【正文】 半導(dǎo)體制造工藝中有兩種基本的刻蝕工藝：（桿法刻蝕 ）和（濕法刻蝕 ）。52． 寫出下列光學(xué)光刻中光源波長(zhǎng)的名稱：436nmG線、405nm（ H線 ）、365nmI線、248nm（ 深紫外 ）、193nm深紫外、157nm（真空紫外（超紫外） ）。45． 傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有（ ）、（ ）和（ ）。在濺射過(guò)程中，（核能離子 ）撞擊具有高純度的靶材料固體平板，按物理過(guò)程撞擊出原子。32． 濺射現(xiàn)象是在（ 輝光放電 ）中觀察到的，集成電路工藝中利用它主要用來(lái)（淀積合金 ），還可以用來(lái)（ 金屬化 ）。26． 化學(xué)氣相淀積是通過(guò)（ 氣體混合 ）的化學(xué)反應(yīng)在硅片表面淀積一層（固體膜 ）的工藝。21． 淀積膜的過(guò)程有三個(gè)不同的階段。13． 用于熱工藝的立式爐的主要控制系統(tǒng)分為五部分：（ 工藝腔 ）、（ 硅片傳輸系統(tǒng) ）、氣體分配系統(tǒng)、尾氣系統(tǒng)和（溫控系統(tǒng) ）。6． CZ直拉法生長(zhǎng)單晶硅是把（融化了的半導(dǎo)體級(jí)硅液體）變?yōu)椋ㄓ姓_晶向）并且（被摻雜成p型或n型）的固體硅錠。五、鍵合：將半導(dǎo)體器件芯片上的電極引線與底座外引線連接起來(lái)的過(guò)程。這種效應(yīng)稱為領(lǐng)近效應(yīng)72選擇比：指兩種不同材料在腐蝕的過(guò)程中被腐蝕的速率比73干法刻蝕：利用等離子體激活的化學(xué)反應(yīng)或者是利用高能離子束轟擊完成去除物質(zhì)的方法、74干法刻蝕的分類：等離子體刻蝕，濺射刻蝕，反應(yīng)離子刻蝕75屬化”，金屬跟金屬性材料在集中成電路中的應(yīng)用。7刻蝕：在光刻膠的下方的材料上呈現(xiàn)出與光刻膠上相同的圖形。64可靠性的定義就是指產(chǎn)品在規(guī)定時(shí)間內(nèi)和規(guī)定條件下，完成規(guī)定功能的能力或概率。但當(dāng)溫度升高時(shí)，表面遷移率也隨之升高，由于硅原子遷移率加快，在與其他吸附原子形成硅串之前就已經(jīng)到達(dá)了扭轉(zhuǎn)點(diǎn)，一旦到達(dá)了扭轉(zhuǎn)點(diǎn)，薄膜便開始橫向生長(zhǎng)。3,反應(yīng)劑被吸附在硅片的表面，成為吸附原子或分子。37避免溝道效應(yīng)的方法。方式將由預(yù)擴(kuò)散引入的雜質(zhì)作為擴(kuò)散源。22熱氧化生長(zhǎng)速率 當(dāng)氧化時(shí)間很短時(shí)，氧化服從線性規(guī)律，此時(shí)SiO2的生長(zhǎng)速率主要由表面化學(xué)反應(yīng)來(lái)決定。10肖特基缺陷：如果一個(gè)晶格正常位置上的原子跑到表面，在體內(nèi)產(chǎn)生一個(gè)晶格空位，稱肖特基缺陷。2集成電路發(fā)展史：生長(zhǎng)法，合金法，擴(kuò)散法4評(píng)價(jià)發(fā)展水平：最小線寬，硅晶圓片直徑，DRAM容量5金剛石結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：共價(jià)四面體，內(nèi)部存在著相當(dāng)大的“空隙”6面心立方晶體結(jié)構(gòu)是立方密堆積，(111)面是密排面。 因{111}雙層密排面之間距離很大，結(jié)合弱，晶格缺陷容易在這里形成和擴(kuò)展。對(duì)某些雜質(zhì)能起到掩蔽作用。30兩種擴(kuò)散方式相結(jié)合的擴(kuò)散工藝為兩部擴(kuò)散。34離子注入的應(yīng)用：在集成電路制造中，多道參雜工序均采用離子注入技術(shù)，特別是集成電路中的隔離工序中防止寄生溝道用的溝道截?cái)啵{(diào)整閾值電壓的溝道摻雜，防止CMOS阱的形成及源漏區(qū)域的形成等主要工序都采用離子注入法進(jìn)行參雜，尤其是淺結(jié)主要靠離子注入技術(shù)來(lái)完成。46完成薄膜淀積CVD的化學(xué)反應(yīng)滿足條件：反應(yīng)物足夠高的蒸氣壓(空氣中充滿源)，淀積物足夠低的蒸氣壓(不能蒸發(fā))47邊界層：靠近硅片表面附近的氣流速度受到擾動(dòng)并按拋物線型變化同時(shí)還存在反應(yīng)劑濃度梯度的薄層。54保形覆蓋：指無(wú)論襯底表面有什么樣的傾斜圖形，在所有圖形的上面都能淀積有相同厚度的吧薄膜，這種淀積稱為55外延是在單晶襯底上按襯底晶向生長(zhǎng)單晶薄膜的工藝過(guò)程。62可靠性有三個(gè)目的：為了測(cè)量現(xiàn)有產(chǎn)品的可靠性程度；通過(guò)各種可靠性試驗(yàn)，找出器件的使用極限；通過(guò)對(duì)失效機(jī)理的分析、解剖，找出各種器件在各種條件下失效的機(jī)理、原因，進(jìn)一步提高器件的可靠性。6堅(jiān)膜：除去光刻膠層中剩余的溶劑。69使用抗反射涂層(ARC)工藝，可以降低駐波效應(yīng)的影響。二、劃片：將大圓片上每只芯片分割開來(lái)。3． 晶圓的英文是（wafer ），其常用的材料是（ 硅 ）和（ 鍺 ）。氧化10． 二氧化硅按結(jié)構(gòu)可分為（結(jié)晶型）和（非結(jié)晶型）或（不定型）。18． 熱氧化的目標(biāo)是按照（ 厚度 ）要求生長(zhǎng)（ 無(wú)缺陷 ）、（ 均勻 ）的二氧化硅薄膜。25． 深寬比定義為間隙得深度和寬度得比值。金屬化30． 金屬按其在集成電路工藝中所起的作用，可劃分為三大類：（ MOSFET柵極材料 ）、（互連材料 ）和（ 接觸材料 ）。37． 多層金屬化是指用來(lái)（ 連接 ）硅片上高密度堆積器件的那些（金屬 ）和（ 合金 ）。兩種最常用的原位終點(diǎn)檢測(cè)技術(shù)是（ ）和（ ）。49． 反刻屬于（ ）的一種，表面起伏可以用一層厚的介質(zhì)或其他材料作為平坦化的犧牲層，這一層犧牲材料填充（ ），然后用（ ）技術(shù)來(lái)刻蝕這一犧牲層，通過(guò)用比低處快的刻蝕速率刻蝕掉高處的圖形來(lái)使表面的平坦化。57． 光刻使用（光敏光刻膠 ）材料和可控制的曝光在硅片表面形成三維圖形，光刻過(guò)程的其它說(shuō)法是（ 照相 ）、光刻、掩膜和（圖形形成 ）。64． 刻蝕是用（物理 ）或（ 化學(xué)方法 ）有選擇地從硅片表面去除不需要材料的工藝過(guò)程，其基本目標(biāo)是（ 在涂膠的硅片上正確復(fù)制掩膜圖形 ）。72． 摻雜被廣泛應(yīng)用于硅片制作的全過(guò)程，硅芯片需要摻雜（ IIIA族 ）和VA族的雜質(zhì)，其中硅片中摻入磷原子形成（ N型 ）硅片，摻入硼原子形成（ P型 ）硅片。77． 硅中固態(tài)雜質(zhì)的熱擴(kuò)散需要三個(gè)步驟：（ 預(yù)淀積 ）、（推進(jìn) ）和（ 激活 ）。聚束離子束通常很小，必須通過(guò)掃描覆蓋整個(gè)硅片。87． 離子注入設(shè)備包含6個(gè)部分：（離子源）、引出電極、離子分析器、（加速器）、掃描系統(tǒng)和（工藝室）。94． 原氧化生長(zhǎng)的三種作用是：（保護(hù)表面的外延層免受玷污）；（阻止了注入過(guò)程中對(duì)硅片的過(guò)渡損傷）；（作為氧化物屏蔽層，有助于控制注入過(guò)程中雜質(zhì)的注入深度 ）。（ Y ）2． 冶金級(jí)硅的純度為98%。（ Y ）10． 成品率是指在一片晶圓上所有芯片中好芯片所占的百分比。（ Y ）17． 氧化物有兩個(gè)生長(zhǎng)階段來(lái)描述，分別是線性階段和拋物線階段。（ Y ）25． 在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界第一種類型的CVD是APCVD。（Y ）32． 大馬士革工藝來(lái)源于一種類似精制的鑲嵌首飾或藝術(shù)品的圖案。（ ）40． 濺射是個(gè)化學(xué)過(guò)程，而非物理過(guò)程。小而難以發(fā)現(xiàn)的微擦痕導(dǎo)致淀積的金屬中存在隱藏區(qū)，可能引起同一層金屬之間的斷路。（ ）55． 對(duì)正性光刻來(lái)說(shuō)，剩余不可溶解的光刻膠是掩膜版圖案的準(zhǔn)確復(fù)制。（Y ）63． 不正確的刻蝕將導(dǎo)致硅片報(bào)廢，給硅片制造公司帶來(lái)?yè)p失。（Y ）擴(kuò)散71． 在晶片制造中，有兩種方法可以向硅片中引入雜質(zhì)元素，即熱擴(kuò)散和離子注入。（ ）79． 硅中的雜質(zhì)只有一部分被真正激活，并提供用于導(dǎo)電的電子或空穴（大約3%~5%），大多數(shù)雜質(zhì)仍然處在間隙位置，沒(méi)有被電學(xué)激活。（ ? ）86． 離子注入是一個(gè)物理過(guò)程，不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。簡(jiǎn)而言之，這些操作可以分為四大基本類：薄膜制作、刻印、刻蝕和摻雜。（Y ）三、簡(jiǎn)答題晶圓制備1． 常用的半導(dǎo)體材料為何選擇硅？2． 寫出用硅石制備半導(dǎo)體級(jí)硅的過(guò)程。14． 在硅片加工中可以接受的膜必須具備需要的膜特性，試列出其中6種特性。27． 試寫出光刻工藝的基本步驟。43． 簡(jiǎn)述離子注入機(jī)中的靜電掃描系統(tǒng)。淀積5． 詳細(xì)描述CVD過(guò)程中的氣缺現(xiàn)象，并寫出減輕氣缺現(xiàn)象的解決方案。刻蝕13． 等離子體干法刻蝕系統(tǒng)的主要部件有哪性？試舉出三種主要類型，并對(duì)圓筒式等離子體刻蝕機(jī)作出介紹。20． 依照下圖，對(duì)硅片制造廠的六個(gè)分區(qū)分別做一個(gè)簡(jiǎn)短的描述，要求寫出分區(qū)的主要功能、主要設(shè)備以及顯著特點(diǎn)。試解釋其刻蝕機(jī)理。金屬化7． 按照下圖列出雙大馬士革金屬化過(guò)程的10個(gè)步驟，并對(duì)每個(gè)步驟作簡(jiǎn)短描述。工藝集成45． 集成電路的英文是？寫出集成電路的五個(gè)制造步驟。30． 什么是數(shù)值孔徑？陳述它的公式，包括近似公式。18． 解釋鋁/硅接觸中的尖楔現(xiàn)象，并寫出改進(jìn)方法？19． 解釋鋁已被選擇作為微芯片互連金屬的原因。4． 寫出右圖所示晶圓的晶向和導(dǎo)電類型。（Y ）95． 硅片制造廠可分為六個(gè)獨(dú)立的區(qū)域，各個(gè)區(qū)域的照明都采用同一種光源以達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)化。（ Y ）88． 離子注入的缺點(diǎn)之一是注入設(shè)備的復(fù)雜性。先進(jìn)的MOS電路不希望發(fā)生橫向擴(kuò)散，因?yàn)樗鼤?huì)導(dǎo)致溝道長(zhǎng)度的減小，影響器件的集成度和性能。（Y ）73． 在硅中固態(tài)雜質(zhì)的熱擴(kuò)散需要三個(gè)步驟：預(yù)淀積、推進(jìn)和激活。（ ）65． 刻蝕速率通常正比于刻蝕劑的濃度。（ ）57． 光刻的本質(zhì)是把電路結(jié)構(gòu)復(fù)制到以后要進(jìn)行刻蝕和離子注入的硅片上。（ Y ）49． 旋涂膜層是一種傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)。（ ? ）42． 化學(xué)機(jī)械平坦化，簡(jiǎn)稱CMP，它是一種表面全局平坦化技術(shù)。（ ）34． 大馬士革工藝的重點(diǎn)在于介質(zhì)的刻蝕而不是金屬的刻蝕。（Y ）27． CV