odf段工藝設(shè)備培訓(xùn)資料-預(yù)覽頁
【正文】 注射器，脫泡充填工具清掃 清掃作業(yè) 未解凍前不能開封 記錄解凍時(shí)間 一、 ODF段主要工裝設(shè)備 Shanghai Tianma Microelectronics 10 一、 ODF段主要工裝設(shè)備 ③ Syringe裝填 ① Seal材と Seal內(nèi) Spacer材の調(diào)合 ②攪拌：５分間 ④脫泡 （遠(yuǎn)心真空） ８０Ｐａ以下? ３．５時(shí)間 ⑤裝置 Set 回転數(shù)： 1600rpm Seal內(nèi) Spacer材 Seal容器 Seal 脫泡 Shanghai Tianma Microelectronics 11 配向膜 ＩＴＯ膜 Ａｇ 表示部 Ｃｏｒｎｅｒ部 過細(xì) ? 液晶 泄漏 不均一 ? 液晶 泄漏 太り ? 切斷不良 過細(xì) ? 液晶 泄漏 太寬 ? 切斷不良 正確 Ｓｅａｌ斷裂 ? 液晶 泄漏 ［Ｓｅａｌ ｃｏｒｎｅｒ部］ ［Ｓｅａｌ 直線部］ ［Ｓｅａｌ 終端部］ Seal外觀 一、 ODF段主要工裝設(shè)備 Shanghai Tianma Microelectronics 12 導(dǎo)電膠涂布 導(dǎo)電膠涂布目的： 在 TFT基板的配線上涂布導(dǎo)電膠 ,使 TFT基板與 CF基板導(dǎo)通。 3進(jìn)行自動(dòng)精度調(diào)整：根據(jù)天平對(duì)連續(xù)滴下的 20滴 液晶量的稱量結(jié)果，調(diào)整容積馬達(dá)的容積大小來實(shí)現(xiàn)精度的調(diào)整。 3精對(duì)位結(jié)束后進(jìn)行基板預(yù) Press上定盤下降至 LoadCell感應(yīng)到一定的壓力 ，以保證上基板和下基板的 Seal完全接著，防止大氣開放時(shí)產(chǎn)生氣泡。 Array側(cè) Vernier（基準(zhǔn)） L＝ 約 1000μm CF側(cè) Vernier A B Array側(cè) Marker □ 150μ m CF側(cè) Marker □ 50μ m 一、 ODF段主要工裝設(shè)備 Shanghai Tianma Microelectronics 27 UV固化 [目的 ]：對(duì) Seal進(jìn)行 UV硬化，以防止液晶和 Seal發(fā)生相溶而產(chǎn)生污染 [原理 ]： 1基板受取后并與 UV Mask對(duì)位。 asi Ａｒｒａｙ基板 G遮光 aSi Drain G遮光 畫素 ITO PA GInsulator ＣＦ基板 Drain上 BM 色 層 色 層 Cell gap UV光 液晶 UV Mask ＣＦ基板 Ｓｅａｌ材 配向膜 Ａｒｒａｙ基板 TFT 公共電極 Ｓｐａｃｅｒ Seal內(nèi) Spacer ＵＶ光（光源： Metal Halide Lamp） 半透膜 一、 ODF段主要工裝設(shè)備 Shanghai Tianma Microelectronics 30 本硬化工藝條件特性要求 120℃ 70℃ RT 60min 基板溫度 裝置內(nèi)溫度 本硬化溫度特性曲線 無塵恒溫槽 測定基板 溫度 記錄儀 本硬化爐及溫度曲線測定方法 120℃ 、60min 一、 ODF段主要工裝設(shè)備 Shanghai Tianma Microelectronics 31 二、 ODF段輔助設(shè)備 MisAlign檢查 Visual Inspection Buffer Transfer Robot Loader/Uloader 輔助工裝設(shè)備： Shanghai Tianma Microelectronics 32 三、主要設(shè)備工藝參數(shù) Spacer散布與固著 Spacer散布工程的工藝要求： a. 散布密度穩(wěn)定性：中心值 177。 5μ m以內(nèi) Gap精度： Gap均一（ 41
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