【正文】 年 2 月； （ 5） 《四川省樂(lè)山市土地利用 總體規(guī)劃》，四川省樂(lè)山市人民政府， 1999年 9 月 ； （ 6） 《 樂(lè)山大佛風(fēng)景名勝區(qū)總體規(guī)劃 》（ 2020）， 四川省城鄉(xiāng)規(guī)劃設(shè)計(jì)研究院 。樂(lè)山市高新區(qū) 3000t/a 多晶硅項(xiàng)目，是樂(lè)山培育硅材料產(chǎn)業(yè)集群和打造硅材料百億園區(qū)的重大項(xiàng)目，市委、市政府對(duì)此高度重視，專(zhuān)門(mén)成立了硅材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展工作領(lǐng)導(dǎo)小組，全力做好協(xié)調(diào)服務(wù)工作。樂(lè)山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書(shū) 北京京誠(chéng)嘉宇環(huán)境科技有限公司 更多環(huán)評(píng)報(bào)告書(shū)、工程師考試資料來(lái)自 環(huán)境技術(shù)論壇 ： 1 太陽(yáng)能級(jí)多晶硅能有效利用太陽(yáng)能，太陽(yáng)能做為一種清潔能源，對(duì)我國(guó)可持續(xù)發(fā)展意義重大， 2020 年 3 月中華人民共和國(guó)主席令 33 號(hào)正式頒布了《中華人民共和國(guó)可再生能源法》 明確指出了國(guó)家發(fā)展可再生能源， 為了鼓勵(lì)國(guó)家新能源產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，國(guó)家發(fā)改委高計(jì) [2020]509 號(hào)文件要求組織實(shí)施可再生能源和新能源高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化，明確要求解決我國(guó)太陽(yáng)能電池用多晶硅原料生產(chǎn)和光伏產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展不平衡的問(wèn)題。 樂(lè)山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書(shū) 北京京誠(chéng)嘉宇環(huán)境科技有限公司 更多環(huán)評(píng)報(bào)告書(shū)、工程師考試資料來(lái)自 環(huán)境技術(shù)論壇 ： 2 根據(jù)《中華人民共和國(guó)環(huán)境保護(hù)法》、《中華人民共和國(guó)環(huán)境影響評(píng)價(jià)法》、國(guó)務(wù)院 [1998]253 號(hào)令《建設(shè)項(xiàng)目環(huán)境保護(hù)管理?xiàng)l例》等有關(guān)規(guī)定，在項(xiàng)目前期可行性研究階段，需進(jìn)行環(huán)境影響評(píng)價(jià)工作，為此，樂(lè)山高新區(qū)管委會(huì)于 2020年 7 月委托國(guó)家環(huán)境保護(hù)總局環(huán)境發(fā)展中心承擔(dān)該項(xiàng)目的環(huán)境影響評(píng)價(jià)工作。 、原則 評(píng)價(jià)目的 根據(jù)項(xiàng)目的性質(zhì)和特點(diǎn)，結(jié)合項(xiàng)目所處地區(qū)的環(huán)境特征和污染特征，分析預(yù)測(cè)項(xiàng)目建成后對(duì)周?chē)h(huán)境可能造成的影響及影響范圍和程度；提出避免和減少對(duì)環(huán)境污染的措施；從環(huán)保的角度論證項(xiàng)目建設(shè)的可行性；為工程設(shè)計(jì)和項(xiàng)目建成后的環(huán)境管理提供基礎(chǔ)資料，為環(huán)境保護(hù)審批提供依據(jù)，以實(shí)現(xiàn)建設(shè)項(xiàng)目的環(huán)境效益、社會(huì)效益、經(jīng)濟(jì)效益的統(tǒng)一。 地下水：本項(xiàng)目所在區(qū)域地下水屬于《地下水質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)》 GB/T1484893 的Ⅲ類(lèi)地區(qū)，本項(xiàng)目 評(píng)價(jià) 將在場(chǎng)地及周?chē)鷧^(qū)域地下水的現(xiàn)狀水質(zhì)、水文地質(zhì)特征等調(diào)查、分析基礎(chǔ)上，結(jié)合項(xiàng)目特點(diǎn)， 對(duì)地下水的影響只進(jìn)行簡(jiǎn)要分析 ， 提出防止地下水污染的措施建議。依據(jù)本項(xiàng)目的危險(xiǎn)特性和使用及貯存數(shù)量，生產(chǎn)場(chǎng)所和貯存場(chǎng)所為該項(xiàng)目的主要重大危險(xiǎn)源，尤其是罐區(qū)的貯存量遠(yuǎn)大于重大危險(xiǎn)源辯識(shí)中危險(xiǎn)物質(zhì)的臨界量。 樂(lè)山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書(shū) 北京京誠(chéng)嘉宇環(huán)境科技有限公司 更多環(huán)評(píng)報(bào)告書(shū)、工程師考試資料來(lái)自 環(huán)境技術(shù)論壇 ： 11 表 165 噪聲評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn) 功能區(qū)類(lèi)型 執(zhí)行的標(biāo)準(zhǔn)和級(jí)別 標(biāo)準(zhǔn)值 [dB(A)] 晝間 夜間 環(huán)境噪聲 《城市區(qū)域環(huán)境噪聲標(biāo)準(zhǔn)》 （ GB309693） 3 類(lèi) 65 55 污染物排放標(biāo)準(zhǔn) （ 1）大氣污染物 本項(xiàng)目生產(chǎn)中排放的廢氣執(zhí)行《大氣污染物綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》 （ GB162971996）表 2 新污染源二級(jí)排放標(biāo)準(zhǔn)，鍋爐執(zhí)行《鍋爐大氣污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》（ GB132172020） 中Ⅱ時(shí)段標(biāo)準(zhǔn)，導(dǎo)熱油加熱爐執(zhí)行《工業(yè)爐窯大氣污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》表 2 二級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)準(zhǔn)值見(jiàn)表 167～ 表 169。 、產(chǎn)品方案及年操作時(shí)間 建設(shè)規(guī)模 多晶硅裝置 3000 噸 /年 產(chǎn)品方案 主產(chǎn)品 3000 噸 /年電路級(jí)多晶硅 副產(chǎn)物 四氯化硅（高沸物，工業(yè)級(jí)，含 SiCl4 ≥ 95%） 三氯氫硅（低沸物，工業(yè)級(jí)，含 SiHCl3 ≥ 94%） 年操作時(shí)間 本項(xiàng)目年操作時(shí)間 7440 小時(shí)。 表 231 多晶硅產(chǎn)品規(guī)格和質(zhì)量指標(biāo) 指標(biāo)名稱(chēng) 產(chǎn)品規(guī)格及質(zhì)量指標(biāo) Si % w(太陽(yáng)能級(jí) ) 受主水平 N3000Ω .cm 施主水平 P300Ω .c B 含量 ≤ w P 含量 ≤ C 含量 ≤ 100ppb 體內(nèi)金屬含量 w (Fe 、 Cu、 Zn、 Cr、 Ni) 形態(tài) 表面無(wú)氧化夾雜物，呈銀灰色，帶有金屬光澤， 表面金屬雜質(zhì)含量 ： Fe a/ w Cu a/ w Ni a/ w Cr a/ w Zn a/ w Na a/ w 產(chǎn)品 用途 多晶硅材料是以金屬硅為原料經(jīng)一系列的物理化學(xué)反應(yīng)提純后達(dá)到一定純度的硅材料，是硅產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)鏈中的一個(gè)極為重要的中間產(chǎn)品 。 規(guī)格 三氯氫硅 (低沸物 ) 工業(yè)級(jí) 含 SiHCl3 ≥ 94% 產(chǎn)品 用途 用作高分子有機(jī)硅化合物的原料， 也是生產(chǎn)半導(dǎo)體硅、單晶硅的原料 。 廢水、固 廢 樂(lè)山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書(shū) 目前國(guó)內(nèi)采用改良西門(mén)子法生產(chǎn)多晶硅的技術(shù)來(lái)源，主要有國(guó)內(nèi)自有技術(shù)、引進(jìn)俄羅斯技術(shù)和引進(jìn) 歐洲 (德國(guó)、意大利等國(guó) )技術(shù) 、 引進(jìn)美國(guó) GT 公司、 DEI公司技術(shù)等。 主反應(yīng)： 233 HS iH C lH C lSi ??? 24 24 HS iC lH C lSi ??? 副反應(yīng) 262 362 HClSiH C lSi ??? 252 252 HH C lSiH C lSi ??? 合成氣干法分離工序 經(jīng)三級(jí)旋風(fēng)除塵器組成的干法除塵系統(tǒng)除去部分硅粉 ， 經(jīng)低溫氯硅烷液體洗滌、分離成氯硅烷液體、氫氣和氯化氫氣體，分別循環(huán)回裝置使用 。氫化氣干法分離的原理和流程與三氯氫硅合成氣干法分離工序十分類(lèi)似。 工藝廢料處理工序 A．Ⅰ類(lèi)廢液處理 來(lái)自氯化氫合成工序的廢酸、液氯汽化工序的廢堿、廢氣殘液處理工序和廢硅粉處理 的廢液等在此工序進(jìn)行混合、中和后，經(jīng)過(guò)壓濾機(jī)過(guò)濾。電解制得的氫氣經(jīng)過(guò)冷卻、分離液體后，進(jìn)入除氧器，在催化劑的作用下，氫氣中的微量氧氣與氫氣反應(yīng)生成水而被除去。 從氯化氫合成工序來(lái)的氯化氫氣，與從循環(huán)氯化氫緩沖罐送來(lái)的循環(huán)氯化氫氣混合后，引入三氯氫硅合成爐進(jìn)料管，將從硅粉供應(yīng)料斗供入管內(nèi)的硅粉挾帶并輸送，從 底部進(jìn)入三氯氫硅合成爐。 三氯氫硅合成氣流經(jīng)混合氣緩沖罐，然后進(jìn)入噴淋洗滌塔，被塔頂流下的低溫氯硅烷液體洗滌。出塔氯 化氫氣體流經(jīng)氯化氫緩沖罐，然后送至設(shè)置于三氯氫硅合成工序的循環(huán)氯化氫緩沖罐；塔底除去了氯化氫而得到再生的氯硅烷液體，大部分經(jīng)冷卻、冷凍降溫后，送回氯化氫吸收塔用作吸收劑，多余的氯硅烷液體（即從三氯氫硅合成氣中分離出的氯硅烷），經(jīng)冷卻后送往氯硅烷貯存工序的原料氯硅烷貯槽。 2 級(jí)精餾塔塔頂排出不凝氣體同樣送往廢氣處理工序進(jìn)行處理；塔頂餾出三氯氫硅冷凝液，依靠壓差送入沉淀槽；塔釜含懸浮物的釜液，用泵送至四氯化硅回收塔進(jìn)行處理。 4 級(jí)、5 級(jí)塔釜排出的含有高沸點(diǎn)雜質(zhì)的三氯氫硅，用泵送入二級(jí)三氯氫硅槽。塔頂餾出物是精制的循環(huán)三氯氫硅，送入 8 級(jí)冷凝液槽，經(jīng)分析符合質(zhì)量要求后，精制三氯氫硅靠位差循環(huán)回多晶硅制取工序。 11 級(jí)精餾塔的進(jìn)料為 9 級(jí)精餾塔釜液 。 簡(jiǎn)本 國(guó)家環(huán)境保護(hù)總局環(huán)境發(fā)展中心 25 持爐筒內(nèi)壁的溫度。在氫化爐內(nèi)通電的熾熱電極表面附近，發(fā)生四氯化硅的氫化反應(yīng)，生成三氯氫硅，同時(shí)生成氯化氫。 氯硅烷貯存工序 本工序設(shè)置以下貯槽： 100m3 氯硅烷貯槽、 100m3 工業(yè)級(jí)三氯氫硅貯槽、100m3 工業(yè)級(jí)四氯化硅貯槽、 50 m3 氯硅烷緊急排放槽等。酸腐蝕處理過(guò)程中會(huì)有氟化氫和氮氧化物氣體逸出至空氣中，故用風(fēng)機(jī)通過(guò)罩于酸腐蝕處理槽上方的風(fēng)罩抽吸含氟化氫和氮氧化物的空氣，然后將該氣體送往吸附裝置進(jìn)行處理，達(dá)標(biāo)排放。通過(guò)不停地?cái)嚢?，廢液中的氯硅烷與 NaOH 和水發(fā)生反應(yīng)而被轉(zhuǎn)化成無(wú)害的物質(zhì)。蒸發(fā)冷凝液循環(huán)利用（配置樂(lè)山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書(shū) 簡(jiǎn)本 國(guó)家環(huán)境保護(hù)總局環(huán)境發(fā)展中心 29 表 262 廢 水 排放 一覽表 裝置 名稱(chēng) 序號(hào) 排放源 廢水 名稱(chēng) 排放量 (t/h) 污染物組成 (wt) 排放特性 排放方式 及去向 溫度 (℃ ) 壓力 (Pa) 規(guī)律 多晶硅 1 產(chǎn)品后處理和 硅芯制備工序 水洗廢水 10(平均 ) 22(最大 ) HF 和 HNO3 常溫 常壓 間斷 經(jīng)廠污水處理站處理達(dá)標(biāo)后至廠總排口 2 工藝廢料處理工序 (Ⅰ 類(lèi)廢液 ) 蒸發(fā)冷凝 液 1 常溫 常壓 連續(xù) 回用，不外排 裝置區(qū) 3 設(shè)備、地坪沖洗、 分析化驗(yàn) 廢水 6 COD、 pH7 常溫 常壓 間斷 經(jīng)廠污水處理站處理達(dá)標(biāo)后至廠總排口 公用工程及輔助設(shè)施 4 循環(huán)水系統(tǒng) 排水 100 COD 60mg/L SS 40mg/L 常溫 常壓 連續(xù) 直接排至廠區(qū)凈下水管網(wǎng) 5 脫鹽水 /高純水站 中和池 排水 28 COD 60mg/L SS 40mg/L pH 69 常溫 常壓 連續(xù) 直接排至廠區(qū)凈下水管網(wǎng) 6 廠內(nèi) 生活 設(shè)施 生活污水 5 COD 400mg/L BOD5 100mg/L SS 250mg/L NH3N 35mg/L 常溫 常壓 間斷 經(jīng)廠污水處理站處理達(dá)標(biāo)后至廠總排口 7 污水處理站 排水 21 （平均） pH 6~9 COD ≤ 100mg/L BOD5≤ 20mg/L SS ≤ 70mg/L NH3N≤ 15mg/L 氟化物 ≤ 10mg/L 常溫 常壓 連續(xù) 達(dá)標(biāo)排放 總 量 本 項(xiàng) 目 外 排 廢水量 149t/h(平均 ) 其 中：污 水 21t/h 送 廠污水處理站處理達(dá)標(biāo)后至廠總排口 ；假定 清凈下水 128 t/h 直 接排放 固廢 主要固體廢 棄物為原料制備和 SiHCl3 合成工序產(chǎn)生的硅粉、工藝廢料處理工序產(chǎn)生的 NaCl 和 SiO2固體廢物、酸洗廢液處理工序產(chǎn)生的 Ca(NO3)2/CaF2固體廢物。 5039。 樂(lè)山高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)位于樂(lè)山市市中區(qū)南部，大渡河南岸，岷江西岸。整個(gè)地勢(shì)由西北、西南向東南、東北傾斜，呈西南高、東北低。擬建廠址地處大渡河南岸的淺丘地帶，由于車(chē)子鄉(xiāng)地處大渡河、青衣江、岷江三江匯流處，地質(zhì)屬心沖積土壤，廠址范圍內(nèi)屬淺丘臺(tái)地地形，北高南低，地勢(shì)較平緩，標(biāo)高在 390～ 408m，相對(duì)高差 18m，在鷹嘴村的東西兩側(cè)發(fā)育有兩條近南北走向的充溝，切割深度達(dá) 15～ 30m，地形相對(duì)較陡；廠 區(qū)北部因受大渡河沖刷，岸坡地形陡峻，標(biāo)高 362～ 400m，高差 38m。/d，地下水埋深在 25m 以下，故地下水對(duì)建筑物施工及使用均無(wú)影響。大渡河樂(lè)山段全長(zhǎng) 140km，河流落差 340m，平均比降為 ?，多年平均流量為 1438m179。/s，洪峰水位 。/s，水位 。白灘堰有小型發(fā)電站 2 座，從惠安村漁龍村交界處流出，貫穿樂(lè)山高新區(qū)，最后流入岷江。/s，水位 。/s，洪峰水位 ；最枯流量 179。建筑設(shè)防烈度為 7度。北部平壩上層為第四系全新泛洪沖積層，下層基巖為中生界，白堊系夾關(guān)組紫紅、磚紅色長(zhǎng)石石英砂巖 、夾粉砂巖及沙質(zhì)粘土巖，河岸有基巖出露， 為中生界白堊系夾關(guān)組底層，地質(zhì)穩(wěn)定，地質(zhì)條件好。市域地貌有山地、丘陵、平壩三種類(lèi)型 ，以山地為主， 其中山 地面積 178。開(kāi)發(fā)區(qū)規(guī)劃面積 ，其中包括車(chē)子鄉(xiāng)的茶山村、魚(yú)農(nóng)村、惠安村、白墻村及安谷鎮(zhèn)的龍口村、雙水村、鄭明村、英雄村的部分村社，東西向平均寬 ，南北向平均長(zhǎng) 。 1439。 樂(lè)山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書(shū) 狀況分析 廢氣 廢氣主要為正常時(shí)廢氣處理工序尾氣、產(chǎn)品后處理和硅芯制備工序酸性廢氣等，主要廢氣污染物為 HCl、 NOx、氯硅烷 、 HF 等 。 經(jīng)過(guò)規(guī)定時(shí)間的處理，用泵從槽底抽出含 H4SiO NaCl H4SiO Na2SiO3的液體，送往工藝廢料處理工序。 樂(lè)山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書(shū) 在氯硅烷分離提純工序 3 級(jí)精餾塔頂部得到的三氯氫硅、二氯二氫硅的混合液體，在 5 級(jí)精餾塔底得到的三氯氫硅液體，及在 10 級(jí)精餾塔底得到的三氯氫硅液體，送至工業(yè)級(jí)三氯氫硅貯槽，液體在槽內(nèi)混合后作為工業(yè)級(jí)三氯氫硅產(chǎn)品外售。 氫化爐的爐筒夾套通入熱水， 以移除爐內(nèi)熾熱電極向爐筒內(nèi)壁輻射的熱量，維持爐筒內(nèi)壁的溫度。 還原尾氣干法分離工序 從三氯氫硅氫還原工序來(lái)的還原尾氣經(jīng)此工序被分離成氯硅烷液體、氫氣和氯化氫 氣體，分別循環(huán)回裝置使用。塔底釜液是含有高沸點(diǎn)雜質(zhì)的四氯化硅，送往氯硅烷貯存工序的工業(yè)級(jí)四氯化硅貯槽。 四氯化硅氫化后的氯硅烷冷凝液，經(jīng) 9 級(jí)進(jìn)料預(yù)熱器連續(xù)送入 9 級(jí)精餾塔。 6 級(jí)塔頂餾出物為去除了高、低沸點(diǎn)雜質(zhì)的精制三氯氫 硅，分析符合多晶硅生產(chǎn)的質(zhì)量要求后，靠位差流至多晶硅制取工序。三氯氫硅清液經(jīng)三級(jí)進(jìn)料預(yù)熱器后，進(jìn)入 3 級(jí)精餾塔中部。 簡(jiǎn)本 國(guó)家環(huán)境保護(hù)總局環(huán)境發(fā)展中心 23 氯硅烷分離提純工序 在三氯氫硅合成工序生成，經(jīng)合成氣干法分離工序分離出來(lái)的氯硅烷液體送入氯硅