【正文】 白灘堰 是 在大渡河右岸安谷鎮(zhèn)境內(nèi)高山村大漩沱后壩引水，引水量為，工程灌溉網(wǎng)絡(luò)及形成干渠 ，支渠 6 條 27km，斗渠 154km，承擔著市中區(qū)安谷鎮(zhèn)、車子鎮(zhèn)、五通橋區(qū)冠英鎮(zhèn) 共 萬余畝農(nóng)田灌溉。最枯流量 179。/s，最大洪峰流量為 10000m179。 樂山市區(qū)內(nèi)最大地震為里氏 ，烈度為 6度。 工程地質(zhì) 樂山市地質(zhì)構(gòu)造屬中、新生界地質(zhì)年代；地表層以下為紅砂頁巖，由粘土與紅砂膠結(jié)而成。境內(nèi)最高處是峨邊縣的馬鞍山主峰，海拔 4288m，最低處是犍為縣境內(nèi)的岷江出境處，海拔 307m，境內(nèi)高差懸殊。規(guī)劃的開發(fā)區(qū)東到大佛保護區(qū)，隔岷江與大佛遙遙相望；距大佛約 4km，北臨大渡河，通過大渡河橋連接幣區(qū)，南至樂山森林公園，西到臺地邊沿?！?04。 多晶硅裝置 固體廢物排放狀況 見表 263。 簡本 國家環(huán)境保護總局環(huán)境發(fā)展中心 28 NaOH 溶液），結(jié)晶固體氟化鈉和硝酸鈉等 外售或填埋。 從槽頂逸出的氣體，引入尾氣處理塔。經(jīng)檢測達到規(guī)定的質(zhì)量指標的塊狀多晶硅產(chǎn)品送去包裝。 從合成氣干法分離工序、還原尾氣干法分離工序、氫化氣干法分離工序分離得到的氯硅烷液體，分別送入原料、還原、氫化氯硅烷貯槽，然后氯硅烷液體分別作為原料送至氯硅烷分離提純工序 的不同精餾塔。出氫化爐的含有三氯氫硅、氯化氫和未反應(yīng)的四氯化硅、氫氣的混合氣體，送往氫化氣干法分離工序。出爐筒夾套的高溫熱水送往熱能回收工序，經(jīng)廢熱鍋爐生產(chǎn)水蒸汽而降溫后，循環(huán)回本工序各還原爐夾套使用。塔頂餾出物是精制的循環(huán)四氯化硅，經(jīng)分析符合質(zhì)量要求后，用泵送去四氯化硅加氫工序。塔底釜液是含有高沸點餾份 的三氯氫硅，用泵送至二級三氯氫硅槽。 從 5 級塔頂餾出的三氯氫硅，在 6 級精餾塔進行最終脫除三氯氫硅中的高沸點雜質(zhì)的過程。 3 級精餾目的是脫除三氯氫硅中的低沸點雜質(zhì)。 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項目 環(huán)境影響報告書 氣體中的大部份氯硅烷被冷凝并混入洗滌液中。 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項目 環(huán)境影響報告書 除氧后的氫氣通過一組吸附干燥器而被干燥。濾渣（主要為樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項目 環(huán)境影響報告書 硅芯制備工序 硅芯制備過程中，需要用氫氟酸和硝酸對硅芯進行腐蝕處理，再用超純水洗凈硅芯，然后對硅芯進行干燥。 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項目 環(huán)境影響報告書 國內(nèi)技術(shù)整體上還不很成熟，原料和公用工程（電等）消耗較高，但軟件費用低；俄羅斯 技術(shù)，原料和公用工程消耗比國內(nèi)技術(shù)略低，在國內(nèi)已有在建裝置；美國公司的生產(chǎn)技術(shù)先進，也較為成熟，消耗比國內(nèi)技術(shù)低，但軟件費用相當昂貴，而且還有出口限制等問題。 簡本 國家環(huán)境保護總局環(huán)境發(fā)展中心 17 、工藝流程及產(chǎn)污分析 工藝技術(shù)方案 目前國際上多晶硅生產(chǎn)工藝有 70%以上均采用改良西門子法，如：德國WACKER 公司、美國 HSC 公司、日本德山、三菱、住友公司、意大利 MEMC公司、國內(nèi)的洛陽中硅集團、峨嵋半導(dǎo)體材料廠以及新光硅業(yè)科技公司的 1260噸 /年多 晶硅裝置等的生產(chǎn)工藝均屬此類，均經(jīng)由三氯氫硅的氫還原反應(yīng)獲得多晶硅產(chǎn)品。 本項目多晶硅生產(chǎn)裝置以及配套的公用工程和 輔助設(shè)施詳見表 241。是 電子工業(yè)中廣泛用于制造半導(dǎo)體收音機、錄音機、電冰箱、彩電、錄像機、電子計算機等的基礎(chǔ)材料 。 、規(guī)格及用途 多晶硅 (Si，產(chǎn)品 ) 性質(zhì) 多晶硅 具 灰色金屬光澤 ， 熔點 1410℃ 、 沸點 2355℃ 、 密度 ～ ，溶于氫氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和鹽酸 。 表 167 大氣 污染物排放 標準 （ mg/Nm3） 污染物 最高允許 排放濃度 mg/m3 排氣筒 高度 m 排放速率 kg/h 無組織監(jiān)控 濃度限值 mg/m3 備注 SO2 550 15 GB162971996 表 2 中二級 30 15 40 25 NOX（以 NO2 計） 240 15 30 40 顆粒物 120 15 20 30 23 HCl 100 15 20 30 HF（參照氟化物標準） 15 30 40 表 168鍋爐大氣污染物排放標準 鍋爐類別 煙塵 煙氣黑度 SO2 NOX 燃氣鍋爐 燃氣 10 Ⅰ 100 400 169 工業(yè)爐窯大氣污染物排放標準 爐窯類別 煙塵 加熱爐 非金屬加熱爐 200 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項目 環(huán)境影響報告書 北京京誠嘉宇環(huán)境科技有限公司 更多環(huán)評報告書、工程師考試資料來自 環(huán)境技術(shù)論壇 ： 12 （ 2）水污染物 本項目生產(chǎn)過程中排出的工藝污水先進入廠區(qū)的污水處理站，處理達標后通過 白灘堰排入岷 江 。罐區(qū)存在著發(fā)生重大火災(zāi)、爆炸或毒物泄漏，對 環(huán)境造成嚴重污染事故的可能性。 ② 評價范圍 地表水評價范圍： 岷江開發(fā)區(qū)段廢水總排口上游 1km，下游 5km。 評價原則 本著實事求 是、客觀公正的精神， 根據(jù)本項目工程 及 環(huán)境影響復(fù)雜的特點，樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項目 環(huán)境影響報告書 北京京誠嘉宇環(huán)境科技有限公司 更多環(huán)評報告書、工程師考試資料來自 環(huán)境技術(shù)論壇 ： 6 確定評價原則為： （ 1）遵守國家和 四川 省相關(guān)法律法規(guī)，符合相關(guān)部門規(guī)范性文件規(guī)定，滿足環(huán)評技術(shù)導(dǎo)則要求； （ 2）客觀、公正、全面、科學地分析本項目對環(huán)境的各種影響； （ 3）通過現(xiàn)場調(diào)查和監(jiān)測獲得第一手數(shù)據(jù)，保證資料數(shù)據(jù)的代表性、準確性和時效性，評價方法力求先進、定量、可靠，情景和工況設(shè)定盡量接近實際情況，評價結(jié)論中提出的對策措施具有可操作性； （ 4） 貫徹 “產(chǎn)業(yè)政策 ”、 “滿足規(guī)劃 ”、 “清潔生產(chǎn) ”、 “達標排放 ”、 “總量控制 ”、“循環(huán)經(jīng)濟 ”的原則 ； （ 5）以 多種形式進行公眾參與。 接受委托后， 評價單位 詳細收 集和分析與工程項目有關(guān)的基礎(chǔ)資料，通過大量調(diào)查、監(jiān)測和模擬 ，在系統(tǒng)深入的研究基礎(chǔ)上， 編制了“ 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項目 環(huán)境影響報告書 ” ，提交環(huán)境保護主管部門審查。 在世界各國，尤其是美、日、德等發(fā)達國家先后發(fā)起的大規(guī)模國家光伏發(fā)展計劃和太陽能屋頂計劃的刺激和推動下，世界光伏工 業(yè)近年來保持著年均 30％以上的高速增長， 全球目前多晶硅缺口在 6000t 左右， 專家預(yù)測，光伏發(fā)電將在新世紀前半期超過核電成為最重要的基礎(chǔ)能源之一。為在樂山高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)進一步發(fā)展多晶硅產(chǎn)業(yè)，形成樂山市的“硅產(chǎn)業(yè)鏈”，樂山市計劃在高新區(qū)抓緊推進 3000t/a的 多晶硅項目的實施。 項目 文件 （ 1）《關(guān)于 樂山高新區(qū) 3000t/a 多晶硅項目 環(huán)境影響評價執(zhí)行標準的函》，四川省 環(huán)境保護局 ， 川函 [2020]75 號 ； （ 2） 《關(guān)于 3000t/a 多晶硅項目取水申請的批復(fù)》，樂山市水利局， 2020年 8 月 ； （ 3） 《 關(guān)于樂山市中心城區(qū) 2020 年第二批城市建設(shè)用地的批復(fù) 》， 四川省人民政府，川府土 [2020]188 號； （ 4） 《 關(guān)于樂山市 2020 年第一批城市建設(shè)用地的批復(fù) 》， 四川省人民政府 ，川府土 [2020]57 號； （ 5） 《四川省國土資源廳關(guān)于樂山市中心城區(qū) 2020 年第二批城市建設(shè)用地的批復(fù)》，四川省國土資源廳，川國土資建 [2020]38 號； （ 6）《關(guān)于 對四川省樂山市高新技術(shù)開發(fā)區(qū)區(qū)域環(huán)境影響報告書的批復(fù) 》，四川省環(huán)境保護局，川 環(huán) 函 [2020]121 號； 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項目 環(huán)境影響報告書 北京京誠嘉宇環(huán)境科技有限公司 更多環(huán)評報告書、工程師考試資料來自 環(huán)境技術(shù)論壇 ： 5 （ 7）《 關(guān)于樂山大佛風景名勝區(qū)總體規(guī)劃的函 》， 中華人民共和國建設(shè)部 ，建城函 [2020]344 號 ； （ 8）《關(guān)于樂山高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū) 控制性詳細規(guī)劃的批復(fù) 》 ，樂山市人民政府，樂府函 [2020]92 號 ； （ 9）《關(guān)于四川省樂山高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)年產(chǎn) 3000 噸多晶硅配套渣場項目 環(huán)境影響報告表的批復(fù)》，樂山市環(huán)境保護局，樂市環(huán)建管 [2020]413 號 。 （ 2） 水 環(huán)境 評價工作等級和評價范圍 ① 評價等級 地表水：根據(jù)《環(huán)境影響評價技術(shù)導(dǎo)則－地面水環(huán)境》（ HJ/）劃分，本項目廢水 經(jīng)廠區(qū)污水處理站后 ， 達到《污水綜合排放標準》 GB89781996 一級標準，通過白灘堰排入岷江 ，排水量約 149m3/d，污水中含 COD、鹽等，水質(zhì)復(fù)雜 程度簡單，岷江多年平均流量 470～ 2700m3/s，屬于大河。 ② 評價范圍 廠界外延 1000m （ 5） 環(huán)境風險評價工作等級和評價范圍 ① 評價等級 本項目原料、輔助材料、中間產(chǎn)品、產(chǎn)品等主要物料中，三氯氫硅、氟化氫等為有毒物質(zhì)，存在有毒物料泄漏發(fā)生人員傷亡的危險 ， 硝酸為具有腐蝕性的物料，具有較強的腐蝕性，對人有灼傷危害。 表 163 地表水環(huán)境質(zhì)量標準 (mg/L， pH除外 ) 序號 污染物 Ⅲ 類標準限值 序號 污染物 Ⅲ 類標準限值 1 pH 6～ 9 6 氨氮 ≤ 2 溶解氧 ≥ 5 7 石油類 ≤ 3 高錳酸 鹽 數(shù) ≤ 6 8 揮發(fā)酚 ≤ 4 BOD5 ≤ 4 9 氟化物 ≤ 5 COD ≤ 20 10 總磷 ≤ （ 3）地下水 評價區(qū)域 地下水執(zhí)行《地下水質(zhì)量標準》（ GB/T1484893） Ⅲ 類標準， 標準值 見 表 164。 評價重點 （ 1）工程分析 ； （ 2） 環(huán)境質(zhì)量現(xiàn)狀調(diào)查與評價； （ 3）環(huán)境空氣影響 預(yù)測與 評價 ； 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項目 環(huán)境影響報告書 北京京誠嘉宇環(huán)境科技有限公司 更多環(huán)評報告書、工程師考試資料來自 環(huán)境技術(shù)論壇 ： 13 （ 4） 污染防治措施及其技術(shù)可行性分析 。一般認為純度在 %左右 。 三氯氫硅 (SiHCl3，副產(chǎn)物 ) 性質(zhì) 三氯氫硅 無色液體。擬建廠前區(qū)，設(shè)辦公樓和倒班宿舍等。 工藝技術(shù)路線的確定 從以上所述多晶硅生產(chǎn)的主要工藝技術(shù)的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢來看，改良西門子工藝能夠兼容電子級和太陽能級多晶硅的生產(chǎn)，以其技術(shù)成熟、適合產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)等特點，仍是目前多晶硅生產(chǎn)普遍采用的首選工藝。 簡本 國家環(huán)境保護總局環(huán)境發(fā)展中心 18 反應(yīng)原理 3000 噸 /年電子級多晶硅裝置工藝流程由以下主要工序組成： (1) 三氯氫硅合成工序 (2) 合成氣干法分離工序 (3) 氯硅烷分離提純工序 (4) 三氯氫硅氫還原工序 (5) 還原尾氣干法分離工序 (6) 四氯化硅氫化工序 (7) 氫化氣干法分離工序 (8) 氯硅烷貯存工序 (9) 硅芯制備工序 (10) 產(chǎn)品整理工序 (11) 廢氣和殘液處理工序 (12) 工藝廢料處理工序 三氯氫硅合成 在一定溫度下 ，晶體 硅 與 氯化 氫的發(fā)生反應(yīng)生成 三氯氫硅 和四氯化硅。 四氯化硅氫化工序 在三氯氫硅的氫還原過程中生成四氯化硅，在將后者冷凝和 脫除三氯氫 硅之后進行熱氫化，轉(zhuǎn)化為三氯氫硅 。 B．殘液處理 從氯硅烷分離提純工序中排除的殘液主要含有四氯化硅和聚氯硅烷化合物的液體以及裝置停車放凈的氯硅烷液體加 入石灰乳液中和廢液中的氯硅烷等和而被轉(zhuǎn)化成無害的物質(zhì)。蒸發(fā)冷凝液循環(huán)利用（配置NaOH 溶液），結(jié)晶固體氟化鈣和硝酸鈉等外售或填埋。硅粉從接收料斗放入下方的中間料斗，經(jīng)用熱氯化氫氣置換料斗內(nèi)的氣體并升壓至與下方料斗壓力平衡后，硅粉被放入下方的硅粉供應(yīng)料斗。除去了硅粉而被凈化的混 合氣體送往合成氣干法分離工序。吸附再生氣含有氫氣、氯化氫和氯硅烷，送往廢氣處理工序進行處理。 2 級精餾塔為反應(yīng)精餾， 是通過用濕潤的氮對三氯氫硅處理，把其中易于水解的雜質(zhì)化合物轉(zhuǎn)化成難于揮發(fā)的形態(tài)，以便用精餾的方法除去。 4 級塔頂餾出三氯氫硅冷凝液，靠位差流至 5 級精餾塔，進行脫除高沸點雜質(zhì)的第二階段。塔頂餾出物為三氯氫硅，靠位差流至 8 級精餾塔；塔底釜液為四氯化硅，經(jīng)分析符合質(zhì)量要求后，用泵將其部分送去四氯化硅加氫，部分送往氯硅烷貯存工序的工業(yè)級四氯化硅貯槽。 10 級精餾塔塔頂餾出物是精制的循環(huán)三氯氫硅，送入 10 級冷凝液槽，經(jīng)分析符合質(zhì)量要求后，精制三氯氫硅靠位差循環(huán)回多晶硅制取工序。氫還原反應(yīng)同時生成二氯二氫硅、四氯化硅、氯化氫和氫氣，與未反應(yīng)的三氯氫硅和氫氣一起送出還原爐，經(jīng)還原尾氣冷卻器用循環(huán)冷卻水冷卻后，直接送往還原尾氣干法分離工序。從氫氣制備與凈化工序送來的氫氣和從還原尾氣干法分離工序來的多余氫氣在氫氣緩沖罐混合后，也通入汽化器內(nèi)，與四氯化硅蒸汽形成一定比例的混合氣體。從樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項目 環(huán)境影響報告書 產(chǎn)品整理工序 在還原爐內(nèi)制得的多晶硅棒被從爐內(nèi)取下，切斷、破碎成塊狀的多晶硅。