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igbt基礎(chǔ)與運(yùn)用講義(留存版)

2025-08-28 16:15上一頁面

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【正文】 院》77套講座+ 324份資料...../Shop/《員工管理企業(yè)學(xué)院》67套講座+ 8720份資料...../Shop/《工廠生產(chǎn)管理學(xué)院》52套講座+ 13920份資料...../Shop/《財(cái)務(wù)管理學(xué)院》53套講座+ 17945份資料 柵極發(fā)射極電容 集電極發(fā)射極電容 門級(jí)集電極電容(米勒電容)Cies = CGE + CGC 輸入電容Cres = CGC這么算的話,就等于用指數(shù)曲線,代替了整個(gè)上升過程,結(jié)果與等效的過程還是有些差距的。雖然我們盡量考慮去降低該影響(提高控制極驅(qū)動(dòng)電壓電流,設(shè)置結(jié)電容釋放回路等)。IGBT基礎(chǔ)與運(yùn)用2 中英飛凌的電路比較典型。柵極電阻:其目的是改善控制脈沖上升沿和下降沿的斜率,并且防止寄生電感與電容振蕩,限制IGBT集電極電壓的尖脈沖值。Vge仍舊維持在米勒平臺(tái)上。漏極電流的下降時(shí)間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成,而總的關(guān)斷時(shí)間可以稱為toff=td(off)+trv十t(f),td(off)+trv之和又稱為存儲(chǔ)時(shí)間。...../Shop/《銷售經(jīng)理學(xué)院》56套講座+ 14350份資料...../Shop/《銷售人員培訓(xùn)學(xué)院》72套講座+ 4879份資料...../Shop/籌備了一段時(shí)間,也找了不少的資料將準(zhǔn)備開始整理和學(xué)習(xí)IGBT的材料。,而且電容兩端的電壓時(shí)刻在變化,我們無法完全整理出一條思路來。一般的:開通電壓15V177。但是為了防止關(guān)斷延遲效應(yīng)造成上下橋臂直通,因?yàn)橐粋€(gè)橋臂未完全關(guān)斷,而另一橋臂又處于導(dǎo)通狀態(tài),直通炸模塊后后果非常嚴(yán)重(最好的結(jié)果是過熱)。柵極保護(hù)為了保險(xiǎn)起見,可采用TVS等柵極箝位保護(hù)電路,考慮放置于靠近IGB
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