《無(wú)機(jī)封裝基板》ppt課件-預(yù)覽頁(yè)
【正文】 裝 基 板（ 2） 薄膜法 216。但是，金屬膜層與陶瓷基板的熱膨脹系數(shù)應(yīng)盡量一致，而且應(yīng)設(shè)法提高金屬化層的附著力。 無(wú) 機(jī) 封 裝 基 板（ 3）共燒法 216。（ b）由于絕緣體與導(dǎo)體做成一體化結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)氣密封裝。 Buyer法216。 難熔金屬法 ，作為 Al2O3基板表面的金屬化方法，是在1938年由德國(guó)的得利風(fēng)根公司和西門子公司分別獨(dú)立開發(fā)的。216。 但是，這樣獲得的導(dǎo)體膜直接焊接比較困難，一般要在其表面電鍍 Ni, Au, Ag等。 多層電路基板 無(wú) 機(jī) 封 裝 基 板a、混合集成電路用基板 無(wú) 機(jī) 封 裝 基 板厚膜混合 IC用基板：216。因此 Al2O3中的玻璃相及較粗糙的表面會(huì)明顯的提高厚膜導(dǎo)體的結(jié)合力。216。 近年來(lái)，在薄膜混合 IC中越來(lái)越多的采用表面粗糙度小、純度99％以上的 Al2O3基板。利用同時(shí)燒成技術(shù)制作的 LSI封裝，氣密性好，可靠性高。b、 LSI封裝用基板 無(wú) 機(jī) 封 裝 基 板C、多層電路基板NEC開發(fā)的 100mm100mm的 Al2O3多層電路基板 IBM308X系列的 TCM（ thermal conduction module）的 Al2O3多層電路基板由 Al2O3陶瓷多層電路基板與聚酰亞胺多層薄膜布線板構(gòu)成的復(fù)合基板。其熱膨脹系數(shù)也低，可減小搭載 LSI的熱應(yīng)力，而且與導(dǎo)體材料 Mo、 W的熱膨脹系數(shù)的差也小，從而共燒時(shí)與導(dǎo)體間出現(xiàn)的應(yīng)力低。216。 無(wú) 機(jī) 封 裝 基 板日立公司開發(fā)的莫來(lái)石多層電路基板已用于大型計(jì)算機(jī)，這種基板由 W做導(dǎo)體層，共 44層，在這種基板上還搭載了以莫來(lái)石為基板材料、由 7層 W導(dǎo)體層構(gòu)成的芯片載體。 AlN非天然存在而是人造礦物的一種，于 1862年由Genther等人最早合成。K）。K），是相當(dāng)?shù)偷?。影?AlN陶瓷熱導(dǎo)率的各種因素 無(wú) 機(jī) 封 裝 基 板AlN粉末制作方法還原氮化法以 Al2O3為原料，通過(guò)高純碳還原，再與 N2反應(yīng)形成 AlN,其反應(yīng)為 Al2O3﹢ 3C﹢ N2→2AlN ﹢ 3CO↑該反應(yīng)為吸熱反應(yīng)，為維持反應(yīng)進(jìn)行要持續(xù)加熱。 無(wú) 機(jī) 封 裝 基 板AlN陶瓷基板制作方法216。 但應(yīng)特別指出的是，由于金屬雜質(zhì)及氧、碳等雜質(zhì)的含量及存在狀態(tài)對(duì) AlN基板的熱導(dǎo)率有很大影響，必須從原料粉末的選擇和處理、燒結(jié)助劑、燒成條件等方面采取措施，嚴(yán)格控制這些雜質(zhì)。 另一點(diǎn)是，一般說(shuō)來(lái) AlN與金屬化層的結(jié)合力不如 Al2O3，必須采用特殊玻璃粘結(jié)劑的厚膜漿料。 無(wú) 機(jī) 封 裝 基 板碳化硅（ SiC）基板216。216。將暗綠色 SiC塊狀多晶體經(jīng)研磨精制成粉末原料，添加作為燒結(jié)助劑的質(zhì)量分?jǐn)?shù)%~%的 BeO以及粘結(jié)劑、溶劑等，利用噴霧干燥機(jī)造粒。 無(wú) 機(jī) 封 裝 基 板碳化硅（ SiC）基板特性優(yōu)點(diǎn)：216。 與 Al2O3等基板相比，介電常數(shù)高（不適用于通信機(jī)等高頻電路基板 ） 216。除此之外， SiC基板在超大型計(jì)算機(jī)，光通信用二極管的基板應(yīng)用等方面還有不少實(shí)例。 BeO基板，基本上采用干壓法制作。此外，也可在 BeO中添加微量的 MgO及 Al2O3等，利用生片法制作 BeO基板。其金屬化的另一個(gè)特征是， Cu與之的結(jié)合力要優(yōu)于 Mo或 W等。介質(zhì)材料的介電常數(shù)都偏大，因此會(huì)增大信號(hào)傳輸延遲時(shí)間，特別是不適用于超高頻電路。 無(wú) 機(jī) 封 裝 基 板LTCC基板的要求主要有：216。 有足夠的高的機(jī)械強(qiáng)度。 無(wú) 機(jī) 封 裝 基 板（ 5） 硼硅酸玻璃 Al2O3處理的氧化鋯（ ZrO2）系 :硼硅酸玻璃質(zhì)量分?jǐn)?shù) 40% ~ 60%， Al2O3處理的氧化鋯（ ZrO2）質(zhì)量分?jǐn)?shù) 40% ~ 60%為最佳， 900℃ 燒成。其用途主要分四個(gè)方面：（ 1）超級(jí)計(jì)算機(jī)用多層基板。（ 3）高頻部件（電壓控制振蕩器，溫度控制晶體振蕩器等
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