【正文】 烷貯存工序的原料氯硅烷貯槽；在三氯氫硅還原工序生成，經(jīng)還原尾氣干法分離工序分離出來的氯硅烷液體送入氯硅烷貯存工序的還原氯硅烷貯槽；在四氯化硅氫化工序生成，經(jīng)氫化氣干法分離工序分離出來的氯硅烷液體送入氯硅烷貯存工序的氫化氯硅烷貯槽。出塔底的氯硅烷用泵增壓，大部分經(jīng)冷凍降溫后循環(huán)回塔頂用于氣體的洗滌，多余部份的氯硅烷送入氯化氫解析塔。 簡本 國家環(huán)境保護總局環(huán)境發(fā)展中心 22 在三氯氫硅合成爐內(nèi)，硅粉與氯化氫氣體形成沸騰床并發(fā)生反應(yīng)，生成三氯氫硅，同時生成四氯化硅、二氯二氫硅、金屬氯化物、聚氯硅烷、氫氣等產(chǎn)物，此混合氣體被稱作三氯氫硅合成氣。凈化干燥后的氫氣送入氫氣貯罐，然后送往氯化氫合成、三氯氫硅氫還原、四氯化硅氫化工序 。 簡本 國家環(huán)境保護總局環(huán)境發(fā)展中心 21 SiO NaCl 等）送渣廠堆埋。 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項目 環(huán)境影響報告書 簡本 國家環(huán)境保護總局環(huán)境發(fā)展中心 19 氯硅烷分離提純工序 氯硅烷的分離和提純是根據(jù)加壓精餾的原理，通過采用合理節(jié)能工藝來實現(xiàn)的。三種技術(shù)均可選，在技術(shù)談判和商務(wù)談判階段需進一步綜合比較 方可選定 。 另有硅烷法多晶硅生產(chǎn)工藝，是用硅烷進行熱分解生成多晶硅。 表 241 項目組成一覽表 序號 項目分類 主要內(nèi)容 主要環(huán)境問題 施工期 營運期 一 主體工程 多晶硅是單晶硅 及硅片產(chǎn)品的唯一原料，用多晶硅加工制成的硅片 (硅拋光片、太陽能級硅片 )主要用于制作集成電路、整流元件、功率晶體管、分立器件、探測器、太陽能電池等半導(dǎo)體器件。 多晶硅按純度分類可以分為冶金用硅、太陽能級、電子級。排水執(zhí)行《污水綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》 GB89781996 一級標(biāo)準(zhǔn)。 根據(jù)《建設(shè)項目環(huán)境風(fēng)險評價技術(shù)導(dǎo)則》（ HJ/T 1692020）評價工作等級確定原則，本項目環(huán)境風(fēng)險評價的工作等級確定為一級評價。 地下水 現(xiàn)狀 調(diào)查和評價 范圍 ：廠區(qū)邊界 外 2km 范圍內(nèi)。 在識別出本項目主要環(huán)境影響因素的基礎(chǔ)上，篩選出本次評價的污染因子，選擇對環(huán)境影響較大或環(huán)境較為敏感的特征污染因子作為本次評價的評價因子，選取結(jié)果見表 141。 法律、法規(guī) （ 1） 《 中華人民共和國環(huán)境保護法 》 ， ； （ 2） 《 中華人民共和國大氣污染防治法 》 ， ； （ 3） 《 中華人民共和國水污染防治法 》 ， ； （ 4） 《 中華人民共和國固體廢物污染環(huán)境防治法 》 ， ； （ 5） 《 中華人民共和國環(huán)境噪聲污染防治法 》 ， ； （ 6） 《 中華人民共和國水土保持法 》 ， ； （ 7） 《 中華人民共和國清潔生產(chǎn)促進法 》 ， ； （ 8） 《 中華人民共和國環(huán)境影響評價法 》 ， ； （ 9） 《 中華人民共和國節(jié)約能源法 》 ， ； （ 10）《建設(shè)項目環(huán)境保護管理條例》，國務(wù)院 [1998]第 253 號令， ； （ 11） 《建設(shè)項目環(huán)境保護分類管理名錄》 ， 國家環(huán)境保護總局令第 14 號； （ 12） 《國務(wù)院關(guān)于環(huán)境保護若干問題的決定》 ， 國發(fā) [1996]31 號 ， ； （ 13） 《關(guān)于加快推行清潔生產(chǎn)的意見》 ， 國家發(fā)展改革委 等十一部委，； （ 14） 《關(guān)于加強環(huán)境影響評價管理防范環(huán)境風(fēng)險的通知》 ， 環(huán)發(fā) [2020]152號 ； （ 15） 《關(guān)于檢查化工石化等新建項目環(huán)境奉獻(xiàn)的通知》，環(huán) 辦 [2020]4 號 ； （ 16） 《四川省〈中華人民共和國水法〉實施辦法》， ； （ 17） 《 四川省 〈 中華人民共和國大氣污染防治法 〉 實施辦法 》， ； 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項目 環(huán)境影響報告書 北京京誠嘉宇環(huán)境科技有限公司 更多環(huán)評報告書、工程師考試資料來自 環(huán)境技術(shù)論壇 ： 3 （ 18） 《四川省環(huán)境保護條例》， ； （ 19） 《四川省人民政府關(guān)于加強環(huán)境保護工作的決定》， 1996 年 11 月 22日川府發(fā) [1996]42 號； （ 20）《四川省人民政府關(guān)于四川省地面水水域環(huán)境功能劃類管理規(guī)定》，1992 年 1 月 13 日 川府發(fā) [1992]5 號 ； （ 21） 樂山市人民政府辦公廳關(guān)于印發(fā)《樂山市環(huán)境空氣質(zhì)量功能區(qū)劃分的規(guī)定》的通知，樂府辦 [1997]13 號， ； （ 22）樂山市人民政府《關(guān)于樂山市地面水水域環(huán)境功能類別的規(guī)定的通知》，樂府發(fā) [1993]10 號； （ 23） 樂山市人民政府辦公廳關(guān)于印發(fā)《樂山市中心城區(qū)環(huán)境噪聲標(biāo)準(zhǔn)適用區(qū)域劃分暫行規(guī)定的通知》，樂府辦發(fā) [1998]95 號。多晶硅是半導(dǎo)體工業(yè)、電子信息產(chǎn)業(yè)、太陽能光伏電池產(chǎn)業(yè)的最主要、最基礎(chǔ)的功能性材料，多晶硅太陽能電池生產(chǎn)需要多晶硅材料，集成電路用硅單晶生產(chǎn)同樣需要多晶硅，其重要性不言而喻。樂山市硅材料產(chǎn)業(yè)在省委、省政府的大力關(guān)心支持下，發(fā)展勢頭迅猛， 2020 年 2 月樂山高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)內(nèi)的新光硅業(yè)公司 1000 噸多晶硅已試車成功。 項目有關(guān) 資料 技術(shù)資料 （ 1）樂山高新區(qū) 3000t/a 多晶硅項目 環(huán)境影響評價委托書， 樂山高新區(qū)管委會 ， 2020 年 7 月； （ 2） 《四川新光硅業(yè)科技有限責(zé)任公司 3000t/a 太陽能級多晶硅項目 可行性研究報告 》， 中國成達(dá)工程公司， 2020 年 6 月 ； （ 3） 《 樂山高新區(qū) 3000t/a 多晶硅項目 環(huán)境質(zhì)量現(xiàn)狀監(jiān)測報告》，樂山市環(huán)境監(jiān)測站， 2020 年 7 月 ； （ 4）《年產(chǎn) 3000 噸多晶硅配套渣場項目》，樂山市環(huán)境科學(xué)研究所， 2020年 8 月 。 表 161 環(huán)境空氣評價等級計算 污 染 物 排放量 (t/h) 環(huán)境標(biāo)準(zhǔn) (mg/m3) 等標(biāo)排放量 (m3/h) 判斷值 評 價 級 別 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項目 環(huán)境影響報告書 北京京誠嘉宇環(huán)境科技有限公司 更多環(huán)評報告書、工程師考試資料來自 環(huán)境技術(shù)論壇 ： 8 HCI 105 106 一級 Pi≥ 109 二級 109＞ Pi≥ 108 三級 Pi＜ 108 小于三級 硅粉塵 104 * 106 HF 105 106 NOX 105 106 ② 評 價范圍 環(huán)境空氣 評價范圍 考慮樂山市城區(qū)及 樂山大佛風(fēng)景名勝區(qū) ，在三級評價基礎(chǔ)上對評價范圍適當(dāng)擴大，評價范 圍 確定 以廠址為中心， 以廠址所在地主導(dǎo)風(fēng)向為主軸，長 10km、寬 10km，面積 100 km2的矩形區(qū)域，見圖 151。 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項目 環(huán)境影響報告書 北京京誠嘉宇環(huán)境科技有限公司 更多環(huán)評報告書、工程師考試資料來自 環(huán)境技術(shù)論壇 ： 9 （ 4） 生態(tài)評價等級 ① 評價等級 項目占地 ，屬于開發(fā)區(qū)工業(yè)用地，目前土地已平整完畢，根據(jù)《環(huán)境影響評價技術(shù)導(dǎo)則－非污染生態(tài)影響》（ HJ/T191997）規(guī)定，對生態(tài)環(huán)境影響進行簡要分析。 表 162 環(huán)境空氣 質(zhì)量 標(biāo)準(zhǔn) （ mg/Nm3） 質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)名稱 標(biāo)準(zhǔn) 級別 標(biāo)準(zhǔn)值 污染物 SO2 NO2 TSP PM10 氟化物 HCl 《環(huán)境空氣質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)》 (GB30951996) 一級 標(biāo)準(zhǔn) 1 小時平均 ? ? ? 日平均 ? 年平均 ? ? 二級 標(biāo)準(zhǔn) 1 小時平均 ? ? ? 日平均 ? 年平均 ? ? 《工業(yè)企業(yè)設(shè)計衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)》（ TJ3679） ? 一次 ? ? ? ? ? ? 日均 ? ? ? ? ? （ 2）地表水 地表水 岷江廠址段上下游 執(zhí)行《地表水環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)》（ GB38382020） Ⅲ類標(biāo)準(zhǔn)， 標(biāo)準(zhǔn)值見表 163。 表 1611 噪聲評價標(biāo)準(zhǔn) 標(biāo)準(zhǔn)名稱和類別 噪聲限值（ dB） 晝間 夜間 《 工業(yè)企業(yè)廠界噪聲標(biāo)準(zhǔn) 》（ GB1234890） Ⅲ 類標(biāo)準(zhǔn) 65 55 《建筑施工廠界噪聲限值》（ GB1252390） 6585 55 控制標(biāo)準(zhǔn) （ 1） 固體廢物執(zhí)行 《危險廢物鑒別標(biāo)準(zhǔn)》（ ～ 31996）、 《一般工業(yè)固體廢物貯存、處置場污染控制標(biāo)準(zhǔn)》 （ GB185992020） 及《 危險廢物貯存污染控制標(biāo)準(zhǔn) 》 （ GB125252020） ； （ 2）《環(huán)境保護圖 形標(biāo)志排放口（源）》（ ）； （ 3）《環(huán)境保護圖形標(biāo)志 固體廢物貯存（處置）場》（ ） （ 4） 重大危險源識別采用《重大危險源辯識》 GB182182020。太陽能級多晶硅純度介于冶金級硅與電子級硅之間，至今未有明確界定。 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項目 環(huán)境影響報告書 北京京誠嘉宇環(huán)境科技有限公司 更多環(huán)評報告書、工程師考試資料來自 環(huán)境技術(shù)論壇 ： 16 規(guī)格 四氯化硅 (高沸物 ) 工業(yè)級 含 SiCl4 ≥ 95% 產(chǎn)品 用途 用于制硅酸酯類、有機硅單體、有機硅油、高溫絕緣材料、硅樹脂、硅橡膠等，也用作煙幕劑 。儲運設(shè)施、維修、污水處理站、渣場 廢水、無組織廢氣、固廢、噪聲 四 辦公及生活 設(shè)施 如：德山曹達(dá)的熔融析出法（ VLD 工藝），采用筒狀反應(yīng)爐，析出液體狀硅；瓦克的沸騰床法，采用 FBR 型反應(yīng)器，生成粒狀硅等等，但這些工藝均尚處于研究或試驗階段。 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項目 環(huán)境影響報告書 還原尾氣干法分離工序 還原尾氣干法分離的原理和流程與三氯氫硅合成氣干法分離工序十分類似。 含有 NaCl、 Na2SiO3 的出塔底洗滌液用泵送入工藝廢料處理工序。 B．Ⅱ類廢液處理 來自硅芯制備工序和產(chǎn)品整理工序的廢氫氟酸和廢硝酸，用堿液中和，生成的氟化鈉和硝酸鈉溶液，進行蒸發(fā)、濃縮和結(jié)晶。 三氯氫硅合成工序 原料硅粉經(jīng)吊運，通過硅粉下料斗而被卸入硅粉接收料斗。 出合成爐頂部挾帶有硅粉的合成氣，經(jīng)三級旋風(fēng)除塵器組成的干法除塵系統(tǒng)除去部分硅粉后，送入濕法除塵系統(tǒng)，被四氯化硅液體洗滌，氣體中的部分細(xì)小硅塵被洗下；洗滌同時，通入濕氫氣與氣體接觸，氣體所含部分金屬氧化物發(fā)生水解而被除去。氫氣流經(jīng)氫氣緩沖罐，然后返回氯化氫合成工序參與合成氯化氫的反應(yīng)。塔頂排出不凝氣體和部分二氯二氫硅，送往廢氣處理工序進行處理；塔頂餾出液為含有低沸點和高沸點雜質(zhì)的三氯氫硅冷凝液，依靠壓差送入 2 級精餾塔；塔釜得到含雜質(zhì)的四氯化硅，用泵送四氯化硅回收塔進行處理。 3 級釜液送入 4級精餾塔中部。 還原氯硅烷冷凝液經(jīng) 7 級進料預(yù)熱器進入 7 級精餾塔。 9 級精餾塔塔頂餾出的三氯氫硅在 10 級精餾塔中脫除高沸點雜質(zhì)。在還原爐內(nèi)通電的熾熱硅芯 /硅棒的表面，三氯氫硅發(fā)生氫還原反應(yīng)，生成硅 沉積下來，使硅芯 /硅棒的直徑逐漸變大，直至達(dá)到規(guī)定的尺寸。 四氯化硅氫化工序 經(jīng)氯硅烷分離提純工序精制的四氯化硅，送入本工序的四氯化硅汽化器，被熱水加熱汽化。 氫化氣干法分離的原理和流程與三氯氫硅合成氣干法分離工序十分類似。酸腐蝕處理過程中會有氟化氫和氮氧化物氣體逸出至空氣中，故用風(fēng)機通過 罩于酸腐蝕處理槽上方的風(fēng)罩抽吸含氟化氫和氮氧化物的空氣，然后將該氣體送往吸附裝置進行處理，達(dá)標(biāo)排放。 B．殘液處理 從氯硅烷分離提純工序中排除的殘液主要含有四氯化硅和聚氯硅烷化合物的液體以及裝置停車放凈的氯硅烷液體送到本工序加以處理。濾液主要為 NaCL 溶液，進行蒸發(fā)、濃縮和結(jié)晶。其中生產(chǎn)、生活污水經(jīng) 處理后排放，假定清凈下水直接排放 ； 主要廢水污染物為 SS、 COD、鹽等 。 表 264 噪聲產(chǎn)生狀況 裝置 名稱 序號 噪聲源名稱 聲源強度dB(A) 工作特性 消聲措施 消聲后聲壓級 dB(A) 公用工程 1 空氣分離裝置 100 連續(xù) 消聲器及隔音操作室 85 2 冷凍機 100 間斷 消聲器及隔音操作室 85 3 空壓機 100 連續(xù) 消聲器及隔音操作室 85 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項目 環(huán)境影響報告書 —29。 地形地貌 樂山市區(qū)域南北長 ，東西寬 164km；幅員面積為 12826 km178。占全市面積的 %。粘土呈硬塑狀，承載力標(biāo)準(zhǔn)值 180～ 300kPa，該涂成為較好的持力土層，適宜選作天然地基持力層。 簡本 國家環(huán)境保護總局環(huán)境發(fā)展中心 33 樂山市市中區(qū)主導(dǎo)風(fēng)向為 N 風(fēng)，次主導(dǎo)風(fēng)向為 NW 風(fēng)，多年平均風(fēng)速為，靜風(fēng)頻率 38%。 青衣江，又名雅河，也是岷江的主要支流之一，發(fā)源于寶興縣巴郎山、夾金山麓，流經(jīng)樂山市夾江縣，在樂山市中心城區(qū)西面的水口鄉(xiāng)草鞋渡與大渡河匯合后注入岷江。岷江樂山段全長 263km，河流落差 137m，平均比降 ?，多年平均流量為 470～ 2700m179。廠址一帶地形北高南低，存在自然沖溝，暴雨有匯流出口，故廠址一帶不受內(nèi)澇樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項目 環(huán)境影響報