北京大學(xué)中級(jí)無(wú)機(jī)化學(xué)答案(存儲(chǔ)版)
【正文】 As(CH3)3 ∵N的電負(fù)性較大對(duì)有機(jī)金屬化合物等軟酸，As(CH3)3 N(CH3)3 ∵As比N軟，與軟酸的結(jié)合能力強(qiáng)。174。 Cr(H2O)63+中Cr3+為d3組態(tài)從T－S圖上得到：可能的兩個(gè)允許躍遷為4A2174?；蛴秒妼?dǎo)方法測(cè)量，前者和后者的電導(dǎo)比為2：3（3）[Co(H2O)4Cl2]+順式C2v、反式D4h，對(duì)稱性不同，偶極矩不同，可以用物理方法鑒別，例如紅外或Raman光譜不同。 (該題可參考史啟楨等翻譯的無(wú)機(jī)化學(xué),作者Shriver等,由高教社出版, 其中關(guān)于熱力學(xué)酸度參數(shù)的部分。第二章 解：Ni2+ d8組態(tài) Pt2+ d8組態(tài)第四周期（分裂能?。? 第六周期（分裂能大） trans cis四面體構(gòu)型 平面四方形構(gòu)型（兩種構(gòu)型）只有一種結(jié)構(gòu) （P代表PPh3） 解（1）MA2B4 （2）MA3B3 trans cis fac(面式) mer(經(jīng)式) D4h C2v C3v C2v m=0 m185。橋連配體NCS中 S比N軟，因此分子結(jié)構(gòu)為：(H3N)5Co－NCS－Co(CN)5 同上題，橋連配體NC中 C比N軟，因此，分子結(jié)構(gòu)為：Co(NH3)5－NC－Co(CN)5 AgO晶體中的Ag(Ⅱ)實(shí)際上是Ag(Ⅰ)和Ag(Ⅲ)混合而成，d10 的Ag(I)為sp雜化，直線型d8的Ag(Ⅲ)傾向dsp2雜化，以獲得更多的晶體場(chǎng)穩(wěn)定化能，因此為平面四方。190。 d2組態(tài)的金屬含氧酸根離子+4 +5 +6 +6CrO44， MnO43，F(xiàn)eO42和RuO42，四周期 四周期 四周期 五周期氧化態(tài)和所在周期的位置對(duì)下列性質(zhì)有影響（1）RuO42的最大，CrO44的最小。V(CO)6 17e 不符合18e規(guī)則Cr(CO)6 18eFe(CO)5 18eNi(CO)4 18eMn(7e)，Tc(7e)，Re(7e)，Co(9e)，Rh(9e)，Ir(9e)，價(jià)電子數(shù)均為單數(shù)，要滿足18e構(gòu)型，不可能為單核羰基化合物 CO和d區(qū)金屬成鍵時(shí)，金屬次外層軌道上有參與成鍵d電子作為價(jià)電子，可以反饋到CO的p*軌道上，而BF3等p區(qū)元素則沒(méi)有價(jià)電子形成反饋鍵，因此不能與CO形成穩(wěn)定化合物。錯(cuò)誤較多。 畫結(jié)構(gòu)時(shí)錯(cuò)誤較多。成鍵類型與配體類型混淆。174。174。 (粗線表示連接兩個(gè)金屬原子的橋羰基) 部分學(xué)生還是用立體結(jié)構(gòu)表示骨架結(jié)構(gòu)，如：四面體，三角雙錐等。大多數(shù)非化學(xué)劑量固體是由于缺陷存在引起化學(xué)式偏離化學(xué)整比關(guān)系，或者混合價(jià)態(tài)的存在引起化學(xué)式宏觀上不符合整比關(guān)系，如Fe3O4和Tb4O7等。（5）Mo2(O2CCH3)4 d4， 鍵級(jí)8/2=4 抗磁 容易d電子計(jì)算錯(cuò)誤 （1） 4 抗磁 （2） 順磁 （3） 3 抗磁 （4） 2 順磁第10章 習(xí)題 Fe(Ⅱ)O減少后，則為，出現(xiàn)Fe的空位，部分Fe(Ⅱ)變?yōu)镕e(Ⅲ)， U(Ⅳ)O2增加O，則為UO2+x，可能出現(xiàn)U的空位，U(Ⅳ)的氧化態(tài)升高，（出現(xiàn)O的填隙原子的可能性不大，∵O2半徑大，不易在O2組成的晶格中形成填隙原子） d區(qū)金屬具有易變的氧化態(tài)，形成非整比化合物時(shí)可得到有效的電荷補(bǔ)償。174。174。沒(méi)有認(rèn)識(shí)到N2既是p配體也是p酸配體。174。（3）PtCl3(C2H4)1 16e（4）CpFe(CO)2(C2H4) 249。 Cis－Mo(CO)4(P(OPh)3)2為C2v點(diǎn)群，前一個(gè)圖，3個(gè)吸收峰trans－Mo(CO)4[P(OPh)3]2為D4h點(diǎn)群，對(duì)稱性高，1個(gè)吸收峰具體推導(dǎo)如下：C2vEC2A11111A211－1－1B11－11－1B21－1－114022 IR活性三種表示可均為IR活性，3個(gè)到4個(gè)吸收峰同理可推出D4h點(diǎn)群E2C4C2i2S44002000420A2g=0 B1u=0B1g=1 B2u=0B2g=0 En=1Eg=0 A1u=0 x,y, IRA2u=0只有Eu表示有IR活性∴只有一個(gè)吸收峰 部分學(xué)生認(rèn)為m1也表示橋鍵。Li4(CH3)4多聚體緩和了缺電子性。190。5Eg，只有一個(gè)吸收帶。（2）等物質(zhì)量的異構(gòu)體中分別加入過(guò)量AgNO3，產(chǎn)生少量沉淀（1molAgCl↓）的為前者（摩爾比為2：1），產(chǎn)生大量沉淀（2molAgCl↓）的為后者。（BCl3易水解；B(CH3)3不溶于水，在空氣中易燃）不 2．
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