【正文】 由{111}雙層密排面結(jié)合牢固，化學(xué)腐蝕就比較困難和緩慢，所以腐蝕后容易暴露在表面上。17 SiO2層的特點(diǎn)：能緊緊地依附在硅襯底表面，具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性和電絕緣性。29擴(kuò)散方式：恒定表面源擴(kuò)散和有限表面源擴(kuò)散。當(dāng)用同樣的條件進(jìn)行擴(kuò)散時(shí)，發(fā)現(xiàn)各次擴(kuò)散的結(jié)果有差異，這就是擴(kuò)散的重復(fù)性問(wèn)題。40物理氣相沉積方法：真空蒸發(fā)，濺射41濺射基礎(chǔ)是輝光放電42汽化熱：真空蒸發(fā)系統(tǒng)中的能源將蒸發(fā)原材料加熱到足夠高的溫度，使其原子或分子獲得足夠的能量，克服固相(或液相)的原子束縛而蒸發(fā)到真空中，而形成具有一定動(dòng)能的氣相原子或分子，這個(gè)能量就是汽化熱43飽和蒸汽壓：在一定的溫度下，真空室內(nèi)蒸發(fā)物質(zhì)的蒸氣與固態(tài)或液態(tài)平衡時(shí)所表現(xiàn)出來(lái)的壓力稱為該物質(zhì)的飽和蒸汽壓44平均自由程 ：粒子兩次碰撞之間飛行的平均距離稱為~45化學(xué)氣相淀積：即把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑或者液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣，以合理的流速引入反應(yīng)室，在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并在襯底表面上淀積薄膜。52氣缺現(xiàn)象：對(duì)于只有一個(gè)入氣口的反應(yīng)室來(lái)說(shuō)，延氣流方向因反應(yīng)劑的不斷消耗原離入氣口處的硅片表面上的反應(yīng)劑濃度會(huì)低于靠近入氣口處餓硅片表面的濃度所淀積得膜厚也就低于靠近入氣口處的膜厚，稱這種現(xiàn)象為~53多晶硅薄膜有小單晶的晶粒組成，存在大量的晶粒間界，它是一個(gè)具有高密度缺陷和懸掛鍵的區(qū)域。61光刻的目的就是在二氧化硅或金屬薄膜上面刻蝕出與掩膜版完全對(duì)應(yīng)的幾何圖形，從而實(shí)現(xiàn)選擇性擴(kuò)散和金屬薄膜布線的目的。5顯影：把曝光后在光刻膠層形成的潛在圖形，進(jìn)一步形成三維立體圖形。68頂層光刻膠經(jīng)過(guò)曝光和顯影后形成曝光圖形，并在后續(xù)的刻蝕工藝中作為刻蝕掩蔽層，光刻膠不再被氧等離子刻蝕，起到一個(gè)硬保護(hù)層作用底層光刻膠用來(lái)在襯底上形成平坦化的平面，需要通過(guò)干法刻蝕去掉。第二類，可以使銳利的臺(tái)階變?yōu)槠交?，同時(shí)臺(tái)階高度減小了，通過(guò)再淀積一層半平坦化的介質(zhì)層作為覆蓋層，第三類，使局域達(dá)到完全平坦化，第四類，使整個(gè)硅片表面平坦化77 Al/Si接觸中的尖楔現(xiàn)象Al某些接觸點(diǎn)，像尖釘一樣楔進(jìn)到Si襯底中去，從而PN結(jié)失效53多晶硅及硅化物具有源漏自對(duì)準(zhǔn)特性78后道工藝： 一、背面減薄和蒸金：去除晶圓片背面不必要的雜質(zhì)；太厚不宜于后道加工；未了減少串聯(lián)電阻，有利于散熱。2． 單晶硅生長(zhǎng)常用（CZ法）和（區(qū)熔法）兩種生長(zhǎng)方式，生長(zhǎng)后的單晶硅被稱為（硅錠）。9． 制備半導(dǎo)體級(jí)硅的過(guò)程：1（制備工業(yè)硅 ）；2（生長(zhǎng)硅單晶）；3（提純）。17． 硅片上的氧化物主要通過(guò)（ 熱生長(zhǎng) ）和（ 淀積 ）的方法產(chǎn)生，由于硅片表面非常平整，使得產(chǎn)生的氧化物主要為層狀結(jié)構(gòu)，所以又稱為（ 薄膜 ）。24． 如果淀積的膜在臺(tái)階上過(guò)度地變薄，就容易導(dǎo)致高的（ 膜應(yīng)力 ）、（ 電短路 ）或者在器件中產(chǎn)生不希望的（ 誘生電荷 ）。29． HDPCVD工藝使用同步淀積和刻蝕作用，其表面反應(yīng)分為：（離子誘導(dǎo)淀積 ）、（ 濺射刻蝕 ）、（ 再次淀積 ）、熱中性CVD和反射。36． 阻擋層金屬是一類具有（高熔點(diǎn) ）的難熔金屬，金屬鋁和銅的阻擋層金屬分別是（W ）和（W ）。42． 終點(diǎn)檢測(cè)是指（ ）的一種檢測(cè)到平坦化工藝把材料磨到一個(gè)正確厚度的能力。48． 有兩種CPM機(jī)理可以解釋是如何進(jìn)行硅片表面平坦化的：一種是表面材料與磨料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成一層容易去除的表面層，屬于（ ）；另一種是（ ），屬于（ ）。56． 對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記主要有四種：一是（ 投影掩膜版對(duì)準(zhǔn)（RA）標(biāo)記 ），二是（ 整場(chǎng)對(duì)準(zhǔn)（GA）標(biāo)記 ），三是精對(duì)準(zhǔn)，四是（ 光照亮對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記 ）。63． 隨著銅布線中大馬士革工藝的引入，金屬化工藝變成刻蝕（ILD（層間介質(zhì)））以形成一個(gè)凹槽，然后淀積（ 銅 ）來(lái)覆蓋其上的圖形，再利用（ 化學(xué)機(jī)械平坦化技術(shù)）把銅平坦化至ILD的高度。71． 集成電路制造中摻雜類工藝有（ 擴(kuò)散 ）和（離子注入 ）兩種，其中（離子注入 ）是最重要的摻雜方法。在目前生產(chǎn)中，擴(kuò)散方式主要有兩種：恒定表面源擴(kuò)散和（ 有限表面源擴(kuò)散 ）。83． 離子注入機(jī)的目標(biāo)是形成在（成分和能量方面 ）都純凈的離子束。86． 最常用的雜質(zhì)源物質(zhì)有（B2H6 ）、（ BF3 ）、（ PH3 ）和AsH3等氣體。在硅片制造廠，由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（微芯片 ）或（ 芯片 ）。二、判斷題晶圓制備1． %。（ Y ）9． 85%以上的單晶硅是采用CZ直拉法生長(zhǎng)出來(lái)的。（ Y ）16． 雖然直至今日我們?nèi)云毡椴捎脭U(kuò)散區(qū)一詞，但是硅片制造中已不再用雜質(zhì)擴(kuò)散來(lái)制作pn結(jié)，取而代之的是離子注入。（ ）24． 外延就是在單晶襯底上淀積一層薄的單晶層，即外延層。（ ）金屬化31． 接觸是指硅芯片內(nèi)的器件與第一層金屬層之間在硅表面的連接。（Y ）39． 傳統(tǒng)互連金屬線的材料是鋁，即將取代它的金屬材料是銅。（ Y ）47． CMP帶來(lái)的一個(gè)顯著的質(zhì)量問(wèn)題是表面微擦痕。（Y ）54． 曝光后烘焙，簡(jiǎn)稱后烘，其對(duì)傳統(tǒng)I線光刻膠是必需的。（ ）62． 干法刻蝕是亞微米尺寸下刻蝕器件的最主要方法，濕法腐蝕一般只是用在尺寸較大的情況下刻蝕器件，例如大于3微米。（ Y ）70． 。（ Y ）78． 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)是各向同性的。（ Y ）85． 離子注入是唯一能夠精確控制摻雜的手段。（Y ）93． 集成電路制造就是在硅片上執(zhí)行一系列復(fù)雜的化學(xué)或者物理操作。（Y ）100． 大馬士革工藝的名字來(lái)源于幾千年前敘利亞大馬士革的一位藝術(shù)家發(fā)明的一種技術(shù)。13． 化學(xué)氣相淀積的英文簡(jiǎn)稱？其過(guò)程有哪5種基本的反應(yīng)？并簡(jiǎn)要描述5種反應(yīng)。光刻26． 半導(dǎo)體制造行業(yè)的光刻設(shè)備分為幾代？寫(xiě)出它們的名稱。42． 離子注入工藝采用何種設(shè)備？列舉離子注入設(shè)備的5個(gè)主要子系統(tǒng)。4． 識(shí)別下圖所示工藝，寫(xiě)出每個(gè)步驟名稱并進(jìn)行描述，對(duì)其特有現(xiàn)象進(jìn)行描述。12． 識(shí)別下圖所示工藝，寫(xiě)出每個(gè)步驟名稱并進(jìn)行描述。工藝集成19． 試畫(huà)出CMOS反相器的剖面圖，并列出在硅片上制作一個(gè)CMOS反相器所需的基本步驟。擴(kuò)散15． 闡述硅片中固態(tài)雜質(zhì)的擴(kuò)散原理和步驟，并分別進(jìn)行描述。8． 比較下面兩圖中區(qū)別，闡述其中的工藝現(xiàn)象。46． 什么是芯片的關(guān)鍵尺寸？這種尺寸為何重要？47． 什么是接觸形成工藝？其主要步驟有哪些？48． 什么是集成電路工藝中的阱，簡(jiǎn)述在一個(gè)p型硅片上形成n阱的主要步驟?？涛g31． 什么是干法刻蝕？什么是濕法腐蝕？?jī)烧咚纬傻目涛g剖面有何區(qū)別？32． 什么是等離子體去膠？去膠機(jī)的目的是什么33． 解釋有圖形和無(wú)圖形刻蝕的區(qū)別。20． 解釋下列名詞：多層金屬化、互連和接觸。5． 硅錠直徑從20世紀(jì)50年代初期的不到25mm增加到現(xiàn)在的300mm甚至更大，其原因是什么？氧化6． 以二氧化硅為例來(lái)解釋選擇擴(kuò)散的概念。（ ）96． 世界上第一塊集成電路是用硅半導(dǎo)體材料作為襯底制造的。（ Y ）89． 離子注入能夠重復(fù)控制雜質(zhì)的濃度和深度，因而在幾乎所有應(yīng)用中都優(yōu)于擴(kuò)散。（ Y ）離子注入81． 離子注入會(huì)將原子撞擊出晶格結(jié)構(gòu)而損傷硅片晶格，高溫退火過(guò)程能使硅片中的損傷部分或絕大部分得到消除，摻入的雜質(zhì)也能得到一定比例的電激活。（ Y ）74． 純凈的半導(dǎo)體是一種有用的半導(dǎo)體。（ Y ）66． 刻蝕的高選擇比意味著只刻除想要刻去的那一層材料。（ Y ）58． 有光刻膠覆蓋硅片的三個(gè)生產(chǎn)區(qū)域分別為光刻區(qū)、刻蝕區(qū)和擴(kuò)散區(qū)。（Y ）50． 沒(méi)有CMP，就不可能生產(chǎn)甚大規(guī)模集成電路芯片。（Y ）43． 平滑是一種平坦化類型，它只能使臺(tái)階角度圓滑和側(cè)壁傾斜，但高度沒(méi)有顯著變化。（Y ）35． 接觸是由導(dǎo)電材料如鋁、多晶硅或銅制成的連線將電信號(hào)傳輸?shù)叫酒牟煌糠?。? Y ）冷壁反應(yīng)器通常只對(duì)襯底加熱，28． APCVD反應(yīng)器中的硅片通常是平放在一個(gè)平面上。（ Y ）20． 快速熱處理是一種小型的快速加熱系統(tǒng)，帶有輻射熱和冷卻源，通常一次處理一片硅片。生長(zhǎng)一詞表示這個(gè)過(guò)程實(shí)際是消耗了硅片上的硅材料。（Y ）5． CZ直拉法是按照在20世紀(jì)90年代初期它的發(fā)明者的名字來(lái)命名的。主要設(shè)備是高溫?cái)U(kuò)散爐，其能完成（氧化）、擴(kuò)散、（淀積 ）、（退火 ）以及合金等多種工藝流程。工藝集成90． 芯片硅片制造廠可以分為6個(gè)獨(dú)立的生產(chǎn)區(qū)：擴(kuò)散區(qū)、（光刻片 ）、刻蝕區(qū)、（注入?yún)^(qū) ）、（薄膜片 ）和拋光區(qū)。如果溫度超過(guò)100攝氏度，（光刻膠 ）就會(huì)起泡脫落，在去膠時(shí)就難清洗干凈。其中pn結(jié)就是富含（ IIIA族雜質(zhì) ）的N型區(qū)域和富含（VA族雜質(zhì) ）的P型區(qū)域的分界處。雜質(zhì)只有在成為硅晶格結(jié)構(gòu)的一部分，即（ 激活雜質(zhì)后 ），才有助于形成半導(dǎo)體硅。67． 在刻蝕中用到大量的化學(xué)氣體，通常用氟刻蝕（ 二氧化硅 ）；用氯和氟刻蝕（ 多晶硅 ）；用氯、氟和溴刻蝕硅；用氧去除（ 光刻膠 ）?？涛g60． 在