場效應晶體管的補充ii(文件)
【正文】 變的源漏結(jié) , 注入點離開金屬結(jié) , 二電阻較大 . 半導體器件原理 南京大學 ?薄層電阻 : ?接觸電阻 : 短接觸 長接觸 自對準硅化物工藝中的電阻 (薄層電阻和接觸電阻均大大減小 ) 半導體器件原理 南京大學 半導體器件原理 南京大學 2。 電阻減小兩倍，而電容基本不變（單位電容增加） 但實際并非如此，因閾值電壓與關斷電流的矛盾。 半導體器件原理 南京大學 半導體器件原理 南京大學 3. 延遲對電源電壓和閾值電壓的影響 半導體器件原理 南京大學 電源電壓與閾值電壓設計平面中的功率與延遲的折衷 半導體器件原理 南京大學 4. 延遲對寄生電阻和電容的依賴 （ 1）延遲對寄生電阻的依賴 半導體器件原理 南京大學 2）延遲對交迭電容的依賴 半導體器件原理 南京大學 （ 3）米勒效應：電容兩邊的充電電壓隨時間而改變所引起 半導體器件原理 南京大學 （ 4）延遲對結(jié)電容的依賴 半導體器件原理 南京大學 先進 CMOS器件與 MOS電容的應用 1. SOI CMOS SOI 襯底由氧離子注入（ SIMOX）和鍵合技術，材料技術與現(xiàn)有 CMOS兼容性的進步，使之特別適合于 VLSI的應用。 ?短溝道器件中，埋層氧化層象一寬的柵耗盡區(qū)，使源漏電場極易穿過而導致差的短溝道效應。 ?技術與工藝的困難 低溫工藝的要求 源漏電阻的增大又將消除性能的改進。 半導體器件原理 南京大學 4. MOS電容的應用 半導體器件原理 南京大學 半導體器件原理 南京大學 半導體器件原理 南京大學 半導體器件原理
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