電容器的寄生作用與雜散電容（doc13）-經(jīng)營管理-文庫吧
2025-07-11 19:41 本頁面
【正文】 號模擬電路不會有很大的影響 。 R ESR 最低的電容器是云母電容器和薄膜電容器。 中國最龐大的實(shí)用下載資料庫 (負(fù)責(zé)整理 . 版權(quán)歸原作者所有 ) 等效串聯(lián)電感 (ESL)， L ESL ：電容器的等效串聯(lián)電 感是由電容器的引腳電感與電容器兩個極板的等效電感串聯(lián)構(gòu)成的。像 R ESR 一樣， L ESL 在射頻或高頻工作環(huán)境下 也會出現(xiàn)嚴(yán)重問題，雖然精密電路本身在直流或低頻條 件下正常工作。其原因是用子精密模擬電路中的晶體管在過渡頻率 (transition freque ncie s)擴(kuò)展到幾百兆赫或幾吉赫的情況下，仍具有增益，可以放大電感值很低的諧振信號。 這就是在高頻情況下對這種電路的電源端要進(jìn)行適當(dāng)去耦的主要原因。 電解電容器、紙介電容器和塑料薄膜電容器不適合用于高頻去耦。這些電容器基本上是由多 層塑料或紙介質(zhì)把兩張金屬箔隔開然后卷成一個卷筒制成的。這種結(jié)構(gòu)的電容具有相當(dāng)大的 自 感，而且當(dāng)頻率只要超過幾兆赫時(shí)主要起電感的 作用。對于高頻去耦更合適的選擇應(yīng)該是單 片陶瓷電容器，因?yàn)樗鼈兙哂泻艿偷牡刃Т?lián)電感。單片陶瓷電容器是由多層夾層金屬 薄膜 和陶瓷薄膜構(gòu)成的，而且這些多層薄膜是按照母線平行方式排布的，而不是按照串行方式卷 繞的。 單片陶瓷電容的不足之處是具有顫噪聲 (即對振動敏感 )，所以有些單片陶瓷電容器可能會出 現(xiàn)自共振，具有很高的 Q值，因?yàn)榇?lián)電阻值及與其在一起的電感值都很低。另外，圓片陶 瓷電容器，雖然價(jià)格不太貴，但有時(shí)電感很大。 中國最龐大的實(shí)用下載資料庫 (負(fù)責(zé)整理 . 版權(quán)歸原作者所有 ) 問：在電容器選擇表中，我看到 “損耗因數(shù) ”這個術(shù)語。請問它 的含義是什么 ? 答：好。因 為電容器的泄漏電阻、等效串聯(lián)電阻和等效串聯(lián)電感，這三項(xiàng)指標(biāo)幾 乎總是很難分開，所以許多電容器制造廠家將它們合并成一項(xiàng)指標(biāo)，稱作損耗因數(shù) (disspat ion factor)，或 DF，主要用來描述電容器的無效程度。損耗因數(shù)定義為電容器每周期損耗 能量與儲存能量之比。實(shí)際上，損耗因數(shù)等于介質(zhì)的功率因數(shù)或相角的余弦值。如果電容 器在關(guān)心頻帶范圍的高頻損耗可以簡化成串聯(lián)電阻模型，那么等效串聯(lián)電阻與總?cè)菘怪仁? 對損耗因數(shù)的一種很好的估算，即 DF≈ωR ESR C還可以證明，損耗因數(shù)等于電容器品質(zhì)因數(shù)或 Q值的倒數(shù)， 在電容器制造廠家的產(chǎn)品說明中 有時(shí)也給出這項(xiàng)指標(biāo)。介質(zhì)吸收， R DA ， C DA ：單 片陶瓷電容器非常適用于高頻去耦， 但是考慮介質(zhì)吸收問題，這種電容器不適用于采樣保持放大器中的保持電容器。介質(zhì)吸收是 一種有滯后性質(zhì)的內(nèi)部電荷分布，它使快速放電然后開路的電容器恢復(fù)一部分電荷，見圖 14. 4。因?yàn)榛謴?fù)電荷的數(shù)量是原來電荷的函數(shù) ，實(shí)際上這是一種電荷記憶效應(yīng)。如果把這種電容器用作采樣保持放大器中的保 圖 14?4 介質(zhì)吸收作
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