【正文】 中，如果膜和襯底材料（ 相同 ），例如硅襯底上長硅膜，這樣的膜生長稱為（ 同質(zhì)外延 ）；反之，膜和襯底材料不一致的情況，例如硅襯底上長氧化鋁，則稱為（異質(zhì)外延 ）。見打印稿28． 在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界第一種類型的CVD是（ APCVD ），其發(fā)生在（質(zhì)量輸運(yùn)控制 ）區(qū)域，在任何給定的時(shí)間，在硅片表面（ 不可能有足夠 ）的氣體分子供發(fā)生反應(yīng)。35． 寫出三種半導(dǎo)體制造業(yè)的金屬和合金（ AL ）、（CU ）和（鋁銅合金 ）。41． 列舉硅片制造中用到CMP的幾個(gè)例子：（ ）、LI氧化硅拋光、（ ）、（ ）、鎢塞拋光和雙大馬士革銅拋光。常用的有（ ）、金屬鎢磨料、（ ）和特殊應(yīng)用磨料。55． I線光刻膠的4種成分分別是（ 樹脂（聚合物材料） ）、（感光劑 ）、（ 溶劑 ）和添加劑。62． 在干法刻蝕中發(fā)生刻蝕反應(yīng)的三種方法是（物理性 ）、（ 化學(xué)性）和（物理和化學(xué)性 ）。擴(kuò)散70． 本征硅的晶體結(jié)構(gòu)由硅的（ ）形成，導(dǎo)電性能很差，只有當(dāng)硅中加入少量的雜質(zhì)，使其結(jié)構(gòu)和（ ）發(fā)生改變時(shí)，硅才成為一種有用的半導(dǎo)體，這一過程稱為（ ）。76． 集成電路制造中摻雜類工藝有（ 熱擴(kuò)散 ）和（離子注入 ）兩種。82． 離子注入機(jī)的掃描系統(tǒng)有四種類型，分別為（靜電掃描）、（機(jī)械掃描）、（混合掃描）和平行掃描。其兩個(gè)重要參數(shù)是（劑量和射程 ），即（ ）和（ ），即離子注入過程中，離子穿入硅片的總距離。93． 制造電子器件的基本半導(dǎo)體材料是圓形單晶薄片，稱為硅片或（ 硅襯底 ）。99． 制作鎢塞1的主要工藝步驟是：（ 鈦淀積阻擋層 ）；（氧化鈦淀積 ）；（鎢淀積 ）；磨拋鎢。（Y ）8． 區(qū)熔法是20世紀(jì)50年代發(fā)展起來的，能生產(chǎn)到目前為止最純的硅單晶，含氧量非常少。（ Y ）15． 柵氧一般通過熱生長獲得。（ ）23． LPCVD反應(yīng)是受氣體質(zhì)量傳輸速度限制的。由660℃降為450℃，采用增強(qiáng)的等離子體，增加淀積能量，即低壓和低溫。（ ）38． 關(guān)鍵層是指那些線條寬度被刻蝕為器件特征尺寸的金屬層。（Y ）46． 在CMP設(shè)備中被廣泛采用的終點(diǎn)檢測(cè)方法是光學(xué)干涉終點(diǎn)檢測(cè)。（ Y ）53． 光刻區(qū)使用黃色熒光燈照明的原因是，光刻膠只對(duì)特定波長的光線敏感，例如深紫外線和白光，而對(duì)黃光不敏感。（ Y ）刻蝕61． 各向異性的刻蝕剖面是在所有方向上（橫向和垂直方向）以相同的刻蝕速率進(jìn)行刻蝕。（ Y ）69． 與干法刻蝕相比，濕法腐蝕的好處在于對(duì)下層材料具有高的選擇比，對(duì)器件不會(huì)帶來等離子體損傷，并且設(shè)備簡單。（ ）77． 擴(kuò)散率越大，雜質(zhì)在硅片中的移動(dòng)速度就越大。（ ）84． 硼是VA族元素，其摻雜形成的半導(dǎo)體是P型半導(dǎo)體。（Y ）92． CD是指硅片上的最小特征尺寸。（ Y ）99． 多晶硅柵的寬度通常是整個(gè)硅片上最關(guān)鍵的CD線寬。10． 立式爐出現(xiàn)的主要原因，其主要控制系統(tǒng)分為哪五個(gè)部分？淀積11． 名詞解釋CVD12． 列舉淀積的6種主要技術(shù)。24． 名詞解釋：玻璃回流25． 名詞解釋：旋涂膜層。40． 擴(kuò)散工藝第二步推進(jìn)的主要目的是什么？離子注入41． 解釋離子注入時(shí)的能量淀積過程。氧化3． 對(duì)下圖所示的工藝進(jìn)行描述，并寫出工藝的主要步驟。光刻11． 試對(duì)CMOS工藝中反相器的8塊投影掩膜版的作用分別作出解釋。18． 離子注入工藝的主要優(yōu)缺點(diǎn)。16． 在硅片制備過程中，完成擴(kuò)散過程需要幾個(gè)步驟，并進(jìn)行描述。平坦化9． 按照下圖解釋平坦化術(shù)語。四、綜合題：晶圓制備1． 畫出CZ拉單晶爐的示意圖，并簡述其工藝過程。34． 什么是干法刻蝕？干法刻蝕相比于濕法腐蝕的優(yōu)點(diǎn)有哪些？35． 干法等離子體反應(yīng)器有哪些主要類型？擴(kuò)散36． 簡述擴(kuò)散工藝的概念。平坦化21． 名詞解釋：CMP。7． 描述生長氧化層和淀積氧化層以及兩者的區(qū)別？8． 列舉集成電路工藝?yán)镅趸锏牧N應(yīng)用。（ ）97． 集成電路是由Kilby和Noyce兩人于1959年分別發(fā)明，并共享集成電路的專利。（ ? ）90． 離子注入中高能量意味著注入硅片更深處，低能量則用于超淺結(jié)注入。（Y ? ）82． 離子注入中靜電掃描的主要缺點(diǎn)是離子束不能垂直轟擊硅片，會(huì)導(dǎo)致光刻材料的陰影效應(yīng)，阻礙離子束的注入。（ ）75． CD越小，源漏結(jié)的摻雜區(qū)越深。（ Y ）67． 在半導(dǎo)體生產(chǎn)中，濕法腐蝕是最主要的用來去除表面材料的刻蝕方法。（ ）59． 投影掩膜版上的圖形是由金屬鉭所形成的。（? Y ）光刻51． 最早應(yīng)用在半導(dǎo)體光刻工藝中的光刻膠是正性光刻膠。（Y ）44． 反刻是一種傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)，它能夠?qū)崿F(xiàn)全局平坦化。（ ）36． 多層金屬化指用來連接硅片上高密度堆積器件的那些金屬層。（ Y ）29． 與APCVD相比，LPCVD有更低的成本、更高的產(chǎn)量以及更好的膜性能，因此應(yīng)用更為廣泛。（Y ）淀積21． CVD是利用某種物理過程，例如蒸發(fā)或者濺射現(xiàn)象實(shí)現(xiàn)物質(zhì)的轉(zhuǎn)移，即原子或分子由源轉(zhuǎn)移到襯底（硅）表面上，并淀積成薄膜。（Y ）13． 二氧化硅是一種介質(zhì)材料，不導(dǎo)電。（ Y ）6． 用來制造MOS器件最常用的是（100）面的硅片，這是因?yàn)椋?00）面的表面狀態(tài)更有利于控制MOS器件開態(tài)和關(guān)態(tài)所要求的閾值電壓。97． 光刻區(qū)位于硅片廠的中心，經(jīng)過光刻處理的硅片只流入兩個(gè)區(qū)，因此只有三個(gè)區(qū)會(huì)處理涂膠的硅片，它們是（光刻片 ）、（刻蝕片 ）和（離子注入 ）。91． 集成電路的發(fā)展時(shí)代分為：（ 小規(guī)模集成電路SSI ）、中規(guī)模集成電路MSI、（大規(guī)模集成電路LSI ）、超大規(guī)模集成電路VLSI、（甚大規(guī)模集成電路ULSI ）。常采用兩種技術(shù)（氣冷 ）和（橡膠冷卻）來冷卻硅片。離子注入80． 注入離子的能量可以分為三個(gè)區(qū)域：一是（ 低能區(qū) ），二是（ 中能區(qū) ），三是（高能區(qū)）。75． 擴(kuò)散是物質(zhì)的一個(gè)基本性質(zhì)，描述了（一種物質(zhì)在另一種物質(zhì)中運(yùn)動(dòng) ）的情況。68． 刻蝕有9個(gè)重要參數(shù)：（ 刻蝕速率 ）、（ 刻蝕剖面 ）、刻蝕偏差、（選擇比 ）、均勻性、殘留物、聚合物形成、等離子體誘導(dǎo)損傷和顆粒污染。前者是（ 亞微米 ）尺寸下刻蝕器件的最主要方法，后者一般只是用在大于3微米的情況下。53． 光學(xué)光刻中，把與掩膜版上圖形（相反 ）的圖形復(fù)制到硅片表面的光刻是（ 負(fù) ）性光刻；把與掩膜版上相同的圖形復(fù)制到硅片表面的光刻是（ 正 ）性光刻。46． CMP是一種表面（全局平坦化）的技術(shù)，它通過硅片和一個(gè)拋光頭之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)來平坦化硅片表面，在硅片和拋光頭之間有（磨料），并同時(shí)施加（壓力）。這些被撞擊出的原子穿過（ 真空 ），最后淀積在硅片上。33． 對(duì)芯片互連的金屬和金屬合金來說，它所必備一些要求是：（導(dǎo)電率）、高黏附性、（淀積）、（平坦化）、可靠性、抗腐蝕性、應(yīng)力等。硅片表面及其鄰近的區(qū)域被（ 加熱 ）來向反應(yīng)系統(tǒng)提供附加的能量。第一步是（ 晶核形成 ），第二步是（聚集成束 ），第三步是（ 形成連續(xù)的膜 ）。14． 選擇性氧化常見的有（ 局部氧化 ）和（淺槽隔離 ），其英語縮略語分別為LOCOS和（ STI ）。7． CZ直拉法的目的是（實(shí)現(xiàn)均勻參雜的同時(shí)并且復(fù)制籽晶的結(jié)構(gòu)，得到合適的硅錠直徑并且限制雜質(zhì)引入到硅中）。六、封裝：其目的除了保護(hù)和隔離之外，還有使管芯有一個(gè)合適的外引線結(jié)構(gòu)、使管芯有一個(gè)散熱和電磁屏蔽的條件、調(diào)高管芯的機(jī)械強(qiáng)度和抗外界沖擊能力等。76按其在集成電路中的功能劃分，可分為三大類：MOSFET柵電極材料：互連材料：接觸材料 77 Al/Si接觸中的幾個(gè)物理現(xiàn)象AlSi相圖，Al在Si中的溶解度非常低，Si在Al中的溶解度卻比較高，因此當(dāng)鋁和硅接觸時(shí)，在退火過程中就會(huì)有相當(dāng)可觀的si原子溶到鋁中去。8去膠：經(jīng)過刻蝕過離子注入之后，已經(jīng)不需要光刻膠作為保護(hù)層，因此可以將光刻膠從硅片表面除去。65光刻工藝流程1打底膜：為了增強(qiáng)光刻膠與硅片之間的附著力2涂膠：在硅片表面形成厚度均勻、附著性強(qiáng)，并且沒有缺陷的光刻膠薄膜。57擴(kuò)散效應(yīng)：襯底中的雜質(zhì)與外延層中的雜質(zhì)在外延生長時(shí)互相擴(kuò)散引起襯底與外延層界面附近的雜質(zhì)濃度緩慢變化的現(xiàn)象。4吸附原子或分子在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成薄膜的基本元素并淀積成薄膜。使晶體的主軸方向偏離注入方向；晶體表面覆蓋介質(zhì)膜；先注入使晶體變?yōu)榉蔷w，在進(jìn)行離子注入。31氧化增強(qiáng)擴(kuò)散：與中性氣氛相比，雜質(zhì)硼在氧化氣氛中的擴(kuò)散存在明顯的增強(qiáng)。當(dāng)氧化時(shí)間很長時(shí)，氧化服從拋物型規(guī)律，此時(shí)SiO2的生長速率主要由氧化劑在SiO2中的擴(kuò)散快慢來決定。11弗倫克爾缺陷：如果一個(gè)晶格原子進(jìn)入間隙，并產(chǎn)生一個(gè)空位，間隙原子和空位是同時(shí)產(chǎn)生的，這種缺陷為弗倫克爾缺陷。7金剛石結(jié)構(gòu)可有兩套面心立方結(jié)構(gòu)套購而成，面心立方晶格又稱為立方密排晶格。