《無機封裝基板》ppt課件-全文預覽
【正文】 產生的熱量會迅速在SiC基板上散開，再通過由硅膠粘結的 Al散熱片高效率的擴散。 熱擴散系數(shù)突出216。將造粒粉在室溫及 100MPa壓力下加壓成板狀，然后放入石墨模具中加壓的同時 (熱壓 )，在大約2100℃ 下燒成。 SiC是強共價鍵化合物，硬度僅次于金剛石、立方氮化硼 (cBN)，而且具有優(yōu)良的耐磨性、耐藥品性。 碳化硅是非天然出產而是由人工制造的礦物。 無 機 封 裝 基 板AlN基板的特性 無 機 封 裝 基 板AlN基板熱導率受殘留氧雜質的影響AlN材料相對于 Al2O3來說，絕緣電阻、絕緣耐壓更高些，介電常數(shù)更低些，特別是 AlN的熱導是 Al2O3的 10倍左右，熱膨脹系數(shù)與 Si相匹配，這些特點對于封裝基板來說十分難得。 無 機 封 裝 基 板AlN基板金屬化金屬化膜的形成，各種方法都可以適用。 Al2O3基板制造的各種方法都可以用于 AlN基板的制造。一般所采用的Al2O3原料粉末粒徑小、粒度分布整齊，因此由還原氮化法比較容易獲得粒徑小、粒度分布一致性好的 AlN粉末。其原因是原料中的雜質在燒結時因溶于 AlN顆粒中產生各種缺陷，或發(fā)生反應生成低熱導率化合物，對聲子造成散射，致使熱導率下降。 無 機 封 裝 基 板216。 AlN具有纖鋅礦型晶體結構（金剛石結構中兩個陣點上的碳原子分別由 Al和 N置換），為強共價鍵化合物，具有輕（密度 ）、高強度、高耐熱性（大約在 3060℃ ）、耐腐蝕等優(yōu)點。 無 機 封 裝 基 板氮化鋁（ AlN）基板216。 為了在降低莫來石介電系數(shù)的同時，減小其熱膨脹系數(shù)，可以添加 MgO?；谏鲜隼碛?，作為Al2O3的替代材料進行過廣泛的開發(fā)。信號線采用聚酰亞胺絕緣層薄膜多層布線，由于聚酰亞胺的介電常數(shù)低，可提高信號傳輸速度。216。高純度 Al2O3基板燒成狀態(tài)表面就非常平滑，由此可形成缺陷較少的高品質薄膜。 雖然被釉基板表面變得平滑，但其導熱性、耐熱性等都低于Al2O3 。薄膜混合 IC用基板：216。 粗糙度大的價格較低，而且與布線導體間的結合力強等，因此多采用純度質量分數(shù)為 96％的 Al2O3基板。 無 機 封 裝 基 板（ 4）應用216。 在本方法中， Mn及氣氛中的水起著重要的作用， Mn被水分氧化成 MnO， MnO與 Al2O3反應生成 MnO按難熔金屬種類，分 Mo法， MoMn法和 MoTi法等。 金屬鋁液重熔法 無 機 封 裝 基 板（ 2） αAl2O3 的晶體結構鋁離子與氧離子之間為強固的離子鍵，每個鋁原子位于由 6個氧原子構成的八面體的中心。（ c）通過成分、成形壓力、燒結溫度的選擇可以控制燒結收縮率。 燒成前的陶瓷生片上，絲網(wǎng)印刷 Mo、 W等難熔金屬的厚膜漿料，一起脫脂燒成，使陶瓷與導體金屬燒成為一體結構。216。 用真空蒸鍍、離子鍍、濺射鍍膜等真空鍍膜法進行金屬化。在氧化物系中，一般用與陶瓷發(fā)生反應形成固溶體的氧化物。厚膜導體漿料一般由粒度 1～ 5181。 擠壓成形216。 高導熱率216。 介電損耗要??；216?；瘜W性能穩(wěn)定252。 薄膜光刻法216。 微細化布線較容易216。無 機 封 裝 基 板 無 機 封 裝 基 板一、陶瓷基板概論 陶瓷基板同由樹脂材料構成的 PWB相比： 216。 熱膨脹系數(shù)小216。陶瓷基板電路布線方法：216?；颈砻嫫交?52。 介電常數(shù)要低（信號傳輸速度高）；216。 耐熱性216。 粉末壓制成形（模壓成形、等靜壓成形）216。 無 機 封 裝 基 板陶瓷基板的金屬化 （ 1） 厚膜法厚膜金屬化法：在陶瓷基板上通過絲網(wǎng)印刷形成導體（電路布線）及電阻等，經(jīng)燒結形成電路及引線接點等。 無 機 封 裝 基 板圖 3 厚膜導體的斷面結構 無 機 封 裝 基 板對于玻璃系來說，其軟化點要選擇在粉末金屬的燒結溫度附近。 無 機 封
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