【正文】 3的液體，送往工藝廢料處理工序。供應(yīng)料斗內(nèi)的硅粉用安裝于料斗底部的星型供料機(jī)送入三氯氫硅合成爐進(jìn)料管。 出氯化氫吸收塔底溶解有氯化氫氣體的氯硅烷經(jīng)加熱后，與從噴淋洗滌塔底來(lái)的多余的氯硅烷匯合，然后送入氯化氫解析塔中部，通過減壓蒸餾操作，在塔頂?shù)玫教峒兊穆然瘹錃怏w。 5 級(jí)塔頂餾出的三氯氫硅冷凝液送入五級(jí)冷凝液槽，一個(gè)貯槽注滿后分析三氯氫硅是否符合工業(yè)級(jí)三氯氫硅對(duì)雜質(zhì)含量的要求，在分析有效的情況下，工業(yè)級(jí)精制的三氯氫硅從貯槽靠位差流至 8 級(jí)精餾塔。塔底釜液是含有高沸點(diǎn)餾份的三氯氫硅，用泵送至二級(jí)三氯氫硅槽。 從四氯化硅汽化器來(lái)的四氯化硅與氫氣的混合氣體，送入氫化爐內(nèi)。用氫氟酸和硝酸對(duì)塊狀多晶硅進(jìn)行腐蝕處理，再用超純水洗凈多晶硅塊，然后對(duì)多晶硅塊進(jìn)行干燥。 B．Ⅱ類廢液處理 來(lái)自硅芯制備工序和產(chǎn)品整理工序的廢氫氟酸和廢硝酸，用堿液中和，生成的氟化鈉和硝酸鈉溶液，進(jìn)行蒸發(fā)、濃縮和結(jié)晶。 樂山市 北連成都平原，西接川南山地、東及東南跨川中丘陵 ，其東鄰自貢與宜賓市，南靠涼山彝族自治州，西連雅安市，北接眉山市， 市域地理座標(biāo)在東經(jīng) 102。 丘陵 主要分布在東北部和東南部，平原集中在沿江兩岸。據(jù)地形及巖土性質(zhì)分析：上部粘土及粘土家卵石土屬隔水層，底部巖石屬孔隙裂隙弱含水層，單井最大涌水量100～ 240m179。/s，最大洪峰流量為 18700m179。區(qū)域 20 年一遇洪水水位高程為 ～ ； 50 年一遇洪水水位高程為～ 。/s，水位 。 廠址區(qū)域的巖土工程地質(zhì)特征： ① 第四系全新統(tǒng)洪坡殘積物，為黃色粘土及卵礫，厚度小于 1～ 2m，該層一般不宜選作持力土層。規(guī)劃的開發(fā)區(qū)背山面水，東臨大佛風(fēng)景保護(hù)區(qū)，花團(tuán)錦簇，微波粼粼，環(huán)境優(yōu)美，是一處投資環(huán)境極佳的經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)。 簡(jiǎn)本 國(guó)家環(huán)境保護(hù)總局環(huán)境發(fā)展中心 30 表 263（ a） 固體廢物排放狀況 裝置名稱 序號(hào) 固廢來(lái)源及名稱 組成及特 性數(shù)據(jù) 排放 規(guī)律 排放量 排放方式 及去向 多 晶 硅 1 廢硅粉 Si 間斷 200t/a 送渣場(chǎng)堆存 2 廢石渣及污泥 主要成分： CaF2 含水 80% 間斷 2310t/a 壓濾后送渣場(chǎng)堆存 表 263(b) 固體廢物排放狀況 裝置 名稱 序號(hào) 排放源 廢 液 名稱 產(chǎn)生 量 (t/h) 污染物組成 (wt) 排放特性 排放方式 及去向 溫度 (℃ ) 壓力 (Pa) 規(guī)律 多晶硅 1 提純工序 精餾殘液 466 含氯硅烷 常溫 常壓 連續(xù) NaOH 中和后送工藝廢料處理工序(Ⅰ 類廢液 ) 2 廢氣處理工序 尾氣淋洗塔 洗滌液 SiO2 ％ NaCl ％ H2O ％ 常溫 常壓 連續(xù) 送工藝廢料處理工序 (Ⅰ 類廢液 ) 3 產(chǎn)品后處理和硅 芯制備工序 酸洗廢酸 1270t/a HF 10% HNO3 90% 常溫 常壓 間斷 石灰乳中和后送工藝廢料處理工序 (Ⅱ 類廢液 ) 噪聲 主要產(chǎn)噪設(shè)備為機(jī)泵、壓縮機(jī)和放空管 ，均采用了消聲、隔聲等措施。 工 藝廢料處理工序 A．Ⅰ類廢液處理 來(lái)自氯化氫合成工序的廢酸、液氯汽化工序的廢堿、廢氣殘液處理工序和廢硅粉處理的廢液等在此工序進(jìn)行混合、中和后，經(jīng)過壓濾機(jī)過濾。 硅芯制備工序 采用區(qū)熔爐拉制與切割并用的技術(shù)，加工制備還原爐初始生產(chǎn)時(shí)需安裝于爐內(nèi)的導(dǎo)電硅芯。 還原尾氣干法分離的原理和流程與三氯氫硅合成氣干法分離工序十分類似。塔頂?shù)酿s出物是三氯氫硅，連續(xù)送往 10 級(jí)精餾塔，進(jìn)行進(jìn)一步精餾。塔頂餾出含有二氯硅烷和三氯氫硅的冷凝液，靠位差流至二級(jí)三氯氫硅槽；塔底釜液為三氯氫硅，用泵送入 4 級(jí)精餾塔。 出噴淋洗滌塔塔頂除去了大部分氯硅烷的氣體，用混合氣壓縮機(jī)壓縮并經(jīng)冷凍降溫后，送入氯化氫吸收塔，被從氯化氫解析塔底部送來(lái) 的經(jīng)冷凍降溫的氯硅烷液體洗滌，氣體中絕大部分的氯化氫被氯硅烷吸收，氣體中殘留的大部分氯硅烷也被洗滌冷凝下來(lái)。 電解制得的氧氣經(jīng)冷卻、分離液體后，送入氧氣貯罐。 簡(jiǎn)本 國(guó)家環(huán)境保護(hù)總局環(huán)境發(fā)展中心 20 產(chǎn)品整理工序 用氫氟酸和硝酸對(duì)塊狀多晶硅進(jìn)行腐蝕處理，再用超純水洗凈多晶硅塊，然后對(duì)多晶硅 塊進(jìn)行干燥。本可研，暫按引進(jìn) 技術(shù)結(jié)合國(guó)內(nèi) 技術(shù)考慮。 3000t/a太陽(yáng)能 級(jí)多晶硅裝 置 包括：三氯氫硅合成、合成氣干法分離、氯硅烷分離提純、三氯氫硅氫還原、還原尾氣干法分離、四氯化硅氫化、氫化氣干法分離、氯硅烷貯存、硅芯制備、產(chǎn)品整理、廢氣和殘液處理、工藝廢料處理 揚(yáng)塵、廢水、建渣、機(jī)械噪聲 廢氣、廢水、固廢、噪聲 二 公用工程 冶金用硅是硅的氧化物在電弧爐中被碳還原而成，一般純度為 97～ %，最高可達(dá) %以上。 ② 評(píng)價(jià)范圍 環(huán)境 風(fēng)險(xiǎn) 評(píng)價(jià)范圍是以 廠址 中心 為原點(diǎn) ，半徑為 5km 的圍成的區(qū)域 ，見圖151。 表 141 項(xiàng)目評(píng)價(jià)因子一覽表 評(píng)價(jià)要素 評(píng)價(jià)類型 評(píng)價(jià)因子 環(huán)境空氣 污染源調(diào)查 煙塵、 SO2 環(huán)境現(xiàn)狀 SO NO PM TSP、 HCL 和 氟化物 環(huán)境影響 HCL、氟化物、 NO2和硅粉塵 總量控制 硅粉塵、 HCL（特征污染物） 風(fēng)險(xiǎn)評(píng)價(jià) HCL、氟化物 地表水 污染源調(diào)查 CODcr、氨氮、 SS 環(huán)境現(xiàn)狀 pH、水溫、 溶解氧 、 高錳酸鉀指數(shù) 、 生化需氧量 、 化學(xué)需氧量 、氨氮 、 石油類 、 揮發(fā)酚 、 氟化物 、 氯化物 環(huán)境影響 廢水進(jìn)入 污水處理廠 可行性分析 總量控制 CODcr 聲環(huán)境 現(xiàn)狀及影響 連續(xù)等效聲級(jí) dB(A) 固體廢物 固廢影響 工業(yè)性固體廢物產(chǎn)生量、處置量和處置方式 主要環(huán)境 控制及 保護(hù)目標(biāo) 根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)調(diào)查，結(jié)合本項(xiàng)目 排污特征和所在區(qū)域的環(huán)境功能及環(huán)境總體控制目標(biāo)， 確定環(huán)境空氣保護(hù)目標(biāo)為評(píng)價(jià)區(qū)域內(nèi) 居民點(diǎn)、樂山市區(qū)、 樂山大佛風(fēng)景名勝區(qū) ，地表水環(huán)境保 護(hù) 目標(biāo)為 岷江 ，地下水保護(hù)目標(biāo)為廠址所在區(qū)域地下水環(huán)境 ，主要保護(hù)目標(biāo)及功能要求見表 151，分布位置見圖 151。 我國(guó)多晶硅無(wú)論是技術(shù)水平還是生產(chǎn)規(guī)模上均與世界先進(jìn)水平有很大的差距，產(chǎn)量?jī)H占世界總產(chǎn)量的 %～ %，目前主要依賴進(jìn)口，在缺少國(guó)內(nèi)競(jìng)爭(zhēng)的條件下，進(jìn)口多晶硅價(jià)格一直居高不下，嚴(yán)重影響了我國(guó)信 息產(chǎn)業(yè)和太陽(yáng)能利用的發(fā)展，因此，本項(xiàng)目建設(shè)可提高我國(guó)多晶硅的生產(chǎn)能力，不僅對(duì)企業(yè)發(fā)展起重要作用，也對(duì)我國(guó)信息產(chǎn)業(yè)和太陽(yáng)能利用的發(fā)展起到積極的推動(dòng)作用。 技術(shù)導(dǎo)則 與 規(guī)范 （ 1） 《環(huán)境影響評(píng)價(jià)技術(shù)導(dǎo)則 總綱》 （ HJ/） ，國(guó)家環(huán)境保護(hù)局； （ 2） 《環(huán)境影響評(píng)價(jià)技術(shù)導(dǎo)則 大氣環(huán)境》 （ HJ/） ，國(guó)家環(huán)境保護(hù)局； （ 3）《環(huán)境影響評(píng)價(jià)技術(shù)導(dǎo)則 地面水環(huán)境》 （ HJ/） ，國(guó)家環(huán)境保護(hù)局； （ 4） 《環(huán)境影響評(píng)價(jià)技術(shù)導(dǎo)則 聲環(huán)境》 （ HJ/） ，國(guó)家環(huán)境保護(hù)局； （ 5） 《環(huán)境影響評(píng)價(jià)技術(shù)導(dǎo)則 非污染生態(tài)影響》 （ HJ/T191997） ，國(guó)家環(huán)境保護(hù)局 ； （ 6）《建設(shè)項(xiàng)目環(huán)境風(fēng)險(xiǎn)評(píng)價(jià)技術(shù)導(dǎo)則》（ HJ/T1692020），國(guó)家環(huán)境保護(hù)總樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書 北京京誠(chéng)嘉宇環(huán)境科技有限公司 更多環(huán)評(píng)報(bào)告書、工程師考試資料來(lái)自 環(huán)境技術(shù)論壇 ： 4 局； （ 7） 《環(huán)境影響評(píng)價(jià)技術(shù)導(dǎo)則 石油化工建設(shè)項(xiàng)目 》 （ HJ/T892020） ，國(guó)家環(huán)境保護(hù)局； （ 8） 《環(huán)境影響評(píng)價(jià)公眾參與暫行辦法》 （ 環(huán)發(fā) 2020[28]號(hào) ）， 國(guó)家 環(huán)境保護(hù) 總局。 ② 評(píng)價(jià)范圍 廠界外 1m。 表 1610 污水綜合排放標(biāo)準(zhǔn) （ mg/L， pH 除外） 項(xiàng)目 標(biāo)準(zhǔn)值 備注 pH(無(wú)量綱 ) 6～ 9 《污水綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》GB89781996 一級(jí)標(biāo)準(zhǔn) SS 70 CODcr 100 氨氮 15 BOD5 20 石油類 5 氟化物 10 （ 3）噪聲 廠界執(zhí)行《 工業(yè)企業(yè)廠界噪聲標(biāo)準(zhǔn) 》（ GB 1234890） Ⅲ 類標(biāo)準(zhǔn)，施工噪聲《建筑施工廠界噪聲限值》 （ GB1252390）標(biāo)準(zhǔn) ，標(biāo)準(zhǔn)值 見表 1611。 熔點(diǎn) 70℃、 沸點(diǎn) ℃、 相對(duì)密度 ， 可與苯、乙醚、氯仿、石油醚、四氯化碳、四氯化錫、四氯化鈦、一氯及二氯化硫以任何比例混溶 。 隨著光伏產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的需求迅速增長(zhǎng)，新一代低成本多晶硅工藝技術(shù)的研究空前活躍。 氯硅烷的冷凝物輸往其深度凈化單元，主要 有 ： ● 將主體組分進(jìn)行分離 （ 三氯氫硅，四氯化硅及聚氯硅烷 ） ● 將三氯氫硅中的雜質(zhì)形態(tài)穩(wěn)定化 ● 將低沸點(diǎn)的雜質(zhì)和高沸點(diǎn)的雜質(zhì)從三氯氫硅中進(jìn)行深度清除 ● 清除四氯化硅中的高沸點(diǎn)雜質(zhì) ● 將聚氯硅烷和固體顆粒濃縮 ● 將氫還原和氫化設(shè)備中的冷凝物進(jìn)行分離和提純 三氯氫硅氫還原工序 在原始方形硅芯棒上沉積多晶硅。蒸發(fā)冷凝液循環(huán)利用（配置 NaOH 溶液），結(jié)晶固體氯化鈉等外售或填埋。合成爐外壁設(shè)置有水夾套，通過夾套內(nèi)水帶走熱量維持爐壁的溫度。 從原料氯硅烷貯槽送來(lái)的原料氯硅烷液體經(jīng)預(yù)熱器預(yù)熱后，從中部送入 1 級(jí)精餾塔，進(jìn)行除去低沸物的精餾操作。 簡(jiǎn)本 國(guó)家環(huán)境保護(hù)總局環(huán)境發(fā)展中心 24 點(diǎn)雜質(zhì)的三氯氫硅，用泵送至二級(jí)三氯氫硅槽。 從三氯氫硅汽化器來(lái)的三氯氫硅與氫氣的混合氣體，送入還原爐內(nèi)。 氫化氣干法分離工序 從四氯化硅氫化工序來(lái)的氫化氣經(jīng)此工序被分離成氯硅烷液體、氫氣和氯化氫氣體，分別循環(huán)回裝置使用。 含有 NaCl、 Na2SiO3 的出 塔底洗滌液用泵送入工藝廢料處理工序。 表 261 廢氣排放狀況 裝置 名稱 序號(hào) 排放源 廢氣 名稱 排放量 (Nm3/h) 污染物組成 (vol) 排放特性 排放方式 及去向 溫度 (℃ ) 壓力 (Pa) 規(guī)律 多 晶 硅 1 硅塵除塵系統(tǒng) 排氣 5000 硅塵 20mg/m3 () 常溫 常壓 間斷 排空 (H=15m φ =) 2 廢氣處理工序 尾氣洗滌塔 排氣 200 (正常 ) 3000 (最大 ) HCl 97mg/m3 () H2 95~5% N2 5~95% 氯硅烷 微量 常 溫 微正壓 連續(xù) 排空 (H=15m φ =) 3 廢氣處理工序酸性廢氣處理塔 排氣 ~20200 HF () NOX () 常 溫 微正壓 連續(xù) 排空 (H=15m φ =) 4 開工導(dǎo) 熱油加熱爐 煙氣 6000 (最大 ) SO2 ≤ 50mg/m3 NO2 ≤ 350mg/m3 煙塵 ≤ 10mg/m3 250 常壓 間斷 (開車時(shí) ) 排空 (H=20m φ =) 無(wú)組織排放 硅塵 ()、 HCl ()、 () 注：生產(chǎn)時(shí) 間 7440小時(shí) /年 廢水 廢水主要為正常時(shí)產(chǎn)品后處理和硅芯制備工序水洗廢水、裝置區(qū)設(shè)備 /地坪沖洗水、生活污水，以及循環(huán)水、脫鹽水系統(tǒng)排出的假定清凈下水。 2539。占全市面積的 %，平壩面積 178。 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書 其流域面積廣、水量充沛。/s,最大洪峰流量為 15100m179。 地表水系 樂山市地表水資源十分豐富，三條主要河流環(huán)繞市區(qū)，東臨岷江，西靠青衣江（雅河），南面有大渡河 ，樂山市地表水系分布見圖 312。 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書 2339。 多晶硅 項(xiàng)目廢水排放狀況 見表 262。 需要處理的液體被送入殘液收集槽。從樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書 氫還原反應(yīng)同時(shí)生成二氯二氫硅、四氯化硅、氯化氫和氫氣，與未反應(yīng)的三氯氫硅和氫氣一起送出還原爐，經(jīng)還原尾氣冷卻器用循環(huán)冷卻水冷卻后，直接送往還原尾氣干法分離工序。塔頂餾出物為三氯氫硅，靠位差流至 8 級(jí)精餾塔；塔底釜液為四氯化硅，經(jīng)分析符合質(zhì)量要求后，用泵將其部分送去四氯化硅加氫，部分送往氯硅烷貯存工序的工業(yè)級(jí)四氯化硅貯槽。 2 級(jí)精餾塔為反應(yīng)精餾， 是通過用濕潤(rùn)的氮對(duì)三氯氫硅處理，把其中易于水解的雜質(zhì)化合物轉(zhuǎn)化成難于揮發(fā)的形態(tài)，以便用精餾的方法除去。除去了硅粉而被凈化的混 合氣體送往合成氣干法分離工序。蒸發(fā)冷凝液循環(huán)利用（配置NaOH 溶液），結(jié)晶固體氟化鈣和硝酸鈉等外售或填埋。 四氯化硅氫化工序 在三氯氫硅的氫還原過程中生成四氯化硅，在將后者冷凝和 脫除三氯氫 硅之后進(jìn)行熱氫化，轉(zhuǎn)化為三氯氫硅 。 工藝技術(shù)路線的確定 從以上所述多晶硅生產(chǎn)的主要工藝技術(shù)的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)來(lái)看，改良西門子工藝能夠兼容電子級(jí)和太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的生產(chǎn)，以其技術(shù)成熟、適合產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)等特點(diǎn)，仍是目前多晶硅生產(chǎn)普遍采用的首選工藝。 三氯氫硅 (SiHCl3，副產(chǎn)物 ) 性質(zhì)