【正文】 概論； 了解阻變存儲器的作用機(jī)理及其器件結(jié)構(gòu)； 掌握溶膠凝膠法制備薄膜的基本原理和制備過程； 對制得的La:STO鐵電薄膜進(jìn)行阻變性能測試。參考文獻(xiàn)[1] 左青云, 劉明, 龍世兵等, 阻變存儲器及其集成技術(shù)研究進(jìn)展 [J]. 微電子學(xué), 2009, 39(4):546.[2] 葉志, (Bi,Nd)4(Ti,V)3O12鐵電薄膜的制備及薄膜印記失效分析 [D]. 2007, 6.[3] G. I. Meijer. Who wins the nonvolatile memory race? [J]. Science, 2008, 319: 16251626. [4] W. W. Zhang, et al., Thin film nonvolatile resitance random access memory (RRAM) [C]. IEDM Tech. Dig., 2002, 193197.[5] A. Chen, et al., Nonvolatile resistive switching for advanced memory applications [C]. IEDM Tech. Dig., 2005, 746750.[6] L. Chua. Resistance switching memories are memristors [J]. Appl. Phys. A, 2011, 102: 765783.[7] S. Kim, H. Moon, D. Gupta, S. Yoo and Y. K. Choi. Resistive switching characteristics of solgel zinc oxide films for flexible memory applications [J]. IEEE Electron Device Lett., 2009, 56(4): 696699.[8] J. F. Scott and C. A. Araujo. Ferroelectrics Memories [J]. Science, 1989, 246: 14001405. [9] S. 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