【正文】 （ 2）客觀、公正、全面、科學(xué)地分析本項(xiàng)目對(duì)環(huán)境的各種影響； （ 3）通過現(xiàn)場(chǎng)調(diào)查和監(jiān)測(cè)獲得第一手?jǐn)?shù)據(jù)，保證資料數(shù)據(jù)的代表性、準(zhǔn)確性和時(shí)效性，評(píng)價(jià)方法力求先進(jìn)、定量、可靠，情景和工況設(shè)定盡量接近實(shí)際情況，評(píng)價(jià)結(jié)論中提出的對(duì)策措施具有可操作性； （ 4） 貫徹 “產(chǎn)業(yè)政策 ”、 “滿足規(guī)劃 ”、 “清潔生產(chǎn) ”、 “達(dá)標(biāo)排放 ”、 “總量控制 ”、“循環(huán)經(jīng)濟(jì) ”的原則 ； （ 5）以 多種形式進(jìn)行公眾參與。 表 161 環(huán)境空氣評(píng)價(jià)等級(jí)計(jì)算 污 染 物 排放量 (t/h) 環(huán)境標(biāo)準(zhǔn) (mg/m3) 等標(biāo)排放量 (m3/h) 判斷值 評(píng) 價(jià) 級(jí) 別 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書 北京京誠嘉宇環(huán)境科技有限公司 更多環(huán)評(píng)報(bào)告書、工程師考試資料來自 環(huán)境技術(shù)論壇 ： 8 HCI 105 106 一級(jí) Pi≥ 109 二級(jí) 109＞ Pi≥ 108 三級(jí) Pi＜ 108 小于三級(jí) 硅粉塵 104 * 106 HF 105 106 NOX 105 106 ② 評(píng) 價(jià)范圍 環(huán)境空氣 評(píng)價(jià)范圍 考慮樂山市城區(qū)及 樂山大佛風(fēng)景名勝區(qū) ，在三級(jí)評(píng)價(jià)基礎(chǔ)上對(duì)評(píng)價(jià)范圍適當(dāng)擴(kuò)大，評(píng)價(jià)范 圍 確定 以廠址為中心， 以廠址所在地主導(dǎo)風(fēng)向?yàn)橹鬏S，長(zhǎng) 10km、寬 10km，面積 100 km2的矩形區(qū)域，見圖 151。 ② 評(píng)價(jià)范圍 地表水評(píng)價(jià)范圍： 岷江開發(fā)區(qū)段廢水總排口上游 1km，下游 5km。 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書 北京京誠嘉宇環(huán)境科技有限公司 更多環(huán)評(píng)報(bào)告書、工程師考試資料來自 環(huán)境技術(shù)論壇 ： 9 （ 4） 生態(tài)評(píng)價(jià)等級(jí) ① 評(píng)價(jià)等級(jí) 項(xiàng)目占地 ，屬于開發(fā)區(qū)工業(yè)用地，目前土地已平整完畢，根據(jù)《環(huán)境影響評(píng)價(jià)技術(shù)導(dǎo)則－非污染生態(tài)影響》（ HJ/T191997）規(guī)定，對(duì)生態(tài)環(huán)境影響進(jìn)行簡(jiǎn)要分析。罐區(qū)存在著發(fā)生重大火災(zāi)、爆炸或毒物泄漏，對(duì) 環(huán)境造成嚴(yán)重污染事故的可能性。 表 162 環(huán)境空氣 質(zhì)量 標(biāo)準(zhǔn) （ mg/Nm3） 質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)名稱 標(biāo)準(zhǔn) 級(jí)別 標(biāo)準(zhǔn)值 污染物 SO2 NO2 TSP PM10 氟化物 HCl 《環(huán)境空氣質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)》 (GB30951996) 一級(jí) 標(biāo)準(zhǔn) 1 小時(shí)平均 ? ? ? 日平均 ? 年平均 ? ? 二級(jí) 標(biāo)準(zhǔn) 1 小時(shí)平均 ? ? ? 日平均 ? 年平均 ? ? 《工業(yè)企業(yè)設(shè)計(jì)衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)》（ TJ3679） ? 一次 ? ? ? ? ? ? 日均 ? ? ? ? ? （ 2）地表水 地表水 岷江廠址段上下游 執(zhí)行《地表水環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)》（ GB38382020） Ⅲ類標(biāo)準(zhǔn)， 標(biāo)準(zhǔn)值見表 163。 表 167 大氣 污染物排放 標(biāo)準(zhǔn) （ mg/Nm3） 污染物 最高允許 排放濃度 mg/m3 排氣筒 高度 m 排放速率 kg/h 無組織監(jiān)控 濃度限值 mg/m3 備注 SO2 550 15 GB162971996 表 2 中二級(jí) 30 15 40 25 NOX（以 NO2 計(jì)） 240 15 30 40 顆粒物 120 15 20 30 23 HCl 100 15 20 30 HF（參照氟化物標(biāo)準(zhǔn)） 15 30 40 表 168鍋爐大氣污染物排放標(biāo)準(zhǔn) 鍋爐類別 煙塵 煙氣黑度 SO2 NOX 燃?xì)忮仩t 燃?xì)? 10 Ⅰ 100 400 169 工業(yè)爐窯大氣污染物排放標(biāo)準(zhǔn) 爐窯類別 煙塵 加熱爐 非金屬加熱爐 200 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書 北京京誠嘉宇環(huán)境科技有限公司 更多環(huán)評(píng)報(bào)告書、工程師考試資料來自 環(huán)境技術(shù)論壇 ： 12 （ 2）水污染物 本項(xiàng)目生產(chǎn)過程中排出的工藝污水先進(jìn)入廠區(qū)的污水處理站，處理達(dá)標(biāo)后通過 白灘堰排入岷 江 。 表 1611 噪聲評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn) 標(biāo)準(zhǔn)名稱和類別 噪聲限值（ dB） 晝間 夜間 《 工業(yè)企業(yè)廠界噪聲標(biāo)準(zhǔn) 》（ GB1234890） Ⅲ 類標(biāo)準(zhǔn) 65 55 《建筑施工廠界噪聲限值》（ GB1252390） 6585 55 控制標(biāo)準(zhǔn) （ 1） 固體廢物執(zhí)行 《危險(xiǎn)廢物鑒別標(biāo)準(zhǔn)》（ ～ 31996）、 《一般工業(yè)固體廢物貯存、處置場(chǎng)污染控制標(biāo)準(zhǔn)》 （ GB185992020） 及《 危險(xiǎn)廢物貯存污染控制標(biāo)準(zhǔn) 》 （ GB125252020） ； （ 2）《環(huán)境保護(hù)圖 形標(biāo)志排放口（源）》（ ）； （ 3）《環(huán)境保護(hù)圖形標(biāo)志 固體廢物貯存（處置）場(chǎng)》（ ） （ 4） 重大危險(xiǎn)源識(shí)別采用《重大危險(xiǎn)源辯識(shí)》 GB182182020。 、規(guī)格及用途 多晶硅 (Si，產(chǎn)品 ) 性質(zhì) 多晶硅 具 灰色金屬光澤 ， 熔點(diǎn) 1410℃ 、 沸點(diǎn) 2355℃ 、 密度 ～ ，溶于氫氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和鹽酸 。太陽能級(jí)多晶硅純度介于冶金級(jí)硅與電子級(jí)硅之間，至今未有明確界定。是 電子工業(yè)中廣泛用于制造半導(dǎo)體收音機(jī)、錄音機(jī)、電冰箱、彩電、錄像機(jī)、電子計(jì)算機(jī)等的基礎(chǔ)材料 。 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書 北京京誠嘉宇環(huán)境科技有限公司 更多環(huán)評(píng)報(bào)告書、工程師考試資料來自 環(huán)境技術(shù)論壇 ： 16 規(guī)格 四氯化硅 (高沸物 ) 工業(yè)級(jí) 含 SiCl4 ≥ 95% 產(chǎn)品 用途 用于制硅酸酯類、有機(jī)硅單體、有機(jī)硅油、高溫絕緣材料、硅樹脂、硅橡膠等，也用作煙幕劑 。 本項(xiàng)目多晶硅生產(chǎn)裝置以及配套的公用工程和 輔助設(shè)施詳見表 241。儲(chǔ)運(yùn)設(shè)施、維修、污水處理站、渣場(chǎng) 廢水、無組織廢氣、固廢、噪聲 四 辦公及生活 設(shè)施 簡(jiǎn)本 國(guó)家環(huán)境保護(hù)總局環(huán)境發(fā)展中心 17 、工藝流程及產(chǎn)污分析 工藝技術(shù)方案 目前國(guó)際上多晶硅生產(chǎn)工藝有 70%以上均采用改良西門子法，如：德國(guó)WACKER 公司、美國(guó) HSC 公司、日本德山、三菱、住友公司、意大利 MEMC公司、國(guó)內(nèi)的洛陽中硅集團(tuán)、峨嵋半導(dǎo)體材料廠以及新光硅業(yè)科技公司的 1260噸 /年多 晶硅裝置等的生產(chǎn)工藝均屬此類，均經(jīng)由三氯氫硅的氫還原反應(yīng)獲得多晶硅產(chǎn)品。如：德山曹達(dá)的熔融析出法（ VLD 工藝），采用筒狀反應(yīng)爐，析出液體狀硅；瓦克的沸騰床法，采用 FBR 型反應(yīng)器，生成粒狀硅等等，但這些工藝均尚處于研究或試驗(yàn)階段。國(guó)內(nèi)技術(shù)整體上還不很成熟，原料和公用工程（電等）消耗較高，但軟件費(fèi)用低；俄羅斯 技術(shù)，原料和公用工程消耗比國(guó)內(nèi)技術(shù)略低，在國(guó)內(nèi)已有在建裝置；美國(guó)公司的生產(chǎn)技術(shù)先進(jìn)，也較為成熟，消耗比國(guó)內(nèi)技術(shù)低，但軟件費(fèi)用相當(dāng)昂貴，而且還有出口限制等問題。 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書 還原尾氣干法分離工序 還原尾氣干法分離的原理和流程與三氯氫硅合成氣干法分離工序十分類似。 硅芯制備工序 硅芯制備過程中，需要用氫氟酸和硝酸對(duì)硅芯進(jìn)行腐蝕處理，再用超純水洗凈硅芯，然后對(duì)硅芯進(jìn)行干燥。 含有 NaCl、 Na2SiO3 的出塔底洗滌液用泵送入工藝廢料處理工序。濾渣（主要為樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書 B．Ⅱ類廢液處理 來自硅芯制備工序和產(chǎn)品整理工序的廢氫氟酸和廢硝酸，用堿液中和，生成的氟化鈉和硝酸鈉溶液，進(jìn)行蒸發(fā)、濃縮和結(jié)晶。除氧后的氫氣通過一組吸附干燥器而被干燥。 三氯氫硅合成工序 原料硅粉經(jīng)吊運(yùn)，通過硅粉下料斗而被卸入硅粉接收料斗。 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書 出合成爐頂部挾帶有硅粉的合成氣，經(jīng)三級(jí)旋風(fēng)除塵器組成的干法除塵系統(tǒng)除去部分硅粉后，送入濕法除塵系統(tǒng)，被四氯化硅液體洗滌，氣體中的部分細(xì)小硅塵被洗下；洗滌同時(shí)，通入濕氫氣與氣體接觸，氣體所含部分金屬氧化物發(fā)生水解而被除去。氣體中的大部份氯硅烷被冷凝并混入洗滌液中。氫氣流經(jīng)氫氣緩沖罐，然后返回氯化氫合成工序參與合成氯化氫的反應(yīng)。 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書 塔頂排出不凝氣體和部分二氯二氫硅，送往廢氣處理工序進(jìn)行處理；塔頂餾出液為含有低沸點(diǎn)和高沸點(diǎn)雜質(zhì)的三氯氫硅冷凝液，依靠壓差送入 2 級(jí)精餾塔；塔釜得到含雜質(zhì)的四氯化硅，用泵送四氯化硅回收塔進(jìn)行處理。 3 級(jí)精餾目的是脫除三氯氫硅中的低沸點(diǎn)雜質(zhì)。 3 級(jí)釜液送入 4級(jí)精餾塔中部。 從 5 級(jí)塔頂餾出的三氯氫硅，在 6 級(jí)精餾塔進(jìn)行最終脫除三氯氫硅中的高沸點(diǎn)雜質(zhì)的過程。 還原氯硅烷冷凝液經(jīng) 7 級(jí)進(jìn)料預(yù)熱器進(jìn)入 7 級(jí)精餾塔。塔底釜液是含有高沸點(diǎn)餾份 的三氯氫硅，用泵送至二級(jí)三氯氫硅槽。 9 級(jí)精餾塔塔頂餾出的三氯氫硅在 10 級(jí)精餾塔中脫除高沸點(diǎn)雜質(zhì)。塔頂餾出物是精制的循環(huán)四氯化硅，經(jīng)分析符合質(zhì)量要求后，用泵送去四氯化硅加氫工序。在還原爐內(nèi)通電的熾熱硅芯 /硅棒的表面，三氯氫硅發(fā)生氫還原反應(yīng)，生成硅 沉積下來，使硅芯 /硅棒的直徑逐漸變大，直至達(dá)到規(guī)定的尺寸。出爐筒夾套的高溫?zé)崴屯鶡崮芑厥展ば?，?jīng)廢熱鍋爐生產(chǎn)水蒸汽而降溫后，循環(huán)回本工序各還原爐夾套使用。 四氯化硅氫化工序 經(jīng)氯硅烷分離提純工序精制的四氯化硅，送入本工序的四氯化硅汽化器，被熱水加熱汽化。出氫化爐的含有三氯氫硅、氯化氫和未反應(yīng)的四氯化硅、氫氣的混合氣體，送往氫化氣干法分離工序。 氫化氣干法分離的原理和流程與三氯氫硅合成氣干法分離工序十分類似。 從合成氣干法分離工序、還原尾氣干法分離工序、氫化氣干法分離工序分離得到的氯硅烷液體，分別送入原料、還原、氫化氯硅烷貯槽，然后氯硅烷液體分別作為原料送至氯硅烷分離提純工序 的不同精餾塔。酸腐蝕處理過程中會(huì)有氟化氫和氮氧化物氣體逸出至空氣中，故用風(fēng)機(jī)通過 罩于酸腐蝕處理槽上方的風(fēng)罩抽吸含氟化氫和氮氧化物的空氣，然后將該氣體送往吸附裝置進(jìn)行處理，達(dá)標(biāo)排放。經(jīng)檢測(cè)達(dá)到規(guī)定的質(zhì)量指標(biāo)的塊狀多晶硅產(chǎn)品送去包裝。 B．殘液處理 從氯硅烷分離提純工序中排除的殘液主要含有四氯化硅和聚氯硅烷化合物的液體以及裝置停車放凈的氯硅烷液體送到本工序加以處理。 從槽頂逸出的氣體，引入尾氣處理塔。濾液主要為 NaCL 溶液，進(jìn)行蒸發(fā)、濃縮和結(jié)晶。 簡(jiǎn)本 國(guó)家環(huán)境保護(hù)總局環(huán)境發(fā)展中心 28 NaOH 溶液），結(jié)晶固體氟化鈉和硝酸鈉等 外售或填埋。其中生產(chǎn)、生活污水經(jīng) 處理后排放，假定清凈下水直接排放 ； 主要廢水污染物為 SS、 COD、鹽等 。 多晶硅裝置 固體廢物排放狀況 見表 263。 表 264 噪聲產(chǎn)生狀況 裝置 名稱 序號(hào) 噪聲源名稱 聲源強(qiáng)度dB(A) 工作特性 消聲措施 消聲后聲壓級(jí) dB(A) 公用工程 1 空氣分離裝置 100 連續(xù) 消聲器及隔音操作室 85 2 冷凍機(jī) 100 間斷 消聲器及隔音操作室 85 3 空壓機(jī) 100 連續(xù) 消聲器及隔音操作室 85 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書 —104?！?9。規(guī)劃的開發(fā)區(qū)東到大佛保護(hù)區(qū)，隔岷江與大佛遙遙相望；距大佛約 4km，北臨大渡河，通過大渡河橋連接幣區(qū)，南至樂山森林公園，西到臺(tái)地邊沿。 地形地貌 樂山市區(qū)域南北長(zhǎng) ，東西寬 164km；幅員面積為 12826 km178。境內(nèi)最高處是峨邊縣的馬鞍山主峰，海拔 4288m，最低處是犍為縣境內(nèi)的岷江出境處，海拔 307m，境內(nèi)高差懸殊。占全市面積的 %。 工程地質(zhì) 樂山市地質(zhì)構(gòu)造屬中、新生界地質(zhì)年代；地表層以下為紅砂頁巖，由粘土與紅砂膠結(jié)而成。粘土呈硬塑狀，承載力標(biāo)準(zhǔn)值 180～ 300kPa，該涂成為較好的持力土層，適宜選作天然地基持力層。 樂山市區(qū)內(nèi)最大地震為里氏 ，烈度為 6度。 簡(jiǎn)本 國(guó)家環(huán)境保護(hù)總局環(huán)境發(fā)展中心 33 樂山市市中區(qū)主導(dǎo)風(fēng)向?yàn)?N 風(fēng)，次主導(dǎo)風(fēng)向?yàn)?NW 風(fēng)，多年平均風(fēng)速為，靜風(fēng)頻率 38%。/s，最大洪峰流量為 10000m179。 青衣江，又名雅河，也是岷江的主要支流之一，發(fā)源于寶興縣巴郎山、夾金山麓，流經(jīng)樂山市夾江縣，在樂山市中心城區(qū)西面的水口鄉(xiāng)草鞋渡與大渡河匯合后注入岷江。最枯流量 179。岷江樂山段全長(zhǎng) 263km，河流落差 137m，平均比降 ?，多年平均流量為 470～ 2700m179。 白灘堰 是 在大渡河右岸安谷鎮(zhèn)境內(nèi)高山村大漩沱后壩引水，引水量為，工程灌溉網(wǎng)絡(luò)及形成干渠 ，支渠 6 條 27km，斗渠 154km，承擔(dān)著市中區(qū)安谷鎮(zhèn)、車子鎮(zhèn)、五通橋區(qū)冠英鎮(zhèn) 共 萬余畝農(nóng)田灌溉。廠址一帶地形北高南低，存在自然沖溝，暴雨有匯流出口，故廠址一帶不受內(nèi)澇樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)