shù)（2）+中心原子上的孤電子對數(shù)（0）=2，所以SCN中C的雜化方式為sp雜化，SCN的空間構(gòu)型為直線型，故答案為：sp3雜化；直線型；（3）①烷烴分子組成和結(jié)構(gòu)相似，隨著n值增大，相對分子質(zhì)量增大，分子間作用力增大，熔化和氣化時，所需克服的分子間作用力增大，熔沸點升高，故答案為：烷烴分子組成和結(jié)構(gòu)相似，隨著n值增大，相對分子質(zhì)量增大，分子間作用力增大，熔沸點升高；②比起CC鍵，CH鍵，SiSi鍵，SiH鍵鍵能比較小，易斷裂，不易形成長的硅鏈，但是CC是可以形成很長碳鏈的，故答案為：SiSi鍵，SiH鍵鍵能比較小，易斷裂，不易形成長的硅鏈；（4）從SiO2晶胞來看，構(gòu)成二氧化硅晶體結(jié)構(gòu)的最小環(huán)包含6個Si，6個O，共12個原子，均攤法可得：每個SiO2晶胞中Si的個數(shù)=8+6+4=8，O原子數(shù)=16，所以1mol晶胞的質(zhì)量=(288+1616)g=480g，那么每個晶胞的質(zhì)量m=，因為晶胞參數(shù)=apm=a1010cm，所以每個晶胞的體積V=(a1010cm)3，由==g而PH3中成鍵電子對之間的斥力減小,孤對電子對成鍵電子的斥力使HPH鍵角更小。11．電負性O(shè)＞C，O原子不易提供孤電子對 8NA 正四面體 CCl4 sp3 sp2 非羥基氧的個數(shù)越多，Cl的正電性越高，導致Cl﹣O﹣H中O的電子越向Cl解析： 電負性O(shè)＞C，O原子不易提供孤電子對 8NA 正四面體 CCl4 sp3 sp2 非羥基氧的個數(shù)越多，Cl的正電性越高，導致Cl﹣O﹣H中O的電子越向Cl偏移，越容易電離出H+ 6 【解析】【分析】(1)Ni元素原子核外有28個電子，原子核外電子排布為1s22s22p63s23p63d84s2；(2)電負性越大，原子越不易提供孤電子對；Ni原子形成的4個配位鍵屬于σ鍵，CO與N2互為等電子體，CO分子結(jié)構(gòu)式為C≡O(shè)，CO分子中含有1個σ鍵、2個π鍵；(3)①1molClO4﹣離子中有4molσ鍵；②原子總數(shù)相同、價層電子對總數(shù)相等的粒子互為等電子體；(4)碳酰肼中氮原子有一對孤電子對且形成3個σ鍵，碳原子形成3個σ鍵；(5)①非羥基氧數(shù)目越多，中心元素的正電性越高，越容易電離出離子；②以頂點Ni2+為參照，其周圍等距且最近的氧離子處于棱心；由Ni2+距離最近的O2﹣之間的距離可計算晶胞參數(shù)，由晶胞參數(shù)計算晶胞體積V，由均攤法計算晶胞中Ni2+和O2﹣的數(shù)目，可計算晶胞質(zhì)量m，根據(jù)晶體密度ρ＝計