【正文】 3的液體，送往工藝廢料處理工序。供應料斗內的硅粉用安裝于料斗底部的星型供料機送入三氯氫硅合成爐進料管。 出氯化氫吸收塔底溶解有氯化氫氣體的氯硅烷經(jīng)加熱后，與從噴淋洗滌塔底來的多余的氯硅烷匯合，然后送入氯化氫解析塔中部，通過減壓蒸餾操作，在塔頂?shù)玫教峒兊穆然瘹錃怏w。 5 級塔頂餾出的三氯氫硅冷凝液送入五級冷凝液槽，一個貯槽注滿后分析三氯氫硅是否符合工業(yè)級三氯氫硅對雜質含量的要求，在分析有效的情況下，工業(yè)級精制的三氯氫硅從貯槽靠位差流至 8 級精餾塔。塔底釜液是含有高沸點餾份的三氯氫硅，用泵送至二級三氯氫硅槽。 從四氯化硅汽化器來的四氯化硅與氫氣的混合氣體，送入氫化爐內。用氫氟酸和硝酸對塊狀多晶硅進行腐蝕處理，再用超純水洗凈多晶硅塊，然后對多晶硅塊進行干燥。 B．Ⅱ類廢液處理 來自硅芯制備工序和產品整理工序的廢氫氟酸和廢硝酸，用堿液中和，生成的氟化鈉和硝酸鈉溶液，進行蒸發(fā)、濃縮和結晶。 樂山市 北連成都平原，西接川南山地、東及東南跨川中丘陵 ，其東鄰自貢與宜賓市，南靠涼山彝族自治州，西連雅安市，北接眉山市， 市域地理座標在東經(jīng) 102。 丘陵 主要分布在東北部和東南部，平原集中在沿江兩岸。據(jù)地形及巖土性質分析：上部粘土及粘土家卵石土屬隔水層，底部巖石屬孔隙裂隙弱含水層，單井最大涌水量100～ 240m179。/s，最大洪峰流量為 18700m179。區(qū)域 20 年一遇洪水水位高程為 ～ ； 50 年一遇洪水水位高程為～ 。/s，水位 。 廠址區(qū)域的巖土工程地質特征： ① 第四系全新統(tǒng)洪坡殘積物，為黃色粘土及卵礫，厚度小于 1～ 2m，該層一般不宜選作持力土層。規(guī)劃的開發(fā)區(qū)背山面水，東臨大佛風景保護區(qū)，花團錦簇，微波粼粼，環(huán)境優(yōu)美，是一處投資環(huán)境極佳的經(jīng)濟開發(fā)區(qū)。 簡本 國家環(huán)境保護總局環(huán)境發(fā)展中心 30 表 263（ a） 固體廢物排放狀況 裝置名稱 序號 固廢來源及名稱 組成及特 性數(shù)據(jù) 排放 規(guī)律 排放量 排放方式 及去向 多 晶 硅 1 廢硅粉 Si 間斷 200t/a 送渣場堆存 2 廢石渣及污泥 主要成分： CaF2 含水 80% 間斷 2310t/a 壓濾后送渣場堆存 表 263(b) 固體廢物排放狀況 裝置 名稱 序號 排放源 廢 液 名稱 產生 量 (t/h) 污染物組成 (wt) 排放特性 排放方式 及去向 溫度 (℃ ) 壓力 (Pa) 規(guī)律 多晶硅 1 提純工序 精餾殘液 466 含氯硅烷 常溫 常壓 連續(xù) NaOH 中和后送工藝廢料處理工序(Ⅰ 類廢液 ) 2 廢氣處理工序 尾氣淋洗塔 洗滌液 SiO2 ％ NaCl ％ H2O ％ 常溫 常壓 連續(xù) 送工藝廢料處理工序 (Ⅰ 類廢液 ) 3 產品后處理和硅 芯制備工序 酸洗廢酸 1270t/a HF 10% HNO3 90% 常溫 常壓 間斷 石灰乳中和后送工藝廢料處理工序 (Ⅱ 類廢液 ) 噪聲 主要產噪設備為機泵、壓縮機和放空管 ，均采用了消聲、隔聲等措施。 工 藝廢料處理工序 A．Ⅰ類廢液處理 來自氯化氫合成工序的廢酸、液氯汽化工序的廢堿、廢氣殘液處理工序和廢硅粉處理的廢液等在此工序進行混合、中和后，經(jīng)過壓濾機過濾。 硅芯制備工序 采用區(qū)熔爐拉制與切割并用的技術，加工制備還原爐初始生產時需安裝于爐內的導電硅芯。 還原尾氣干法分離的原理和流程與三氯氫硅合成氣干法分離工序十分類似。塔頂?shù)酿s出物是三氯氫硅，連續(xù)送往 10 級精餾塔，進行進一步精餾。塔頂餾出含有二氯硅烷和三氯氫硅的冷凝液，靠位差流至二級三氯氫硅槽；塔底釜液為三氯氫硅，用泵送入 4 級精餾塔。 出噴淋洗滌塔塔頂除去了大部分氯硅烷的氣體，用混合氣壓縮機壓縮并經(jīng)冷凍降溫后，送入氯化氫吸收塔，被從氯化氫解析塔底部送來 的經(jīng)冷凍降溫的氯硅烷液體洗滌，氣體中絕大部分的氯化氫被氯硅烷吸收，氣體中殘留的大部分氯硅烷也被洗滌冷凝下來。 電解制得的氧氣經(jīng)冷卻、分離液體后，送入氧氣貯罐。 簡本 國家環(huán)境保護總局環(huán)境發(fā)展中心 20 產品整理工序 用氫氟酸和硝酸對塊狀多晶硅進行腐蝕處理，再用超純水洗凈多晶硅塊，然后對多晶硅 塊進行干燥。本可研，暫按引進 技術結合國內 技術考慮。 3000t/a太陽能 級多晶硅裝 置 包括：三氯氫硅合成、合成氣干法分離、氯硅烷分離提純、三氯氫硅氫還原、還原尾氣干法分離、四氯化硅氫化、氫化氣干法分離、氯硅烷貯存、硅芯制備、產品整理、廢氣和殘液處理、工藝廢料處理 揚塵、廢水、建渣、機械噪聲 廢氣、廢水、固廢、噪聲 二 公用工程 冶金用硅是硅的氧化物在電弧爐中被碳還原而成，一般純度為 97～ %，最高可達 %以上。 ② 評價范圍 環(huán)境 風險 評價范圍是以 廠址 中心 為原點 ，半徑為 5km 的圍成的區(qū)域 ，見圖151。 表 141 項目評價因子一覽表 評價要素 評價類型 評價因子 環(huán)境空氣 污染源調查 煙塵、 SO2 環(huán)境現(xiàn)狀 SO NO PM TSP、 HCL 和 氟化物 環(huán)境影響 HCL、氟化物、 NO2和硅粉塵 總量控制 硅粉塵、 HCL（特征污染物） 風險評價 HCL、氟化物 地表水 污染源調查 CODcr、氨氮、 SS 環(huán)境現(xiàn)狀 pH、水溫、 溶解氧 、 高錳酸鉀指數(shù) 、 生化需氧量 、 化學需氧量 、氨氮 、 石油類 、 揮發(fā)酚 、 氟化物 、 氯化物 環(huán)境影響 廢水進入 污水處理廠 可行性分析 總量控制 CODcr 聲環(huán)境 現(xiàn)狀及影響 連續(xù)等效聲級 dB(A) 固體廢物 固廢影響 工業(yè)性固體廢物產生量、處置量和處置方式 主要環(huán)境 控制及 保護目標 根據(jù)現(xiàn)場調查，結合本項目 排污特征和所在區(qū)域的環(huán)境功能及環(huán)境總體控制目標， 確定環(huán)境空氣保護目標為評價區(qū)域內 居民點、樂山市區(qū)、 樂山大佛風景名勝區(qū) ，地表水環(huán)境保 護 目標為 岷江 ，地下水保護目標為廠址所在區(qū)域地下水環(huán)境 ，主要保護目標及功能要求見表 151，分布位置見圖 151。 我國多晶硅無論是技術水平還是生產規(guī)模上均與世界先進水平有很大的差距，產量僅占世界總產量的 %～ %，目前主要依賴進口，在缺少國內競爭的條件下，進口多晶硅價格一直居高不下，嚴重影響了我國信 息產業(yè)和太陽能利用的發(fā)展，因此，本項目建設可提高我國多晶硅的生產能力，不僅對企業(yè)發(fā)展起重要作用，也對我國信息產業(yè)和太陽能利用的發(fā)展起到積極的推動作用。 技術導則 與 規(guī)范 （ 1） 《環(huán)境影響評價技術導則 總綱》 （ HJ/） ，國家環(huán)境保護局； （ 2） 《環(huán)境影響評價技術導則 大氣環(huán)境》 （ HJ/） ，國家環(huán)境保護局； （ 3）《環(huán)境影響評價技術導則 地面水環(huán)境》 （ HJ/） ，國家環(huán)境保護局； （ 4） 《環(huán)境影響評價技術導則 聲環(huán)境》 （ HJ/） ，國家環(huán)境保護局； （ 5） 《環(huán)境影響評價技術導則 非污染生態(tài)影響》 （ HJ/T191997） ，國家環(huán)境保護局 ； （ 6）《建設項目環(huán)境風險評價技術導則》（ HJ/T1692020），國家環(huán)境保護總樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項目 環(huán)境影響報告書 北京京誠嘉宇環(huán)境科技有限公司 更多環(huán)評報告書、工程師考試資料來自 環(huán)境技術論壇 ： 4 局； （ 7） 《環(huán)境影響評價技術導則 石油化工建設項目 》 （ HJ/T892020） ，國家環(huán)境保護局； （ 8） 《環(huán)境影響評價公眾參與暫行辦法》 （ 環(huán)發(fā) 2020[28]號 ）， 國家 環(huán)境保護 總局。 ② 評價范圍 廠界外 1m。 表 1610 污水綜合排放標準 （ mg/L， pH 除外） 項目 標準值 備注 pH(無量綱 ) 6～ 9 《污水綜合排放標準》GB89781996 一級標準 SS 70 CODcr 100 氨氮 15 BOD5 20 石油類 5 氟化物 10 （ 3）噪聲 廠界執(zhí)行《 工業(yè)企業(yè)廠界噪聲標準 》（ GB 1234890） Ⅲ 類標準，施工噪聲《建筑施工廠界噪聲限值》 （ GB1252390）標準 ，標準值 見表 1611。 熔點 70℃、 沸點 ℃、 相對密度 ， 可與苯、乙醚、氯仿、石油醚、四氯化碳、四氯化錫、四氯化鈦、一氯及二氯化硫以任何比例混溶 。 隨著光伏產業(yè)的飛速發(fā)展，太陽能級多晶硅的需求迅速增長，新一代低成本多晶硅工藝技術的研究空前活躍。 氯硅烷的冷凝物輸往其深度凈化單元，主要 有 ： ● 將主體組分進行分離 （ 三氯氫硅，四氯化硅及聚氯硅烷 ） ● 將三氯氫硅中的雜質形態(tài)穩(wěn)定化 ● 將低沸點的雜質和高沸點的雜質從三氯氫硅中進行深度清除 ● 清除四氯化硅中的高沸點雜質 ● 將聚氯硅烷和固體顆粒濃縮 ● 將氫還原和氫化設備中的冷凝物進行分離和提純 三氯氫硅氫還原工序 在原始方形硅芯棒上沉積多晶硅。蒸發(fā)冷凝液循環(huán)利用（配置 NaOH 溶液），結晶固體氯化鈉等外售或填埋。合成爐外壁設置有水夾套，通過夾套內水帶走熱量維持爐壁的溫度。 從原料氯硅烷貯槽送來的原料氯硅烷液體經(jīng)預熱器預熱后，從中部送入 1 級精餾塔，進行除去低沸物的精餾操作。 簡本 國家環(huán)境保護總局環(huán)境發(fā)展中心 24 點雜質的三氯氫硅，用泵送至二級三氯氫硅槽。 從三氯氫硅汽化器來的三氯氫硅與氫氣的混合氣體，送入還原爐內。 氫化氣干法分離工序 從四氯化硅氫化工序來的氫化氣經(jīng)此工序被分離成氯硅烷液體、氫氣和氯化氫氣體，分別循環(huán)回裝置使用。 含有 NaCl、 Na2SiO3 的出 塔底洗滌液用泵送入工藝廢料處理工序。 表 261 廢氣排放狀況 裝置 名稱 序號 排放源 廢氣 名稱 排放量 (Nm3/h) 污染物組成 (vol) 排放特性 排放方式 及去向 溫度 (℃ ) 壓力 (Pa) 規(guī)律 多 晶 硅 1 硅塵除塵系統(tǒng) 排氣 5000 硅塵 20mg/m3 () 常溫 常壓 間斷 排空 (H=15m φ =) 2 廢氣處理工序 尾氣洗滌塔 排氣 200 (正常 ) 3000 (最大 ) HCl 97mg/m3 () H2 95~5% N2 5~95% 氯硅烷 微量 常 溫 微正壓 連續(xù) 排空 (H=15m φ =) 3 廢氣處理工序酸性廢氣處理塔 排氣 ~20200 HF () NOX () 常 溫 微正壓 連續(xù) 排空 (H=15m φ =) 4 開工導 熱油加熱爐 煙氣 6000 (最大 ) SO2 ≤ 50mg/m3 NO2 ≤ 350mg/m3 煙塵 ≤ 10mg/m3 250 常壓 間斷 (開車時 ) 排空 (H=20m φ =) 無組織排放 硅塵 ()、 HCl ()、 () 注：生產時 間 7440小時 /年 廢水 廢水主要為正常時產品后處理和硅芯制備工序水洗廢水、裝置區(qū)設備 /地坪沖洗水、生活污水，以及循環(huán)水、脫鹽水系統(tǒng)排出的假定清凈下水。 2539。占全市面積的 %，平壩面積 178。 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項目 環(huán)境影響報告書 其流域面積廣、水量充沛。/s,最大洪峰流量為 15100m179。 地表水系 樂山市地表水資源十分豐富，三條主要河流環(huán)繞市區(qū)，東臨岷江，西靠青衣江（雅河），南面有大渡河 ，樂山市地表水系分布見圖 312。 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項目 環(huán)境影響報告書 2339。 多晶硅 項目廢水排放狀況 見表 262。 需要處理的液體被送入殘液收集槽。從樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項目 環(huán)境影響報告書 氫還原反應同時生成二氯二氫硅、四氯化硅、氯化氫和氫氣，與未反應的三氯氫硅和氫氣一起送出還原爐，經(jīng)還原尾氣冷卻器用循環(huán)冷卻水冷卻后，直接送往還原尾氣干法分離工序。塔頂餾出物為三氯氫硅，靠位差流至 8 級精餾塔；塔底釜液為四氯化硅，經(jīng)分析符合質量要求后，用泵將其部分送去四氯化硅加氫，部分送往氯硅烷貯存工序的工業(yè)級四氯化硅貯槽。 2 級精餾塔為反應精餾， 是通過用濕潤的氮對三氯氫硅處理，把其中易于水解的雜質化合物轉化成難于揮發(fā)的形態(tài)，以便用精餾的方法除去。除去了硅粉而被凈化的混 合氣體送往合成氣干法分離工序。蒸發(fā)冷凝液循環(huán)利用（配置NaOH 溶液），結晶固體氟化鈣和硝酸鈉等外售或填埋。 四氯化硅氫化工序 在三氯氫硅的氫還原過程中生成四氯化硅，在將后者冷凝和 脫除三氯氫 硅之后進行熱氫化，轉化為三氯氫硅 。 工藝技術路線的確定 從以上所述多晶硅生產的主要工藝技術的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢來看，改良西門子工藝能夠兼容電子級和太陽能級多晶硅的生產，以其技術成熟、適合產業(yè)化生產等特點，仍是目前多晶硅生產普遍采用的首選工藝。 三氯氫硅 (SiHCl3，副產物 ) 性質