【正文】 離能逐漸減小，故組成元素中第一電離能最大的是N；②H－N＝C＝S分子中存在強(qiáng)極性鍵NH，致其分子間易形成氫鍵，故H－N＝C＝S沸點(diǎn)比H－S－C≡N高；(3)由題意可知C5H5的C環(huán)是平面的，故知其中5個(gè)C原子應(yīng)為sp2雜化；因5個(gè)C原子均為sp2雜化，則應(yīng)各有一個(gè)未雜化的p電子參與形成5個(gè)C原子的大鍵，加上負(fù)電荷的電子，共有6個(gè)電子參與形成大鍵，故大Π鍵為；(4)此為六方晶胞，單晶胞體積為；整個(gè)六方晶胞體積為，整個(gè)六方晶胞中Ni原子數(shù)為12+6+2+1=6，As原子數(shù)為6，故：g/cm3或。cm?3，故答案為：LaNi5；?！驹斀狻?1)Se是34號(hào)元素，位于第四周期ⅥA族，核外電子排布式為[Ar]3d104s24p4；(2)根據(jù)元素周期律，Ga與As位于同一周期，Ga原子序數(shù)小于As，故原子半徑Ga大于As，同周期第一電離能變化趨勢(shì)是從左到右增大，故第一電離能Ga小于As；(3)水晶中1個(gè)硅原子結(jié)合4個(gè)氧原子，同時(shí)每個(gè)氧原子結(jié)合2個(gè)硅原子，所以水晶是以[SiO4]四面體向空間延伸的立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，水晶中硅原子的配位數(shù)為4；(4)原子半徑N＜P＜As，鍵長(zhǎng)Ga—N＜Ga—P＜Ga—As，鍵能Ga—N＞Ga—P＞Ga—As，故GaN、GaP、GaAs的熔點(diǎn)逐漸降低；(5)從六方晶胞的面心原子分析，上、中、下層分別有3個(gè)配位原子，故配位數(shù)為12。2．1s22s22p63s23p63d10（或[Ar]②丙烯腈（H2C=CH－C≡N）分子中碳原子軌道雜化類型是_______；分子中σ鍵和π鍵數(shù)目之比為_(kāi)______。同一層微粒間存在的作用力有__。 硅晶體的密度為ρ gcm—3，硅的摩爾質(zhì)量為 M g下列電離能比值最大的是_____________A． B． C． D．(2)晶體硅具有金剛石型結(jié)構(gòu)，其中硅原子的雜化方式是_______，晶體硅中硅原子與σ鍵的數(shù)目比是___________。（4）甲醛在Ni催化作用下加氫可得甲醇。9．鎳及其化合物在工業(yè)生產(chǎn)中有著廣泛的運(yùn)用，當(dāng)前世界上鎳的消費(fèi)量?jī)H次于銅、鋁、鉛、鋅，居有色金屬第五位。①SCN－的空間構(gòu)型為_(kāi)___，組成元素中第一電離能最大的是___。5H2O結(jié)構(gòu)中含有的化學(xué)鍵的類型有___，所含元素的電負(fù)性大小順序?yàn)開(kāi)__。（4）類鹵素離子SCN可用于Fe3+的檢驗(yàn)，其對(duì)應(yīng)的酸有兩種，分別為硫氰酸（HSC≡N）和異硫氰酸（HN=C=S），這兩種酸中沸點(diǎn)較高的是后者，原因是_____。（4）某儲(chǔ)氫合金的結(jié)構(gòu)屬六方晶系，晶體結(jié)構(gòu)及俯視圖分別如圖（a）、（b）所示，該儲(chǔ)氫合金的化學(xué)式是_____（填最簡(jiǎn)式）。（1）鎳氫電池放電時(shí)的總反應(yīng)為NiOOH+MH＝Ni（OH）2+M，M表示儲(chǔ)氫合金。（4）GaN、GaP、GaAs都是很好的半導(dǎo)體材料，晶體類型與晶體硅類似，熔點(diǎn)如下表所示，分析其變化原因：__。(3)Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu)，其中Ge原子的雜化方式為 ________，微粒之間存在的作用力是___________。(3)HCHO分子中碳原子軌道的雜化類型是________，福爾馬林是HCHO的水溶液，HCHO極易與水互溶的主要原因是_________________________。（3）范德華力可分為色散力、誘導(dǎo)力和取向力三類，其中取向力只存在于極性分子和極性分子之間，則H2S的水溶液中存在的取向力有_______種。（2）液態(tài)SO2可發(fā)生自偶電離，SO2屬于_____________(選填“極性分子”或“非極性分子”)，的空間構(gòu)型是___________________。(2)C、N、O三種元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)開(kāi)__________，HOCH2CN分子中含有的σ鍵與π鍵數(shù)目之比為_(kāi)________。Ge、O兩元素電負(fù)性由大至小的順序是 _________。(填“大于”或“小于”)（3）水晶的主要成分是二氧化硅，在水晶中硅原子的配位數(shù)是__。5．儲(chǔ)氫合金能有效解決氫氣的貯存和輸運(yùn)問(wèn)題，對(duì)大規(guī)模使用氫能具有重要的意義。KBH4中陰離子的空間構(gòu)型是___，NaH2PO4中陰離子中心原子的雜化類型是_______。③在圖中用“→”標(biāo)出亞鐵離子的配位鍵_____。②CuSO4（2）Co2＋可以和SCN－作用形成藍(lán)色配離子，該反應(yīng)可用于Co2＋的定性檢驗(yàn)。cm－3，（列出計(jì)算式）。該配合物常溫下為液態(tài)，易溶于CCl苯等有機(jī)溶劑，據(jù)此判斷該分子屬于____________分子（填“極性”或“非極性”）。基態(tài)的氣態(tài)原子失去一個(gè)電子形成氣態(tài)一價(jià)正離子時(shí)所需能量稱為元素的第一電離能(I1)，元素氣態(tài)一價(jià)正離子失去一個(gè)電子形成氣態(tài)二價(jià)正離子時(shí)所需能量稱為元素的第二電離能(I2)，…… .以此類推。(5)硅晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，則晶胞中含有___個(gè)硅原子。圖1圖2圖3（4）硼酸晶體是片層結(jié)構(gòu)，圖3表示的是其中一層的結(jié)構(gòu)。A．離子鍵 B．金屬鍵 C．氫鍵 D．共價(jià)鍵（3）已知(CN)2性質(zhì)類似Cl2： (CN)2+2KOH=KCN+KCNO+H2O KCN+HCl=HCN+KCl HC≡CH+HCN→H2C=CH－C≡N ①KCNO中各元素原子的第一電離能由小到大排序?yàn)開(kāi)_______?！驹斀狻浚?）Fe的原子序數(shù)為26，失去2個(gè)電子形成，則的核外有24個(gè)電子，電子排布式是，簡(jiǎn)化形式是，故答案為：（或）；（2）的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3，孤對(duì)電子數(shù)為1，則空間構(gòu)型是V形，分子中正電中心和負(fù)電中心不重合，屬于極性分子；的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，孤對(duì)電子數(shù)為1，空間構(gòu)型為三角錐形，故答案為：極性分子；三角錐形（3）的水溶液中有和兩種極性分子，分子間能形成氫鍵，因此溶液中存在三種取向力：和、和、和，故答案為：3；（4）乙硫醇中硫原子與氫原子和碳原子形成兩個(gè)鍵，價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，有2對(duì)孤電子對(duì)，則S原子采用雜化，故答案為：；（5）由晶胞可知，銅原子位于頂點(diǎn)、面上和體心，原子個(gè)數(shù)為=4，鐵原子位于位于棱上、面上，原子個(gè)數(shù)為=4；8個(gè)硫原子位于體內(nèi)，因此X的化學(xué)式是，X晶胞體積為，每個(gè)晶胞的質(zhì)量為，因此密度為，故答案為：。晶胞體積。c=a2c=(107)2107cm3，圖示晶體結(jié)構(gòu)含有2個(gè)晶胞，晶胞的質(zhì)量為g=g，則晶體的密度== g8．鐵 直線型 N 異硫氰酸分子之間可以形成氫鍵 sp2 6 或 【解析】【分析】(1)未成對(duì)電子數(shù)目根據(jù)基態(tài)原子電子排布式進(jìn)行判斷；(解析：鐵 直線型 N 異硫氰酸分子之間可以形成氫鍵 sp2 6 或 【解析】【分析】(1)未成對(duì)電子數(shù)目根據(jù)基態(tài)原子電子排布式進(jìn)行判斷；(2)①SCN－的空間構(gòu)型根據(jù)等電子體進(jìn)行判斷；同一周期，隨原子序數(shù)的增加，元素第一電離能呈現(xiàn)增大的趨勢(shì)，同一主族，最電子層數(shù)的增加，元素的第一電離能逐漸減??；②H－N＝C＝S分子中存在強(qiáng)極性鍵NH，致其分子間易形成氫鍵，故H－N＝C＝S沸點(diǎn)比H－S－C≡N高；(3)由題意可知C5H5的C環(huán)是平面的，故知其中5個(gè)C原子應(yīng)為sp2雜化；因5個(gè)C原子均為sp2雜化，則應(yīng)各有一個(gè)未雜化的p電子參與形成5個(gè)C原子的大鍵，加上負(fù)電荷的電子，共有6個(gè)電子參與形成大鍵；(4)此為六方晶胞，單晶胞體積為；整個(gè)六方晶胞體積為，整個(gè)六方晶胞中Ni原子數(shù)為12+6+2+1=6，As原子數(shù)為6，根據(jù)計(jì)算?！驹斀狻浚?）硅是14號(hào)元素，根據(jù)原子核外電子排布規(guī)律可以寫(xiě)出電子排布式為：1s22s22p63s23p2；硅原子最外層有4個(gè)電子，硅的IIII4相差不多，而I4比I5小很多，則最大，故答案為：1s22s22p63s23p2；D；(2)晶體硅具有金剛石型結(jié)構(gòu)，每個(gè)硅原子連有4個(gè)硅原子，硅原子的配位數(shù)為4，則硅原子的雜化方式是sp3雜化；晶體中，每個(gè)Si原子與4個(gè)Si原子形成σ鍵，每一個(gè)共價(jià)鍵中Si的貢獻(xiàn)為一半，則平均1個(gè)Si原子形成2個(gè)σ鍵，則晶體硅中硅原子與σ鍵的個(gè)數(shù)比為1：2，故答案為：sp3雜化；1:2；（3）非金屬元素的電負(fù)性大于金屬元素，非金屬性越強(qiáng)，電負(fù)性越大，則O、Al、Si 電負(fù)性由小到大的順序是Al＜Si＜O，故答案為：Al＜Si＜O；（4）因?yàn)楣柙影霃奖忍荚影霃揭?，硅原子之間形成σ鍵后，原子間的距離比較大，p電子云之間進(jìn)行難以進(jìn)行“肩并肩”重疊或重疊程度小，所以難以形成穩(wěn)定的雙鍵及三鍵，故答案為：硅原子半徑較大，形成的σ鍵的鍵長(zhǎng)較長(zhǎng)，難以形成π鍵；（5）由圖可知，晶胞中Si原子的個(gè)數(shù)為8+6+41=8；由質(zhì)量關(guān)系可得：molMg/mol=(a10—10cm)3ρ g/cm，解得NA=mol—1，故答案為：8；。為坐標(biāo)原點(diǎn)，把晶胞的底邊邊長(zhǎng)和高都視作單位1，則B、C的坐標(biāo)分別為B(1，0，0)、c(0，0，1)，由圖可知，D點(diǎn)與A、B以及底面右下角等3個(gè)點(diǎn)構(gòu)成一個(gè)正四面體，D點(diǎn)位于其頂點(diǎn)，其高度為晶胞高度的一半。