【正文】 followingelectron got scanv weightweight isCaZ.v Fe, cubicprimaryS原子量為 ,weightisa=,most求 立方最密堆積， parameter(probe∥ cfollowing electropattern.v 111,v R001=v R220=v OnlyalongdiagramMaterialsv 第八節(jié) 電子顯微鏡分析在材料研究中的應用v 一、形態(tài)、精度的分析v 二、元素的存在狀態(tài)分析v 三、玻璃的非晶態(tài)結構分析v 四、材料斷面的研究v 五、晶界（微觀研究）v 六、微區(qū)結構分析v 七、高分子材料的研究練習v *1wallsFerroelectric最小的力 10141015N）、 表面彈性、塑性、硬度、粘著力、摩擦力等性質。V是樣品與探針間的偏量電壓。order,ofSi(111)v The main difference between the STM and other microscope is that there is no need for lenses and special light or electron sources. Instead the bound electrons already existing in the sample under investigation serve as the exclusive source of radiation.STM原理 STM is based on the control of the tunneling current I through the potential barrier between the surface to be investigated and the probing metal tip. If a small bias voltage V is applied between the sample surface and tip, a tunneling current I will flow between the tip and sample when the gap between them is reduced to a few atomic diameters (~1nm). The tunneling current iswhere Na2O FeO 例 11) The data from EMPA for pyroxene (Mg, Fe)2Si2O6) are below , calculate it formula. 2) Y=()[()O6]or ()[(96)2O6] a b c d e f G=e/Y hSiO2 2列出各欄分子量 c， 求出分子數 d, d=1000b/c。areX射線能譜分析（ EDS）EDS 7 樣品要求 WDS在檢測時要求樣品表面平整，以滿足聚焦條件。 v (3)波譜儀 WDS與能譜儀 EDS的性能比較v 1檢測效率 EDS中探測器對 X射線發(fā)射源所張的立體角顯著大于波譜儀，可以接受到更多的 X射線；因此檢測效率較高。 Xray spectrometerv （ 1）波譜儀 WDSv 設想有一種晶面間距為 d的特定晶體（我們稱為分光晶體），當不同特征波長 λ 的 X射線照射其上時，如果滿足布拉格條件（ 2dsinθ=λ ）將產生衍射。顯然，如果將電子放大成像與 X射線衍射分析結合起來，就能將所測微區(qū)的形狀和物相分析對應起來 (微區(qū)成分分析 )，這是電子探針的最大優(yōu)點。生物 ZnS圓球狀晶體 氟 羥磷灰石的完好晶形。由于二次電子對原子序數的變化不敏感，均勻性材料的電位差別不大，主導因素是形貌襯度。 例如 SE和 BE電子，在樣品表面的發(fā)射范圍也不同，其分辨率不同。Secondary v 二、主要結構v 1 、電子光學系統(tǒng) 1電子槍： 作用是利用陰極與陽極燈絲間的高壓產生高能量的電子束。經過努力，這種想法已成為現實 掃描電子顯微鏡 (Scanning Electronic Microscopy, SEM)。a=*2=.例 3TiC兩個方向的電子衍射花樣 如下 ,a=and3計算夾角：與測量值不一致 。N=4在 B， 所以 [uvw]=[220].A=從 , dC=2v 2） λ極小， 則 Ewald球 極大，球面接近平面。晶面間距? λ倒易球與愛瓦爾德球相交后在相紙上的投影將成為一個個同心圓（電子衍射圖 b）。 　 v 生物磁鐵礦晶體的完好晶形 v 常用的復型材料是塑料和真空蒸發(fā)沉積碳膜，碳復型比塑料復型要好。Pattern晶體 多晶體 非晶體v 二、成像原理v 透射電子顯微鏡中，物鏡、中間鏡，總的放大倍數就是各個透鏡倍率的乘積。v第三節(jié) 透射電鏡（ TEM）v 透射電子顯微鏡是以波長很短的電子束做照明源，用電磁透鏡聚焦成像的一種具有高分辨本領，高放大倍數的電子光學儀器。v 俄歇電子（ Auger electrons, AuE）v 如果原子內層電子能級躍遷過程中釋放出來的能量不是以 X射線的形式釋放，而是用該能量將核外另一電子打出，脫離原子變?yōu)槎坞娮?，這種被電子激發(fā)的二次電子叫做俄歇電子。 特點：v 1）能量低，為 23ev。v 五、電磁透鏡的場深和焦深v 電磁透鏡的特點：v 分辨本領大、場深大、焦深長。 電磁透鏡是一種可變焦距或可變倍率的會聚透鏡。v 二、電子波的波長v 德布羅意的波粒二象性關系式 ：v E=h181。 局限性：只能給出試樣的平均成分，不能給出所含元素隨位置的分布；不能觀察象 。v 方法 ：v 透射電鏡（ TEM）v 掃描電鏡（ SEM）v 電子探針（ EMPA）光學顯微鏡 優(yōu)點： 簡單，直觀。v 各種電子顯微分析儀器日益向多功能、綜合性發(fā)展，可以進行形貌、物相、晶體結構和化學組成等的綜合分析。 （ 2）電磁透鏡：旋轉對稱的電磁場使電子束聚焦。v 透鏡像散圖 v v 畸變v 球差還會影響圖象畸變。，重新從式樣表面逸出，稱為背散射電子。v 吸收電子（ absorption electrons, AE）v 入射電子經多次非彈性散射后能量損失殆盡，不再產生其他效應，一般稱為被試樣吸收，這種電子稱為吸收電子。v 熒光 X射線是特征 X射線及連續(xù)輻射激發(fā)的次級特征輻射。faultLayerv v 表面復型技術 v 所謂復型技術就是把樣品表面的顯微組織浮雕復制到一種很薄的膜上，然后把復制膜（叫做 “復型 ”）放到透射電鏡中去觀察分析，這樣才使透射電鏡應用于顯示材料的顯微組織。 v （ 2）用金相砂紙研磨，把薄塊減薄到 。v v 特點v 電子衍射原理和 X射線衍射原理是完全一樣的，但較之其還有以下特點： v 1）電子衍射可與物像的形貌觀察同步結合，使人們能在高倍下選擇微區(qū)進行晶體結構分析，弄清微區(qū)的物相組成； v 2）電子波長短，使單晶電子衍射斑點大都分布在一二維倒易截面內，這對分析晶體結構和位向關系帶來很大方便； v 3）電子衍射強度大，所需曝光時間短，攝取衍射花樣時僅需幾秒鐘。 衍射花樣與晶體的幾何關系 v Bragg定律：2dtan2θ≈2θsinθ≈θ? λ為 相機常數， 則 R=K/d=Kr* v可知 R與 r*有關，與 r*的 值 成正比；