材料表征與分析技術(shù)復(fù)習(xí)整理(存儲版)
【正文】 ，εmax＞104，是由苯環(huán)內(nèi)乙烯鍵上的π電子被激發(fā)所致。當(dāng)含有S、I、N原子時有可能在200nm處有吸收。弧立羰基化合物的n→π*躍遷，其吸收譜帶出現(xiàn)在270~300nm附近，一般呈低強(qiáng)度吸收(ε= 10~20)的寬譜帶，稱之為R帶。羥基：吸收在32003650cm1范圍。斯托克斯線, 反斯托克斯線:設(shè)散射物分子原來處于基電子態(tài)，振動能級如圖所示。2分子的非對稱性振動和極性基團(tuán)的振動，都會引起分子偶極距的變化，因而這類振動是紅外活性的；而分子對稱性振動和非極性基團(tuán)振動，會使分子變形，極化率隨之變化，具有拉曼活性。 自旋晶格馳豫：自旋核與周圍的粒子（固體的晶格，液體中的分子或溶劑分子）交換能量，也稱縱向馳豫。與裸露的氫核相比，TMS的化學(xué)位移最大，但規(guī)定 dTMS=0，其他種類氫核的位移為負(fù)值，負(fù)號不加。在末級透鏡上邊裝有掃描線圈，在它的作用下使電子束在樣品表面掃描。 形貌襯度的形成是由于某些信號，如二次電子、背散射電子等，其強(qiáng)度是試樣表面傾角的函數(shù)，而試樣表面微區(qū)形貌差別實際上就是各微區(qū)表面相對于入射電子束的傾角不同，因此電子束在試樣上掃描時任何兩點的形貌差別，表現(xiàn)為信號強(qiáng)度的差別，從而在圖像中形成顯示形貌的襯度。這種現(xiàn)象即是隧道效應(yīng)。如果針尖靠近表面，即處在標(biāo)準(zhǔn)的非接觸模式工作區(qū)間，則圖像主要含形貌信息。 像散是可以消除的像差，可以通過引入一個強(qiáng)度和方位可調(diào)的矯正磁場來進(jìn)行補(bǔ)償。成像系統(tǒng)可以實現(xiàn)兩種成像操作：一種是將物鏡的像放大成像，即試樣形貌觀察；另一種是將物鏡背焦面的衍射花樣放大成像，即電子衍射分析。11?？讖桨虢铅翆蓚€因素的影響作用相反。像散是由電磁透鏡的周向磁場不對稱，導(dǎo)致電磁透鏡徑向的會聚能力不一樣，從而使像點發(fā)散的現(xiàn)象稱為像散。用磁力針尖獲得的圖像都包含著表面形貌和磁特性與范德瓦爾斯力相比，原子間磁力在較大的間隙時仍保留一定量值。掃描隧道顯微鏡（STM）的基本原理 利用量子理論中的隧道效應(yīng)。表面形貌襯度原理及其應(yīng)用表面形貌襯度是由于試樣表面形貌差別而形成的襯度。２、自旋偶合的結(jié)果：吸收峰發(fā)生裂分——自旋裂分譜圖中化合物的結(jié)構(gòu)信息１、峰的數(shù)目：標(biāo)志分子中磁不等性質(zhì)子的種類，多少種；２、峰的強(qiáng)度(面積)：每類質(zhì)子的數(shù)目(相對)，多少個；３、峰的位移(d )：每類質(zhì)子所處的化學(xué)環(huán)境，化合物中位 置；４、峰的裂分?jǐn)?shù)：相鄰碳原子上質(zhì)子數(shù)；５、偶合常數(shù)(J)：確定化合物構(gòu)型。相對標(biāo)準(zhǔn)：四甲基硅烷Si(CH3)4 （TMS）（內(nèi)標(biāo)） 位移常數(shù) dTMS=02．為什么用TMS作為基準(zhǔn)? (1) 12個氫處于完全相同的化學(xué)環(huán)境，只產(chǎn)生一個尖峰； （2）屏蔽強(qiáng)烈，位移最大。 核磁共振基本原理：氫原子核的自旋會沿著它的自轉(zhuǎn)軸產(chǎn)生一個微小的磁場，它本身就好象一個小磁鐵。極化度是指分子改變其電子云分布的難易程度，因此只有分子極化度發(fā)生變化的振動 才能與入射光的電場E相互作用，產(chǎn)生誘導(dǎo)偶極矩。其散射光的強(qiáng)度約占總散射光強(qiáng)度的106～1010。 由n個原子組成的分子有3n6個(線性分子為3n5)振動模式, 即有3n6個吸收帶。因此存在著四種躍遷：σ→σ* 、 π→π* 、n→σ*、n→π*。R帶 ε 值100各類化合物的紫外光譜 １、飽和烴及其含雜原子的簡單化合物:飽和烴的原子間都以σ鍵相連，σ→σ*必須吸收較大的能量，光譜一般出現(xiàn)在遠(yuǎn)紫外區(qū)，且ε小。(４)E帶(Ethylenic band，乙烯型譜帶),它也是芳香族化合物的特征吸收之一。C．紅移與藍(lán)移：有機(jī)化合物的吸收譜帶常常因引入取代基或改變?nèi)軇┦棺畲笪詹ㄩLλmax和吸收強(qiáng)度發(fā)生變化:λmax向長波方向移動稱為紅移，向短波方向移動稱為藍(lán)移 (或紫移)。n軌道的能級最高，所以n→π* 躍遷的吸收譜帶波長最長。躍遷能量較低，一般在200nm左右。缺乏精細(xì)結(jié)構(gòu)的原因是振動峰的能量間距過小；有時振動精細(xì)結(jié)構(gòu)疊加在離子離解造成的連續(xù)譜上，形成圖中的譜帶V。紫外光電子能譜測量與分子軌道能緊密相關(guān)的實驗參數(shù)——電離電位．原子或分子的第一電離電位通常定義為從最高的填滿軌道能級激發(fā)出一個電子所需的最小能量．第二電離電位定義為從次高的已填滿的中性分子的軌道能級激發(fā)電一個電子所需的能量． 目前在各種電子能譜法中，只有紫外光電子能譜才是研究振動結(jié)構(gòu)的有效手段。俄歇電子能譜的基本機(jī)理是：入射電子束或X射線使原子內(nèi)層能級電子電離，外層電子產(chǎn)生無輻射俄歇躍遷，發(fā)射俄歇電子，用電子能譜儀在真空中對它們進(jìn)行探測。由于原子所處的化學(xué)環(huán)境不同而引起的內(nèi)層電子結(jié)合能的變化，在譜圖上表現(xiàn)為譜峰的位移，這一現(xiàn)象稱為化學(xué)位移。 系統(tǒng)消光有點陣消光與結(jié)構(gòu)消光兩類。例 23V釩的基態(tài)電子組態(tài)1s22s22p63s23p64s23d3md=2 1 0 1 2 ∑ml=3，∑ms=3/2,Mj=3/2；令L=3，S=3/2,J=3/2,所以基態(tài)為4F3/2例 26Fe的基態(tài)電子組態(tài)1s22s22p63s23p64s23d６md= 2 1 0 1 2 ∑ml=2，∑ms=2,Mj=4；令L=2，S=2,J=4, 所以，基態(tài)為5D4（1）簡要解釋下列概念：泡利不相容原理、洪特定則.（2）LS耦合的某原子的激發(fā)態(tài)電子組態(tài)是2p3p，可能形成哪些原子態(tài)？若相應(yīng)的能級順序符合一般規(guī)律，應(yīng)如何排列？（3）理論說明氦原子1s2p組態(tài)內(nèi)1P和3P項能量差的物理成因。同
范文總結(jié)相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1