電容器的寄生作用與雜散電容（doc13）-經營管理-文庫吧
2025-07-11 19:41 本頁面
【正文】 號模擬電路不會有很大的影響 。 R ESR 最低的電容器是云母電容器和薄膜電容器。 中國最龐大的實用下載資料庫 (負責整理 . 版權歸原作者所有 ) 等效串聯電感 (ESL)， L ESL ：電容器的等效串聯電 感是由電容器的引腳電感與電容器兩個極板的等效電感串聯構成的。像 R ESR 一樣， L ESL 在射頻或高頻工作環(huán)境下 也會出現嚴重問題，雖然精密電路本身在直流或低頻條 件下正常工作。其原因是用子精密模擬電路中的晶體管在過渡頻率 (transition freque ncie s)擴展到幾百兆赫或幾吉赫的情況下，仍具有增益，可以放大電感值很低的諧振信號。 這就是在高頻情況下對這種電路的電源端要進行適當去耦的主要原因。 電解電容器、紙介電容器和塑料薄膜電容器不適合用于高頻去耦。這些電容器基本上是由多 層塑料或紙介質把兩張金屬箔隔開然后卷成一個卷筒制成的。這種結構的電容具有相當大的 自 感，而且當頻率只要超過幾兆赫時主要起電感的 作用。對于高頻去耦更合適的選擇應該是單 片陶瓷電容器，因為它們具有很低的等效串聯電感。單片陶瓷電容器是由多層夾層金屬 薄膜 和陶瓷薄膜構成的，而且這些多層薄膜是按照母線平行方式排布的，而不是按照串行方式卷 繞的。 單片陶瓷電容的不足之處是具有顫噪聲 (即對振動敏感 )，所以有些單片陶瓷電容器可能會出 現自共振，具有很高的 Q值，因為串聯電阻值及與其在一起的電感值都很低。另外，圓片陶 瓷電容器，雖然價格不太貴，但有時電感很大。 中國最龐大的實用下載資料庫 (負責整理 . 版權歸原作者所有 ) 問：在電容器選擇表中，我看到 “損耗因數 ”這個術語。請問它 的含義是什么 ? 答：好。因 為電容器的泄漏電阻、等效串聯電阻和等效串聯電感，這三項指標幾 乎總是很難分開，所以許多電容器制造廠家將它們合并成一項指標，稱作損耗因數 (disspat ion factor)，或 DF，主要用來描述電容器的無效程度。損耗因數定義為電容器每周期損耗 能量與儲存能量之比。實際上，損耗因數等于介質的功率因數或相角的余弦值。如果電容 器在關心頻帶范圍的高頻損耗可以簡化成串聯電阻模型，那么等效串聯電阻與總容抗之比是 對損耗因數的一種很好的估算，即 DF≈ωR ESR C還可以證明，損耗因數等于電容器品質因數或 Q值的倒數， 在電容器制造廠家的產品說明中 有時也給出這項指標。介質吸收， R DA ， C DA ：單 片陶瓷電容器非常適用于高頻去耦， 但是考慮介質吸收問題，這種電容器不適用于采樣保持放大器中的保持電容器。介質吸收是 一種有滯后性質的內部電荷分布，它使快速放電然后開路的電容器恢復一部分電荷，見圖 14. 4。因為恢復電荷的數量是原來電荷的函數 ，實際上這是一種電荷記憶效應。如果把這種電容器用作采樣保持放大器中的保 圖 14?4 介質吸收作
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