電容器的寄生作用與雜散電容（doc13）-經營管理-全文預覽
【正文】 屏蔽作 用。圖 14?11 芯片接合線之間的雜散電容 考慮高 分辨率數(shù)據(jù)轉換器 (ADC 或 DAC)，它們都與高速數(shù)據(jù)總線連接。如果無法焊接到可伐合金蓋上，可使用 接地的磷青銅片做接地連接，或使用導電涂料將可伐合金蓋與接地引腳連接。該封裝器件受容性干擾易受損壞，所以應盡可能接地圖 14?10 由可伐合金蓋引起的電容效應 種可伐合金蓋被懸浮。生產廠家只能提供兩種封裝選擇：一種是將金屬圈連接到器件封裝角上的一 個引 腳上；另一種是保留金屬圈不連接。 圖 14?9 示出了法拉弟屏蔽中斷耦合電場的情況。 問：那么應該如何減小雜散電容呢 ?答：減小雜散電容耦合影響的一種方法是使用法拉弟屏蔽 (Faraday shield)，它 是在耦合源與受影響電路之間的一種簡捷接地導體。對于普通的印制線路板材料， E R =4?7,d=1?5mm，則其單位面積雜 中國最龐大的實用下載資料庫 (負責整理 . 版權歸原作者所有 ) 散電容為 3pF/cm 2 。它不能不斷地減小，也不能像法拉弟屏 蔽一樣用導體進行屏蔽。C，電容器受 到損害、外形尺寸大、電感 聚四氟乙烯電容器 0?003%～ 0?02%DA 很低、穩(wěn)定性好、可在+125176。安裝電容器靠近集成電路 只要電容器的引腳長度 不超過 1?5mm，還是選擇末端引線電容器(wire?ended capacitors)。如果每個集成電路和鉭電容器 之間相當寬的印制線路板導電條長度小于 10cm，可 在幾個集成電路之間共用一個鉭電容器。 常見電容器特性比較見表 14?1。因為恢復電荷的數(shù)量是原來電荷的函數(shù) ，實際上這是一種電荷記憶效應。實際上，損耗因數(shù)等于介質的功率因數(shù)或相角的余弦值。 中國最龐大的實用下載資料庫 (負責整理 . 版權歸原作者所有 ) 問：在電容器選擇表中，我看到 “損耗因數(shù) ”這個術語。對于高頻去耦更合適的選擇應該是單 片陶瓷電容器，因為它們具有很低的等效串聯(lián)電感。 這就是在高頻情況下對這種電路的電源端要進行適當去耦的主要原因。 R ESR 最低的電容器是云母電容器和薄膜電容器。 等效串聯(lián)電阻 (ESR)， R ESR ：電容器的等效串聯(lián) 電阻是由電容器的引腳電阻與電容器兩個極板的等效電阻相串聯(lián)構成的。電容器泄漏電阻， RP：在交流耦合應用、存儲應用 (例如模擬積分器和采 樣保持器 )以及當電容器用于高阻抗電路時， RP是一項重要參數(shù)，電容器的泄漏模型如圖 1 所示。 “實際 ”電容 器模 型如圖 所示。去耦 (濾掉交流信號或濾掉疊加在直流信號上的高頻信號或濾掉電源、基準電源 和信號電路中的低頻成分 )一般來說，按應用分 類，大多數(shù)電容器通常分為以下四種類型 (見圖 )： 交流耦合，包括旁路 (通過交流信號，同 時隔直流信號 ) 問：你談到的 “寄生作用 ”是怎么回事 ? 答：與 “理
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