電容器的寄生作用與雜散電容doc13-經(jīng)營(yíng)管理(專業(yè)版)
【正文】 在集成電路芯片的接合線 (bond wires)之間不能采用法拉弟屏蔽，主要原因是在 芯片的兩條接合線與其相聯(lián)的引線框架之間的雜散電容大約為 0?2pF(見(jiàn)圖 14?11)，觀測(cè)值 一般在 0?05pF至 0?6pF之間。如果我們幾乎或不能控制 V N ，或不能改變電路阻抗 Z 1 的位置，那么最好的解決方法是插入一 個(gè)法拉弟屏蔽。C，電容器受到損害、外形尺寸大、電感高 聚丙烯電容器 0?001%～ 0?0 2%價(jià)格便宜、 DA 很低、電容值范圍寬溫度高于 +105176。這類電容器介質(zhì)吸收率很低 (典型值＜ 0?01%)。這種結(jié)構(gòu)的電容具有相當(dāng)大的 自 感，而且當(dāng)頻率只要超過(guò)幾兆赫時(shí)主要起電感的 作用。 問(wèn)：那么表征非理想電容器性能的最重要的參數(shù) 有哪些 ?答：最重要的參數(shù)有四種：電容器泄漏電阻 RL(等效并聯(lián)電阻 EPR)、等效串聯(lián)電 阻 (ESR)、等效串聯(lián)電感 (ESL)和介電存儲(chǔ) (吸收 )。 “實(shí)際 ”電容 器模 型如圖 所示。 這就是在高頻情況下對(duì)這種電路的電源端要進(jìn)行適當(dāng)去耦的主要原因。因?yàn)榛謴?fù)電荷的數(shù)量是原來(lái)電荷的函數(shù) ，實(shí)際上這是一種電荷記憶效應(yīng)。安裝電容器靠近集成電路 問(wèn)：那么應(yīng)該如何減小雜散電容呢 ?答：減小雜散電容耦合影響的一種方法是使用法拉弟屏蔽 (Faraday shield)，它 是在耦合源與受影響電路之間的一種簡(jiǎn)捷接地導(dǎo)體。如果無(wú)法焊接到可伐合金蓋上，可使用 接地的磷青銅片做接地連接，或使用導(dǎo)電涂料將可伐合金蓋與接地引腳連接。由此引起的數(shù)字邊緣耦合勢(shì)必降低轉(zhuǎn)換器的性能。電容耦合的另一個(gè)例子是側(cè)面鍍銅陶瓷集成電路外殼。C 以上溫度工作，電感低限制供應(yīng)、只提供小電容值 聚碳酸酯電容器 0?1%穩(wěn)定性好、價(jià)格低、溫度范圍寬外形尺寸大、DA限制到 8位應(yīng)用、電感高 聚酯電容器 0?3%～ 0?5%穩(wěn)定性中等、價(jià)格低、溫度范圍寬、電感低外形尺寸大、 DA限制到 8位應(yīng)用、電感高 單片陶瓷電容器 (高 k 值 )＞ 0?2%電感低、電 容值范圍寬穩(wěn)定性差、DA性能差、電壓系數(shù)高 云母電容器 ＞ 0?003%高頻損耗低、電感低、穩(wěn)定性好、效率優(yōu)于1%外形尺寸很大、電容值低 (＜ 10nF)、價(jià)格貴 鋁電解電容器 很高電容值高、電流大、電壓高、尺寸小泄漏大、通常有極性、穩(wěn)定性差、精度低、電感性 中國(guó)最龐大的實(shí)用下載資料庫(kù) (負(fù)責(zé)整理 . 版權(quán)歸原作者所有 ) 鉭電解電容器 很高尺寸小、電容值大、電感適中泄漏很大、通常有極性、價(jià)格貴、穩(wěn)定性差、精度差 用，下面讓我們討論一下稱作 “雜散 ”電容 (stray capacitance)的另一種寄生作用。這樣兩種電容器相并聯(lián)不但在低頻去耦性能很好，而且在頻率 很高的情況下仍保持優(yōu)良的性能。 單片陶瓷電容的不足之處是具有顫噪聲 (即對(duì)振動(dòng)敏感 )，所以有些單片陶瓷電容器可能會(huì)出
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