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odf段工藝設備培訓資料-預覽頁

2025-02-03 13:02 上一頁面

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【正文】 注射器,脫泡充填工具清掃 清掃作業(yè) 未解凍前不能開封 記錄解凍時間 一、 ODF段主要工裝設備 Shanghai Tianma Microelectronics 10 一、 ODF段主要工裝設備 ③ Syringe裝填 ① Seal材と Seal內(nèi) Spacer材の調(diào)合 ②攪拌:5分間 ④脫泡 (遠心真空) 80Pa以下? 3.5時間 ⑤裝置 Set 回転數(shù): 1600rpm Seal內(nèi) Spacer材 Seal容器 Seal 脫泡 Shanghai Tianma Microelectronics 11 配向膜 ITO膜 Ag 表示部 Corner部 過細 ? 液晶 泄漏 不均一 ? 液晶 泄漏 太り ? 切斷不良 過細 ? 液晶 泄漏 太寬 ? 切斷不良 正確 Seal斷裂 ? 液晶 泄漏 [Seal corner部] [Seal 直線部] [Seal 終端部] Seal外觀 一、 ODF段主要工裝設備 Shanghai Tianma Microelectronics 12 導電膠涂布 導電膠涂布目的: 在 TFT基板的配線上涂布導電膠 ,使 TFT基板與 CF基板導通。 3進行自動精度調(diào)整:根據(jù)天平對連續(xù)滴下的 20滴 液晶量的稱量結(jié)果,調(diào)整容積馬達的容積大小來實現(xiàn)精度的調(diào)整。 3精對位結(jié)束后進行基板預 Press上定盤下降至 LoadCell感應到一定的壓力 ,以保證上基板和下基板的 Seal完全接著,防止大氣開放時產(chǎn)生氣泡。 Array側(cè) Vernier(基準) L= 約 1000μm CF側(cè) Vernier A B Array側(cè) Marker □ 150μ m CF側(cè) Marker □ 50μ m 一、 ODF段主要工裝設備 Shanghai Tianma Microelectronics 27 UV固化 [目的 ]:對 Seal進行 UV硬化,以防止液晶和 Seal發(fā)生相溶而產(chǎn)生污染 [原理 ]: 1基板受取后并與 UV Mask對位。 asi Array基板 G遮光 aSi Drain G遮光 畫素 ITO PA GInsulator CF基板 Drain上 BM 色 層 色 層 Cell gap UV光 液晶 UV Mask CF基板 Seal材 配向膜 Array基板 TFT 公共電極 Spacer Seal內(nèi) Spacer UV光(光源: Metal Halide Lamp) 半透膜 一、 ODF段主要工裝設備 Shanghai Tianma Microelectronics 30 本硬化工藝條件特性要求 120℃ 70℃ RT 60min 基板溫度 裝置內(nèi)溫度 本硬化溫度特性曲線 無塵恒溫槽 測定基板 溫度 記錄儀 本硬化爐及溫度曲線測定方法 120℃ 、60min 一、 ODF段主要工裝設備 Shanghai Tianma Microelectronics 31 二、 ODF段輔助設備 MisAlign檢查 Visual Inspection Buffer Transfer Robot Loader/Uloader 輔助工裝設備: Shanghai Tianma Microelectronics 32 三、主要設備工藝參數(shù) Spacer散布與固著 Spacer散布工程的工藝要求: a. 散布密度穩(wěn)定性:中心值 177。 5μ m以內(nèi) Gap精度: Gap均一( 41
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