電容器的寄生作用與雜散電容doc13-經(jīng)營(yíng)管理(更新版)
【正文】 產(chǎn) 廠(chǎng)家沒(méi)有接地的可伐合金蓋接地。由此引起的數(shù)字邊緣耦合勢(shì)必降低轉(zhuǎn)換器的性能。這種鎖存緩沖器在快速數(shù)據(jù)總線(xiàn)與高性能數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器之間起到一個(gè)法拉弟 屏蔽作 用。如果無(wú)法焊接到可伐合金蓋上，可使用 接地的磷青銅片做接地連接，或使用導(dǎo)電涂料將可伐合金蓋與接地引腳連接。生產(chǎn)廠(chǎng)家只能提供兩種封裝選擇：一種是將金屬圈連接到器件封裝角上的一 個(gè)引 腳上；另一種是保留金屬圈不連接。 問(wèn)：那么應(yīng)該如何減小雜散電容呢 ?答：減小雜散電容耦合影響的一種方法是使用法拉弟屏蔽 (Faraday shield)，它 是在耦合源與受影響電路之間的一種簡(jiǎn)捷接地導(dǎo)體。它不能不斷地減小，也不能像法拉弟屏 蔽一樣用導(dǎo)體進(jìn)行屏蔽。安裝電容器靠近集成電路 如果每個(gè)集成電路和鉭電容器 之間相當(dāng)寬的印制線(xiàn)路板導(dǎo)電條長(zhǎng)度小于 10cm，可 在幾個(gè)集成電路之間共用一個(gè)鉭電容器。因?yàn)榛謴?fù)電荷的數(shù)量是原來(lái)電荷的函數(shù) ，實(shí)際上這是一種電荷記憶效應(yīng)。 中國(guó)最龐大的實(shí)用下載資料庫(kù) (負(fù)責(zé)整理 . 版權(quán)歸原作者所有 ) 問(wèn)：在電容器選擇表中，我看到 “損耗因數(shù) ”這個(gè)術(shù)語(yǔ)。 這就是在高頻情況下對(duì)這種電路的電源端要進(jìn)行適當(dāng)去耦的主要原因。 等效串聯(lián)電阻 (ESR)， R ESR ：電容器的等效串聯(lián) 電阻是由電容器的引腳電阻與電容器兩個(gè)極板的等效電阻相串聯(lián)構(gòu)成的。 “實(shí)際 ”電容 器模 型如圖 所示。一般來(lái)說(shuō)，按應(yīng)用分 類(lèi)，大多數(shù)電容器通常分為以下四種類(lèi)型 (見(jiàn)圖 )： 交流耦合，包括旁路 (通過(guò)交流信號(hào)，同 時(shí)隔直流信號(hào) ) 問(wèn)：那么表征非理想電容器性能的最重要的參數(shù) 有哪些 ?答：最重要的參數(shù)有四種：電容器泄漏電阻 RL(等效并聯(lián)電阻 EPR)、等效串聯(lián)電 阻 (ESR)、等效串聯(lián)電感 (ESL)和介電存儲(chǔ) (吸收 )。但對(duì)精密高阻抗、小信號(hào)模擬電路不會(huì)有很大的影響 。這種結(jié)構(gòu)的電容具有相當(dāng)大的 自 感，而且當(dāng)頻率只要超過(guò)幾兆赫時(shí)主要起電感的 作用。損耗因數(shù)定義為電容器每周期損耗 能量與儲(chǔ)存能量之比。這類(lèi)電容器介質(zhì)吸收率很低 (典型值＜ 0?01%)。 為了消除引腳電感，理想的高頻去耦電容器應(yīng)該使用表面安裝元件。C，電容器受到損害、外形尺寸大、電感高 聚丙烯電容器 0?001%～ 0?0 2%價(jià)格便宜、 DA 很低、電容值范圍寬溫度高于 +105176。通過(guò)實(shí)例說(shuō)明如何用上述電容公式計(jì)算印制線(xiàn)路板相對(duì)面上的導(dǎo)電條產(chǎn)生的雜散電容 。如果我們幾乎或不能控制 V N ，或不能改變電路阻抗 Z 1 的位置，那么最好的解決方法是插入一 個(gè)法拉弟屏蔽。側(cè)面鍍銅陶瓷 DIP封裝，有時(shí)有隔離的可伐合金 蓋 在集成電路芯片的接合線(xiàn) (bond wires)之間不能采用法拉弟屏蔽，主要原因是在 芯片的兩條接合線(xiàn)與其相聯(lián)的引線(xiàn)框架之間的雜散電容大約為 0?2pF(見(jiàn)圖 14?11)，觀(guān)測(cè)值 一般在 0?05pF至 0?6
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