【正文】 域的環(huán)境功能及環(huán)境總體控制目標(biāo)， 確定環(huán)境空氣保護(hù)目標(biāo)為評(píng)價(jià)區(qū)域內(nèi) 居民點(diǎn)、樂(lè)山市區(qū)、 樂(lè)山大佛風(fēng)景名勝區(qū) ，地表水環(huán)境保 護(hù) 目標(biāo)為 岷江 ，地下水保護(hù)目標(biāo)為廠址所在區(qū)域地下水環(huán)境 ，主要保護(hù)目標(biāo)及功能要求見(jiàn)表 151，分布位置見(jiàn)圖 151。 （ 3） 聲 環(huán)境 評(píng)價(jià)工作等級(jí)和評(píng)價(jià)范圍 ① 評(píng)價(jià)等級(jí) 根據(jù)《環(huán)境影響評(píng)價(jià)技術(shù)導(dǎo)則－聲環(huán)境》（ HJ/）劃分，項(xiàng)目廠址屬于 樂(lè)山高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū) ， 廠界 聲環(huán)境執(zhí)行 3 類標(biāo)準(zhǔn)， 項(xiàng)目建成后 距離聲環(huán)境保護(hù)目標(biāo)較遠(yuǎn) ， 因此確定噪聲評(píng)價(jià)等級(jí)為三 級(jí)。 ② 評(píng)價(jià)范圍 環(huán)境 風(fēng)險(xiǎn) 評(píng)價(jià)范圍是以 廠址 中心 為原點(diǎn) ，半徑為 5km 的圍成的區(qū)域 ，見(jiàn)圖151。具體標(biāo)準(zhǔn)值見(jiàn)表 1610。冶金用硅是硅的氧化物在電弧爐中被碳還原而成，一般純度為 97～ %，最高可達(dá) %以上。 四氯化硅 (SiCl4，副產(chǎn)物 ) 性質(zhì) 四氯化硅 無(wú)色透明發(fā)煙液體 ， 具有難聞的窒息性氣味 。 3000t/a太陽(yáng)能 級(jí)多晶硅裝 置 包括：三氯氫硅合成、合成氣干法分離、氯硅烷分離提純、三氯氫硅氫還原、還原尾氣干法分離、四氯化硅氫化、氫化氣干法分離、氯硅烷貯存、硅芯制備、產(chǎn)品整理、廢氣和殘液處理、工藝廢料處理 揚(yáng)塵、廢水、建渣、機(jī)械噪聲 廢氣、廢水、固廢、噪聲 二 公用工程 與經(jīng)由三氯氫硅反應(yīng)的改良西門(mén)子法相比，該方法對(duì)生產(chǎn)的安全性要求及總生產(chǎn)成本均更高，故此法采用不多，其技術(shù)的改進(jìn)和提高還在研究中。本可研，暫按引進(jìn) 技術(shù)結(jié)合國(guó)內(nèi) 技術(shù)考慮。該工藝可以保證制備高純的用于多晶硅生產(chǎn)的三氯氫硅和四氯化硅（用于氫化）。 簡(jiǎn)本 國(guó)家環(huán)境保護(hù)總局環(huán)境發(fā)展中心 20 產(chǎn)品整理工序 用氫氟酸和硝酸對(duì)塊狀多晶硅進(jìn)行腐蝕處理，再用超純水洗凈多晶硅塊，然后對(duì)多晶硅 塊進(jìn)行干燥。濾液主要為 NaCl 溶液，進(jìn)行蒸發(fā)、濃縮和結(jié)晶。 電解制得的氧氣經(jīng)冷卻、分離液體后，送入氧氣貯罐。反應(yīng)大量放熱。 出噴淋洗滌塔塔頂除去了大部分氯硅烷的氣體，用混合氣壓縮機(jī)壓縮并經(jīng)冷凍降溫后，送入氯化氫吸收塔，被從氯化氫解析塔底部送來(lái) 的經(jīng)冷凍降溫的氯硅烷液體洗滌，氣體中絕大部分的氯化氫被氯硅烷吸收，氣體中殘留的大部分氯硅烷也被洗滌冷凝下來(lái)。原料氯硅烷液體、還原氯硅烷液體和氫化氯硅烷液體分別用泵抽出，送入氯硅烷分離提純工序的不同精餾塔中。塔頂餾出含有二氯硅烷和三氯氫硅的冷凝液，靠位差流至二級(jí)三氯氫硅槽；塔底釜液為三氯氫硅，用泵送入 4 級(jí)精餾塔。塔底釜液為含高沸樂(lè)山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書(shū) 塔頂?shù)酿s出物是三氯氫硅，連續(xù)送往 10 級(jí)精餾塔，進(jìn)行進(jìn)一步精餾。 三氯氫硅氫還原工序 經(jīng)氯硅烷分離提純工序精制的三氯氫硅，送入本工序的三氯氫硅汽化器，被熱水加熱汽化；從還原尾氣干法分離工序返回的循環(huán)氫氣流經(jīng)氫氣緩沖罐后，也通入汽化器內(nèi)，與三氯氫硅蒸汽形成一定比例的混合氣體。 還原尾氣干法分離的原理和流程與三氯氫硅合成氣干法分離工序十分類似。出爐筒夾套的高溫?zé)崴屯鶡崮芑厥展ば颍?jīng)廢熱鍋爐生產(chǎn)水蒸汽而降溫后，循環(huán)回本工序各氫化爐夾套使用。 硅芯制備工序 采用區(qū)熔爐拉制與切割并用的技術(shù)，加工制備還原爐初始生產(chǎn)時(shí)需安裝于爐內(nèi)的導(dǎo)電硅芯。 簡(jiǎn)本 國(guó)家環(huán)境保護(hù)總局環(huán)境發(fā)展中心 27 廢氣和殘液處理工序 A．廢氣凈化 氯硅烷分離提純工序各精餾塔頂排放的含氯硅烷、氮?dú)獾膹U氣，及含氯硅烷、氫氣、氮?dú)?、氯化氫的多晶硅還原爐置換吹掃氣和多晶硅還原爐事故排放氣等，被送進(jìn)尾氣洗滌塔 (此塔一開(kāi)一備 )，用 10%NaOH 溶液洗滌，廢氣中的氯硅烷（以SiHCl3 為例）和氯化氫與 NaOH 發(fā)生以下反應(yīng)而被除去： SiHCl3+3H2O=H2SiO3+3HCl+H2 H2SiO3+2NaOH=Na2SiO3+ 2H2O HCl+NaOH=NaCl+H2O 廢氣經(jīng)液封罐放空。 工 藝廢料處理工序 A．Ⅰ類廢液處理 來(lái)自氯化氫合成工序的廢酸、液氯汽化工序的廢堿、廢氣殘液處理工序和廢硅粉處理的廢液等在此工序進(jìn)行混合、中和后，經(jīng)過(guò)壓濾機(jī)過(guò)濾。 多晶硅項(xiàng)目有組織廢氣污染源狀況見(jiàn)表 261。 簡(jiǎn)本 國(guó)家環(huán)境保護(hù)總局環(huán)境發(fā)展中心 30 表 263（ a） 固體廢物排放狀況 裝置名稱 序號(hào) 固廢來(lái)源及名稱 組成及特 性數(shù)據(jù) 排放 規(guī)律 排放量 排放方式 及去向 多 晶 硅 1 廢硅粉 Si 間斷 200t/a 送渣場(chǎng)堆存 2 廢石渣及污泥 主要成分： CaF2 含水 80% 間斷 2310t/a 壓濾后送渣場(chǎng)堆存 表 263(b) 固體廢物排放狀況 裝置 名稱 序號(hào) 排放源 廢 液 名稱 產(chǎn)生 量 (t/h) 污染物組成 (wt) 排放特性 排放方式 及去向 溫度 (℃ ) 壓力 (Pa) 規(guī)律 多晶硅 1 提純工序 精餾殘液 466 含氯硅烷 常溫 常壓 連續(xù) NaOH 中和后送工藝廢料處理工序(Ⅰ 類廢液 ) 2 廢氣處理工序 尾氣淋洗塔 洗滌液 SiO2 ％ NaCl ％ H2O ％ 常溫 常壓 連續(xù) 送工藝廢料處理工序 (Ⅰ 類廢液 ) 3 產(chǎn)品后處理和硅 芯制備工序 酸洗廢酸 1270t/a HF 10% HNO3 90% 常溫 常壓 間斷 石灰乳中和后送工藝廢料處理工序 (Ⅱ 類廢液 ) 噪聲 主要產(chǎn)噪設(shè)備為機(jī)泵、壓縮機(jī)和放空管 ，均采用了消聲、隔聲等措施。北緯 28。規(guī)劃的開(kāi)發(fā)區(qū)背山面水，東臨大佛風(fēng)景保護(hù)區(qū)，花團(tuán)錦簇，微波粼粼，環(huán)境優(yōu)美，是一處投資環(huán)境極佳的經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)。；占全市面積的 %，丘陵面積 178。 廠址區(qū)域的巖土工程地質(zhì)特征： ① 第四系全新統(tǒng)洪坡殘積物，為黃色粘土及卵礫，厚度小于 1～ 2m，該層一般不宜選作持力土層。 氣候特 征 樂(lè)山市氣候溫和濕潤(rùn)，雨量充沛；四季分明，屬中亞熱帶季風(fēng)濕潤(rùn)氣候區(qū)；年平均氣溫 ℃，極端最高氣溫 ℃，極端最低低溫 ℃，常年最低氣溫在 0℃以上；多年平均氣壓 百帕；全年無(wú)霜日達(dá) 333 天；年最大降雨量為1650mm(1975 年），年最小降雨量為 ，年均降雨量 ，最大日降雨量 ；年均蒸發(fā)量 900mm，最小蒸發(fā)量 450mm；平均相對(duì)濕度 81%；全年日照時(shí)數(shù)為 小時(shí)。/s，水位 。 岷江發(fā)源于青海省和川西北的岷山山脈，經(jīng)四 川省眉山地區(qū)青神縣入境，由市中區(qū)東北面進(jìn)樂(lè)山，在樂(lè)山市中心城區(qū)肖公咀與大渡河、青衣江匯合。區(qū)域 20 年一遇洪水水位高程為 ～ ； 50 年一遇洪水水位高程為～ 。/s，洪峰主位 ，最枯流量 179。/s，最大洪峰流量為 18700m179。 大渡河是岷江的主要支流， 發(fā)源于牟尼芒山和 工來(lái)邛崍 山脈， 從樂(lè)山 市峨邊縣西來(lái)，在樂(lè)山市中心城區(qū)南面的肖公咀匯入岷江。據(jù)地形及巖土性質(zhì)分析：上部粘土及粘土家卵石土屬隔水層，底部巖石屬孔隙裂隙弱含水層，單井最大涌水量100～ 240m179。 簡(jiǎn)本 國(guó)家環(huán)境保護(hù)總局環(huán)境發(fā)展中心 32 車(chē)子鄉(xiāng)地形主要以平壩和淺丘陵為主，平壩占 29%，丘陵占 39%，另有部分灘涂河流。 丘陵 主要分布在東北部和東南部，平原集中在沿江兩岸。之間，行政區(qū)面積 。 樂(lè)山市 北連成都平原，西接川南山地、東及東南跨川中丘陵 ，其東鄰自貢與宜賓市，南靠涼山彝族自治州，西連雅安市，北接眉山市， 市域地理座標(biāo)在東經(jīng) 102。 樂(lè)山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書(shū) B．Ⅱ類廢液處理 來(lái)自硅芯制備工序和產(chǎn)品整理工序的廢氫氟酸和廢硝酸，用堿液中和，生成的氟化鈉和硝酸鈉溶液，進(jìn)行蒸發(fā)、濃縮和結(jié)晶。然后用氮?dú)鈱⒁后w壓出，送進(jìn)灌注有10%堿液的殘液處理槽。用氫氟酸和硝酸對(duì)塊狀多晶硅進(jìn)行腐蝕處理，再用超純水洗凈多晶硅塊，然后對(duì)多晶硅塊進(jìn)行干燥。 簡(jiǎn)本 國(guó)家環(huán)境保護(hù)總局環(huán)境發(fā)展中心 26 變溫變壓吸附器出口得到的高純度氫氣，流經(jīng)氫氣緩沖罐后，返回四氯化硅氫化工序參與四氯化硅的氫化反應(yīng)；吸附再生的廢氣送往廢氣處理工序進(jìn)行處理；從氯化氫解析塔頂部 得到提純的氯化氫氣體，送往放置于三氯氫硅合成工序的循環(huán)氯化氫緩沖罐；從氯化氫解析塔底部引出的多余的氯硅烷液體（即從氫化氣中分離出的氯硅烷），送入氯硅烷貯存工序的氫化氯硅烷貯槽。 從四氯化硅汽化器來(lái)的四氯化硅與氫氣的混合氣體，送入氫化爐內(nèi)。 還原爐爐筒夾套通入熱水，以移除爐內(nèi)熾熱硅芯向爐筒內(nèi)壁輻射的熱量，維樂(lè)山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書(shū) 塔底釜液是含有高沸點(diǎn)餾份的三氯氫硅，用泵送至二級(jí)三氯氫硅槽。 8 級(jí)精餾塔用于還原氯硅烷中高沸點(diǎn)雜質(zhì)的脫除。 5 級(jí)塔頂餾出的三氯氫硅冷凝液送入五級(jí)冷凝液槽，一個(gè)貯槽注滿后分析三氯氫硅是否符合工業(yè)級(jí)三氯氫硅對(duì)雜質(zhì)含量的要求，在分析有效的情況下，工業(yè)級(jí)精制的三氯氫硅從貯槽靠位差流至 8 級(jí)精餾塔。 2 級(jí)精餾為雙系列生產(chǎn)線。 出氯化氫吸收塔底溶解有氯化氫氣體的氯硅烷經(jīng)加熱后，與從噴淋洗滌塔底來(lái)的多余的氯硅烷匯合，然后送入氯化氫解析塔中部，通過(guò)減壓蒸餾操作，在塔頂?shù)玫教峒兊穆然瘹錃怏w。 合成氣干法分離工序 從三氯氫硅氫合成工序來(lái)的合成氣在此工序被分離成氯硅烷液體、氫氣和氯化氫氣體，分別循環(huán)回裝置使用。供應(yīng)料斗內(nèi)的硅粉用安裝于料斗底部的星型供料機(jī)送入三氯氫硅合成爐進(jìn)料管。 在對(duì)廢棄的酸洗溶液和處理石灰乳液時(shí)產(chǎn)生的污水進(jìn)行混勻時(shí)發(fā)生的礦物酸中和伴隨著下列方應(yīng)： OHN a N OH N ON a O H 233 ??? OHC a FOHCaHF 222 2)(2 ??? OHNOCaOHCaH N O 22323 2)()(2 ??? OHC a S OOHCaSOH 24242 2)( ??? 工藝流程及產(chǎn)污分析 氫氣制備與凈化工序 在電解槽內(nèi)經(jīng)電解脫鹽水制得氫氣。 水解和中和反應(yīng) 224423 32532 HC a C lS i OHOHC a OS i H C l ????? 24424 322 C a C lS i OHOHC a OS i C l ???? 224426 3253 HC a C lS i OHOHC a OS i C l ????? 244262 6486 C a C lS i OHOHC a OO C lSi ???? 經(jīng)過(guò)規(guī)定時(shí)間的處理，用泵從槽底抽出含 H4SiO NaCl H4SiO Na2SiO3的液體，送往工藝廢料處理工序。 H C lS iH ClHS iCl ??? 324 氫化氣干法分離工序 從四氯化硅氫化工序來(lái)的氫化氣經(jīng)此工序被分離成氯硅烷液體、氫氣和氯化氫氣體，分別循環(huán)回裝置使用。 同時(shí)，生成硅的高氯化物的副反應(yīng)，生成 SinCl2n+2系的聚氯硅烷及 SinHmCl(2n+2)m類型的衍生物。故本項(xiàng)目 1500 噸 /年電路級(jí)多晶硅裝置采用改良西門(mén)子法生產(chǎn)多晶硅。本項(xiàng)目定員約 人。熔點(diǎn) ℃、 沸點(diǎn) 33℃、 相對(duì)密度 ， 溶解性 能溶 于二硫化碳、四氯化碳、氯仿、苯等。 樂(lè)山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書(shū) 北京京誠(chéng)嘉宇環(huán)境科技有限公司 更多環(huán)評(píng)報(bào)告書(shū)、工程師考試資料來(lái)自 環(huán)境技術(shù)論壇 ： 15 規(guī)格 本項(xiàng)目多晶硅產(chǎn)品的規(guī)格和質(zhì)量指標(biāo)見(jiàn)表 231。 樂(lè)山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書(shū) 北京京誠(chéng)嘉宇環(huán)境科技有限公司 更多環(huán)評(píng)報(bào)告書(shū)、工程師考試資料來(lái)自 環(huán)境技術(shù)論壇 ： 14 、地點(diǎn)和建設(shè)性質(zhì) 項(xiàng)目名稱： 樂(lè)山高新區(qū) 3000t/a 多晶硅項(xiàng)目 項(xiàng)目性質(zhì)：新建 建設(shè)地點(diǎn)：樂(lè)山高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)建業(yè) 大道以南，樂(lè)高大道和茶山路之間。 表 164 地下水質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn) （ mg/L， pH 除外） 序號(hào) 項(xiàng)目 Ⅲ 類標(biāo)準(zhǔn)限值 序號(hào) 項(xiàng)目 Ⅲ 類標(biāo)準(zhǔn)限值 1 pH ～ 6 亞硝酸鹽氮 ≤ 2 總硬度 ≤ 450 7 氨氮 ≤ 3 溶解性總固體 ≤ 1000 8 氟化物 ≤ 4 高錳酸鹽指數(shù) ≤ 9 氰化物 ≤ 5 硝酸鹽氮 ≤ 20 10 硫酸鹽 ≤ 250 （ 4）聲環(huán)境 廠址區(qū)域 聲環(huán)境 現(xiàn)狀執(zhí)行 《城市區(qū)域環(huán)境噪聲標(biāo)準(zhǔn)》（ GB309693） 3 類 標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)準(zhǔn)值 見(jiàn)表 165。 從本項(xiàng)目生產(chǎn)過(guò)程分析，重大危險(xiǎn)源主要為物料的貯存場(chǎng)所，生產(chǎn)場(chǎng)所包括罐區(qū)。 按《關(guān)于樂(lè)山市地面水水域環(huán)境功能類別的規(guī)定的通知》 ，評(píng)價(jià)河段屬 Ⅲ 類水體， 確定本項(xiàng)目地面水環(huán)境影響評(píng)價(jià)為三級(jí)。 規(guī)劃文本 （ 1）《 樂(lè)山市環(huán)境保護(hù)“十一五”規(guī)劃 》（初稿）， 樂(lè)山市環(huán)境保護(hù)局，2020 年 10 月 ； （ 2） 《 樂(lè)山高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)控制性詳細(xì)規(guī)劃（修編） 》， 西南交通大學(xué)建筑勘察設(shè)計(jì)研究院， 2020 年 9 月； （ 3） 《樂(lè)山城市總體規(guī)劃》（ 2020－ 2020），上海同濟(jì)城市規(guī)劃設(shè)計(jì)研究院， 2020 年 10 月； （ 4） 《樂(lè)山市國(guó)民經(jīng)濟(jì)河社會(huì)發(fā)展第十一個(gè)五年計(jì)劃》，樂(lè)山市發(fā)展和改革委員會(huì)， 2020