【正文】 中，如果膜和襯底材料（ 相同 ），例如硅襯底上長硅膜，這樣的膜生長稱為（ 同質外延 ）；反之，膜和襯底材料不一致的情況，例如硅襯底上長氧化鋁，則稱為（異質外延 ）。見打印稿28． 在半導體產(chǎn)業(yè)界第一種類型的CVD是（ APCVD ），其發(fā)生在（質量輸運控制 ）區(qū)域，在任何給定的時間，在硅片表面（ 不可能有足夠 ）的氣體分子供發(fā)生反應。35． 寫出三種半導體制造業(yè)的金屬和合金（ AL ）、（CU ）和（鋁銅合金 ）。41． 列舉硅片制造中用到CMP的幾個例子：（ ）、LI氧化硅拋光、（ ）、（ ）、鎢塞拋光和雙大馬士革銅拋光。常用的有（ ）、金屬鎢磨料、（ ）和特殊應用磨料。55． I線光刻膠的4種成分分別是（ 樹脂（聚合物材料） ）、（感光劑 ）、（ 溶劑 ）和添加劑。62． 在干法刻蝕中發(fā)生刻蝕反應的三種方法是（物理性 ）、（ 化學性）和（物理和化學性 ）。擴散70． 本征硅的晶體結構由硅的（ ）形成，導電性能很差，只有當硅中加入少量的雜質，使其結構和（ ）發(fā)生改變時，硅才成為一種有用的半導體，這一過程稱為（ ）。76． 集成電路制造中摻雜類工藝有（ 熱擴散 ）和（離子注入 ）兩種。82． 離子注入機的掃描系統(tǒng)有四種類型，分別為（靜電掃描）、（機械掃描）、（混合掃描）和平行掃描。其兩個重要參數(shù)是（劑量和射程 ），即（ ）和（ ），即離子注入過程中，離子穿入硅片的總距離。93． 制造電子器件的基本半導體材料是圓形單晶薄片，稱為硅片或（ 硅襯底 ）。99． 制作鎢塞1的主要工藝步驟是：（ 鈦淀積阻擋層 ）；（氧化鈦淀積 ）；（鎢淀積 ）；磨拋鎢。（Y ）8． 區(qū)熔法是20世紀50年代發(fā)展起來的，能生產(chǎn)到目前為止最純的硅單晶，含氧量非常少。（ Y ）15． 柵氧一般通過熱生長獲得。（ ）23． LPCVD反應是受氣體質量傳輸速度限制的。由660℃降為450℃，采用增強的等離子體，增加淀積能量，即低壓和低溫。（ ）38． 關鍵層是指那些線條寬度被刻蝕為器件特征尺寸的金屬層。（Y ）46． 在CMP設備中被廣泛采用的終點檢測方法是光學干涉終點檢測。（ Y ）53． 光刻區(qū)使用黃色熒光燈照明的原因是，光刻膠只對特定波長的光線敏感，例如深紫外線和白光，而對黃光不敏感。（ Y ）刻蝕61． 各向異性的刻蝕剖面是在所有方向上（橫向和垂直方向）以相同的刻蝕速率進行刻蝕。（ Y ）69． 與干法刻蝕相比，濕法腐蝕的好處在于對下層材料具有高的選擇比，對器件不會帶來等離子體損傷，并且設備簡單。（ ）77． 擴散率越大，雜質在硅片中的移動速度就越大。（ ）84． 硼是VA族元素，其摻雜形成的半導體是P型半導體。（Y ）92． CD是指硅片上的最小特征尺寸。（ Y ）99． 多晶硅柵的寬度通常是整個硅片上最關鍵的CD線寬。10． 立式爐出現(xiàn)的主要原因，其主要控制系統(tǒng)分為哪五個部分？淀積11． 名詞解釋CVD12． 列舉淀積的6種主要技術。24． 名詞解釋：玻璃回流25． 名詞解釋：旋涂膜層。40． 擴散工藝第二步推進的主要目的是什么？離子注入41． 解釋離子注入時的能量淀積過程。氧化3． 對下圖所示的工藝進行描述，并寫出工藝的主要步驟。光刻11． 試對CMOS工藝中反相器的8塊投影掩膜版的作用分別作出解釋。18． 離子注入工藝的主要優(yōu)缺點。16． 在硅片制備過程中，完成擴散過程需要幾個步驟，并進行描述。平坦化9． 按照下圖解釋平坦化術語。四、綜合題：晶圓制備1． 畫出CZ拉單晶爐的示意圖，并簡述其工藝過程。34． 什么是干法刻蝕？干法刻蝕相比于濕法腐蝕的優(yōu)點有哪些？35． 干法等離子體反應器有哪些主要類型？擴散36． 簡述擴散工藝的概念。平坦化21． 名詞解釋：CMP。7． 描述生長氧化層和淀積氧化層以及兩者的區(qū)別？8． 列舉集成電路工藝里氧化物的六種應用。（ ）97． 集成電路是由Kilby和Noyce兩人于1959年分別發(fā)明，并共享集成電路的專利。（ ? ）90． 離子注入中高能量意味著注入硅片更深處，低能量則用于超淺結注入。（Y ? ）82． 離子注入中靜電掃描的主要缺點是離子束不能垂直轟擊硅片，會導致光刻材料的陰影效應，阻礙離子束的注入。（ ）75． CD越小，源漏結的摻雜區(qū)越深。（ Y ）67． 在半導體生產(chǎn)中，濕法腐蝕是最主要的用來去除表面材料的刻蝕方法。（ ）59． 投影掩膜版上的圖形是由金屬鉭所形成的。（? Y ）光刻51． 最早應用在半導體光刻工藝中的光刻膠是正性光刻膠。（Y ）44． 反刻是一種傳統(tǒng)的平坦化技術，它能夠實現(xiàn)全局平坦化。（ ）36． 多層金屬化指用來連接硅片上高密度堆積器件的那些金屬層。（ Y ）29． 與APCVD相比，LPCVD有更低的成本、更高的產(chǎn)量以及更好的膜性能，因此應用更為廣泛。（Y ）淀積21． CVD是利用某種物理過程，例如蒸發(fā)或者濺射現(xiàn)象實現(xiàn)物質的轉移，即原子或分子由源轉移到襯底（硅）表面上，并淀積成薄膜。（Y ）13． 二氧化硅是一種介質材料，不導電。（ Y ）6． 用來制造MOS器件最常用的是（100）面的硅片，這是因為（100）面的表面狀態(tài)更有利于控制MOS器件開態(tài)和關態(tài)所要求的閾值電壓。97． 光刻區(qū)位于硅片廠的中心，經(jīng)過光刻處理的硅片只流入兩個區(qū)，因此只有三個區(qū)會處理涂膠的硅片，它們是（光刻片 ）、（刻蝕片 ）和（離子注入 ）。91． 集成電路的發(fā)展時代分為：（ 小規(guī)模集成電路SSI ）、中規(guī)模集成電路MSI、（大規(guī)模集成電路LSI ）、超大規(guī)模集成電路VLSI、（甚大規(guī)模集成電路ULSI ）。常采用兩種技術（氣冷 ）和（橡膠冷卻）來冷卻硅片。離子注入80． 注入離子的能量可以分為三個區(qū)域：一是（ 低能區(qū) ），二是（ 中能區(qū) ），三是（高能區(qū)）。75． 擴散是物質的一個基本性質，描述了（一種物質在另一種物質中運動 ）的情況。68． 刻蝕有9個重要參數(shù)：（ 刻蝕速率 ）、（ 刻蝕剖面 ）、刻蝕偏差、（選擇比 ）、均勻性、殘留物、聚合物形成、等離子體誘導損傷和顆粒污染。前者是（ 亞微米 ）尺寸下刻蝕器件的最主要方法，后者一般只是用在大于3微米的情況下。53． 光學光刻中，把與掩膜版上圖形（相反 ）的圖形復制到硅片表面的光刻是（ 負 ）性光刻；把與掩膜版上相同的圖形復制到硅片表面的光刻是（ 正 ）性光刻。46． CMP是一種表面（全局平坦化）的技術，它通過硅片和一個拋光頭之間的相對運動來平坦化硅片表面，在硅片和拋光頭之間有（磨料），并同時施加（壓力）。這些被撞擊出的原子穿過（ 真空 ），最后淀積在硅片上。33． 對芯片互連的金屬和金屬合金來說，它所必備一些要求是：（導電率）、高黏附性、（淀積）、（平坦化）、可靠性、抗腐蝕性、應力等。硅片表面及其鄰近的區(qū)域被（ 加熱 ）來向反應系統(tǒng)提供附加的能量。第一步是（ 晶核形成 ），第二步是（聚集成束 ），第三步是（ 形成連續(xù)的膜 ）。14． 選擇性氧化常見的有（ 局部氧化 ）和（淺槽隔離 ），其英語縮略語分別為LOCOS和（ STI ）。7． CZ直拉法的目的是（實現(xiàn)均勻參雜的同時并且復制籽晶的結構，得到合適的硅錠直徑并且限制雜質引入到硅中）。六、封裝：其目的除了保護和隔離之外，還有使管芯有一個合適的外引線結構、使管芯有一個散熱和電磁屏蔽的條件、調高管芯的機械強度和抗外界沖擊能力等。76按其在集成電路中的功能劃分，可分為三大類：MOSFET柵電極材料：互連材料：接觸材料 77 Al/Si接觸中的幾個物理現(xiàn)象AlSi相圖，Al在Si中的溶解度非常低，Si在Al中的溶解度卻比較高，因此當鋁和硅接觸時，在退火過程中就會有相當可觀的si原子溶到鋁中去。8去膠：經(jīng)過刻蝕過離子注入之后，已經(jīng)不需要光刻膠作為保護層，因此可以將光刻膠從硅片表面除去。65光刻工藝流程1打底膜：為了增強光刻膠與硅片之間的附著力2涂膠：在硅片表面形成厚度均勻、附著性強，并且沒有缺陷的光刻膠薄膜。57擴散效應：襯底中的雜質與外延層中的雜質在外延生長時互相擴散引起襯底與外延層界面附近的雜質濃度緩慢變化的現(xiàn)象。4吸附原子或分子在襯底表面發(fā)生化學反應，生成薄膜的基本元素并淀積成薄膜。使晶體的主軸方向偏離注入方向；晶體表面覆蓋介質膜；先注入使晶體變?yōu)榉蔷w，在進行離子注入。31氧化增強擴散：與中性氣氛相比，雜質硼在氧化氣氛中的擴散存在明顯的增強。當氧化時間很長時，氧化服從拋物型規(guī)律，此時SiO2的生長速率主要由氧化劑在SiO2中的擴散快慢來決定。11弗倫克爾缺陷：如果一個晶格原子進入間隙，并產(chǎn)生一個空位，間隙原子和空位是同時產(chǎn)生的，這種缺陷為弗倫克爾缺陷。7金剛石結構可有兩套面心立方結構套購而成，面心立方晶格又稱為立方密排晶格。