igbt基礎(chǔ)與運(yùn)用講義(文件)
【正文】 柵極電流對Cge和Cgc電容充電，IGBT的開始開啟的過程了，集電極電流開始增加，達(dá)到最大負(fù)載電流電流 IC，由于存在二極管的反向恢復(fù)電流，因此這個過程與MOS管的過程略有不同，同時柵極電壓也達(dá)到了米勒平臺電壓。第5階段：這個時候柵極電流繼續(xù)對Cge充電，Vge電壓開始上升，整個IGBT完全打開。，而且電容兩端的電壓時刻在變化，我們無法完全整理出一條思路來。因此如果有人要核算整個柵極控制時序和時間，利用電容充電的辦法大致給出一個很粗略的結(jié)果是可以的，如果要精確的，算不出來?？蛰d的和帶負(fù)載的，可能情況有很大的差異。柵極電阻值小——充放電較快，能減小開關(guān)時間和開關(guān)損耗，增強(qiáng)工作的耐固性，避免帶來因dv/dt的誤導(dǎo)通。一般的：開通電壓15V177。IGBT的導(dǎo)通開關(guān)速度實(shí)質(zhì)上只能與所用續(xù)流二極管反向恢復(fù)特性相兼容的水平?？刂瓢迮c柵極驅(qū)動電路需要防止功率電路和控制電路之間的電感耦合。耦合干擾與噪聲IGBT的開關(guān)會使用相互電位改變，PCB板的連線之間彼此不宜太近，過高的dv/dt會由寄生電容產(chǎn)生耦合噪聲。但是為了防止關(guān)斷延遲效應(yīng)造成上下橋臂直通，因?yàn)橐粋€橋臂未完全關(guān)斷，而另一橋臂又處于導(dǎo)通狀態(tài)，直通炸模塊后后果非常嚴(yán)重（最好的結(jié)果是過熱）。在汽車電子應(yīng)用中，特別要注意環(huán)境溫度對toff的影響很大，使得toff延長，并且柵極電阻的加入也是的關(guān)斷時間受一定的影響，因此需要進(jìn)行調(diào)整。死區(qū)時間大，模塊工作更加可靠，但會帶來輸出波形的失真及降低輸出效率。由于IGBT等功率器件都存在一定的結(jié)電容，所以會造成器件導(dǎo)通關(guān)斷的延遲現(xiàn)象。柵極保護(hù)為了保險起見，可采用TVS等柵極箝位保護(hù)電路，考慮放置于靠近IGBT模塊的柵極和發(fā)射極控制端子附近。柵極電阻與關(guān)斷變化圖柵極驅(qū)動的印刷電路板布線需要非常注意，核
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