電容器的寄生作用與雜散電容doc13-經(jīng)營(yíng)管理-wenkub.com
2025-07-31 19:41 本頁面
【正文】 雖然這種方法增加了附加的器件，增加了器件的占居面積，增加了功耗，稍降低了可靠 性及稍提高了設(shè)計(jì)復(fù)雜程度，但它可以明顯地改善轉(zhuǎn)換器的信噪比。數(shù)據(jù)總線上的每條線 ( 大約都以 2 至 5V/ns 的速率傳送噪聲 )通過上述雜散電容影響 ADC 或 DAC 的模擬端口 (見圖 14?12 )。絕對(duì)不允許將 沒有經(jīng)過檢查的實(shí)際上不允許和地連接的可伐合金蓋接地?？梢宰C明，如果這種陶瓷 DIP封裝器件的芯片不 被屏蔽，那么它要比塑料 DIP 封裝的同樣芯片更容易受到電場(chǎng)噪聲的損壞。大部分邏輯電路在器件封裝的某一角上有一個(gè)接地引腳 ，所以這種器件的可伐合金蓋接地。 (a) 電容屏蔽中斷耦合電場(chǎng) (b) 電容屏蔽使噪聲電流返回到噪聲源，而不通過阻抗 Z 1 中國(guó)最龐大的實(shí)用下載資料庫 (負(fù)責(zé)整理 . 版權(quán)歸原作者所有 ) 請(qǐng)注意法拉弟屏蔽使噪聲和耦合電流直接返回到噪聲源，而不再通過阻抗Ｚ 1 。 問：雜散電容是如何起作用的 ?答：讓我們看一下圖 14?8。在 250MHz 頻率條件下， 3pF 電容對(duì)應(yīng) 的電抗為 212?2Ω。 C=E R Ad 其中： C=電容，單位 pFE R =空氣介電常數(shù) A=平行導(dǎo)體面積，單位 mm 2d=平行導(dǎo)體間的距離，單位 mm圖 14?6 平行板電容器模型 雜散電容或寄生電容一般出現(xiàn)在印制線路板上的平行導(dǎo)電條之間或印制線路板的相對(duì) 面上的導(dǎo)電條或?qū)щ娖矫嬷g，見圖 14?7。C 以上溫度工作、電容值范圍寬價(jià)格相當(dāng)貴、外形尺寸大、電感高 MOS電容器 0?01%DA 性能好，尺寸小，可在 +25176。使用表面安裝電容器 電容器的正確使用方 法如圖 14?5所示。 關(guān)于高頻去耦另一個(gè)需要說明的問題是電容器的實(shí)際物理分布。 關(guān)于高頻去耦的一般說明： 保證對(duì)模擬電路在高頻和低頻去耦都合適的最好方法是用電解電容器，例如一個(gè)鉭片電容與 一個(gè)單片陶瓷電容器相并聯(lián)。如果把這種電容器用作采樣保持放大器中的保 圖 14?4 介質(zhì)吸收作用使電容器快速放電 然后開路以恢復(fù)原來一部分電荷 持電容器，那么勢(shì)必對(duì)測(cè)量結(jié)果產(chǎn)生誤 差。如果電容 器在關(guān)心頻帶范圍的高頻損耗可以簡(jiǎn)化成串聯(lián)電阻模型，那么等效串聯(lián)電阻與總?cè)菘怪仁? 對(duì)損耗因數(shù)的一種很好的估算，即 DF≈ωR ESR C還可以證明，損耗因數(shù)等于電容器品質(zhì)因數(shù)或 Q值的倒數(shù)， 在電容器制造廠家的產(chǎn)品說明中 有時(shí)也給出這項(xiàng)指標(biāo)。請(qǐng)問它 的含義是什么 ? 答：好。單片陶瓷電容器是由多層夾層金屬 薄膜 和陶瓷薄膜構(gòu)成的，而且這些多層薄膜是按照母線平行方式排布的，而不是按照串行方式卷 繞的。 電解電容器、紙介電容器和塑料薄膜電容器不適合用于高頻去耦。 中國(guó)最龐大的實(shí)用下載資料庫 (負(fù)責(zé)整理 . 版權(quán)歸原作者所有 ) 等效串聯(lián)電感 (ESL)， L ESL ：電容器的等效串
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