【正文】 現(xiàn)自共振，具有很高的 Q值，因?yàn)榇?lián)電阻值及與其在一起的電感值都很低。 電解電容器 (鉭電容器和鋁電容器 )的容量很大，由于其隔離電阻低，所以漏電流非常大 (典型值 5～ 20nA/μF)，因此它不適合用于存儲(chǔ)和耦合。有源或無源 RC 濾波或選頻網(wǎng)絡(luò) 中國最龐大的實(shí)用下載資料庫 (負(fù)責(zé)整理 . 版權(quán)歸原作者所有 ) 等效串聯(lián)電感 (ESL)， L ESL ：電容器的等效串聯(lián)電 感是由電容器的引腳電感與電容器兩個(gè)極板的等效電感串聯(lián)構(gòu)成的。如果電容 器在關(guān)心頻帶范圍的高頻損耗可以簡化成串聯(lián)電阻模型，那么等效串聯(lián)電阻與總?cè)菘怪仁? 對(duì)損耗因數(shù)的一種很好的估算，即 DF≈ωR ESR C還可以證明，損耗因數(shù)等于電容器品質(zhì)因數(shù)或 Q值的倒數(shù)， 在電容器制造廠家的產(chǎn)品說明中 有時(shí)也給出這項(xiàng)指標(biāo)。電容器的正確使用方 法如圖 14?5所示。在 250MHz 頻率條件下， 3pF 電容對(duì)應(yīng) 的電抗為 212?2Ω?？梢宰C明，如果這種陶瓷 DIP封裝器件的芯片不 被屏蔽，那么它要比塑料 DIP 封裝的同樣芯片更容易受到電場噪聲的損壞。雖然這種方法增加了附加的器件，增加了器件的占居面積，增加了功耗，稍降低了可靠 性及稍提高了設(shè)計(jì)復(fù)雜程度，但它可以明顯地改善轉(zhuǎn)換器的信噪比。大部分邏輯電路在器件封裝的某一角上有一個(gè)接地引腳 ，所以這種器件的可伐合金蓋接地。 C=E R Ad 其中： C=電容，單位 pFE R =空氣介電常數(shù) A=平行導(dǎo)體面積，單位 mm 2d=平行導(dǎo)體間的距離，單位 mm圖 14?6 平行板電容器模型 雜散電容或寄生電容一般出現(xiàn)在印制線路板上的平行導(dǎo)電條之間或印制線路板的相對(duì) 面上的導(dǎo)電條或?qū)щ娖矫嬷g，見圖 14?7。 關(guān)于高頻去耦另一個(gè)需要說明的問題是電容器的實(shí)際物理分布。請(qǐng)問它 的含義是什么 ? 答：好。當(dāng)有大的交流電流 通過電容器， R ESR 使電容器消耗能量 (從而產(chǎn)生損耗 )。 中國最龐大的實(shí)用下載資料庫 (負(fù)責(zé)整理 . 版權(quán)歸原作者所有 ) 電容器的寄生作用與雜散電容 電容器的寄生作用 問：我想知道如何為具體的應(yīng)用選擇合適的電容器，但我又不清楚許多不同種類 的電容器有哪些優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn) ?答：為具體的應(yīng)用選擇合適類型的電容器實(shí)際上并不困難。這對(duì)射頻電路和載有高波紋電 流的電源去耦電容器會(huì)造成嚴(yán)重后果。因 為電容器的泄漏電阻、等效串聯(lián)電阻和等效串聯(lián)電感，這三項(xiàng)指標(biāo)幾 乎總是很難分開，所以許多電容器制造廠家將它們合并成一項(xiàng)指標(biāo)，稱作損耗因數(shù) (disspat ion factor)，或 DF，主要用來描述電容器的無效程度。甚至很短的引線都有不可忽 視的電感，所以安裝高頻去耦電容器應(yīng)當(dāng)盡量靠近集成電路，并且做到引腳短，印制線路板 導(dǎo)電條寬。雜散電容的存在和作用，尤其是在頻率很高 時(shí)，在電路設(shè)計(jì)中常常被忽視，所以在制造