【正文】 相當于 Dnb擴大了一倍 . 非理想效應 有效基區(qū)擴展效應 ◆ 均勻基區(qū)晶體管， 結構?? NPP電中性條件 D n A PqN X qN X?大電流下，空穴的注入使得 ()()DDAAq N q N pq N q N p???? ???????? ??基本不變pnnxxx 39。 (2)當 pND時 ,特大注入 , xm→0 有效基區(qū)擴展到CB結冶金結處。0 1 cmmcrJxxJ????????? 非理想效應 發(fā)射區(qū)重摻雜效應（發(fā)射區(qū)禁帶變窄） 發(fā)射區(qū)過重的摻雜不僅不能提高發(fā)射效率，反而使發(fā)射效率降低 *形成雜質帶尾 ，禁帶變窄 39。 ?定義：電極端部至根部電位差 =kT／ q時所對應的發(fā)射極條長度為 有效長度（ Leff） 非理想效應 發(fā)射極有效長度 ( 所對應的條長 ) /v k T q??3 Me ffEMn S k TLI R q?發(fā)射極條等效電阻 , 3 MeMMRLRS?n個 e極條 ,每條電流為 EIn條長方向壓降 : 3E M eMI R LVnS?? 非理想效應 晶體管的擊穿電壓 ? ：集電極開路時 e,b間反向擊穿電壓 ? ：發(fā)射極開路時 c,b間反向擊穿電壓 ? ：基極開路時 e,b間所能承受的最高反向電壓 1. 擊穿電壓的定義 . eboBVcboBVceoBV 非理想效應 2. 影響擊穿電壓的因素及其關系 對合金管， 由基區(qū)電阻率確定 對平面管， 對外延平面管，若外延層厚度 ，則 大大降低 eboBVcboBV,C B c bo e boN N B V B V? ? ? ?cboBV0 mbWx? cboBVVBV EB 40 ?： eb結通常正偏，只要求 ，易于滿足 . 非理想效應 與 的關系 : C極電流即穿透電流 得 時 擊穿。 反映了共射極電流放大倍數(shù) β 隨電流和電壓的變化 。 ， 考慮了外延層電荷存儲引起的準飽和效應 。 ② β截止頻率 ：定義為 β由低頻值 下降到 所對應的頻率。 ???? ? eeTcedccsc ricjiiri ????◆ 共發(fā)射極運用 1. β 與頻率的關系 將 α (f)代入 β = α /(1 α )即得 β (f),然而 , α 用的是 cb短路 , β 用的是 ce短路 ,所以應先求得 ce短路下的 α (f)，由圖 328, ce短路下回路應有 39。然而，作開關時晶體管處理的是變化的大信號，而研究頻率效應時則假定輸入信號幅度只有較小的變化。假定截止電壓，于是發(fā)射結反偏。發(fā)射結空間電荷區(qū)變窄，離化施主和受主被中和。（ b）驅動晶體管的基極輸入。我們稱這段時間為上升時間，在這段時間內集電極電流由最終值的 10％增加到 90％。肖特基鉗位晶體管的電路符號如圖 。在前面的章節(jié)中我們知道，肖特基二極管的開啟電壓大約只有 pn結的一半。肖特基晶體管的基區(qū)中，過剩電荷大大減少了，于是儲存時間大大減小了 —— 在肖特基晶體管中，儲存時間通常為 1納秒或更小。多晶硅發(fā)射區(qū)雙極晶體管應用在最近的一些集成電路中， SiGe基區(qū)晶體管和異質結晶體管 HBT多用于高頻 /高速的電路中。將赭摻進硅中，那么同純硅相比，其禁帶寬度會降低。由于赭的濃度非常小，這兩種晶體管的發(fā)射結實際上是完全一樣的。 其它的雙極晶體管結構 其它的雙極晶體管結構 異質結雙極晶體管 ? 圖 /砷化鎵異質結雙極晶體管的橫截面圖。寬禁帶發(fā)射區(qū)摻雜濃度降低，于是結電容減小，提高了器件的速度。 ? 砷化鎵的一個缺點是少子壽命較小。每一種晶體管都有三個不同的摻雜區(qū)和兩個 pn結。少子擴散過基區(qū)進入集電結空間電荷區(qū)，在那里，它們被掃入集電區(qū)。器件中主要的電流由這些少子的擴散決定。 ? 。 ? — 穿通和雪崩擊穿。小信號 hp模型應用于晶體管處于正向有源模式，用于線性放大時。開關特性的一個重要的參數(shù)是電荷存儲時間，它反映了晶體管由飽和轉變?yōu)榻刂沟目炻?BC結點壓最大為多少滿足小注入條件？ 。（ a）畫出其能帶圖（ b）畫出器件中的電場（ c）晶體管處于正向有源區(qū)時重復（ a），（ b） pnp型雙極晶體管， T=300K。頻率響應是發(fā)射結電容充電時間，基區(qū)渡越時間，集電結耗盡區(qū)渡越時間，和集電結電容充電時間的函數(shù)。 EM模型和等效電路對于晶體管的所有工作模式均適用。 ? 。發(fā)射效率考慮了從基區(qū)注入到發(fā)射區(qū)的載流子，基區(qū)輸運系數(shù)反映了載流子基區(qū)中的復合，復合系數(shù)反映了載流子在正偏發(fā)射結內部的復合。這就是其基本的工作原理。 ? 晶體管工作于正向有源區(qū)時，發(fā)射結正偏，集電結反偏。曾有過電流增益為 150的報導。砷化鎵中電子的遷移率大約是硅中的 5倍；于是，砷化鎵的基區(qū)渡越時間非常短。勢壘較高，因此就限制了從基區(qū)反注入發(fā)射區(qū)的空穴的數(shù)量。而基極電流是由發(fā)射結參數(shù)決定的，因此兩種晶體管的基極電流實際上是完全一樣的。我們想要的赭分布是，在靠近發(fā)射結處赭濃度最小、在靠近集電結處，赭濃度最大。如圖所示， p型基區(qū)和 n型多晶硅之間有一層非常薄的 n＋型單晶硅區(qū)。第一種結構是多晶硅發(fā)射區(qū)雙極晶體管。在基區(qū)和集電區(qū)的集電結位置的過剩少子濃度是集電結電壓的指數(shù)函數(shù)。肖特基鉗位晶體管或者說肖特基晶體管就是一個普通的晶體管。 大信號開關 肖特基鉗位晶體管 ? 減小儲存時間，提高晶體管轉換速度的一種常用的方法是采用肖特基鉗位晶體管。 ? 在下一段時間內，基極電流提供電荷使發(fā)射結電壓從接近截止態(tài)上升到飽和態(tài)。在這段時間內集電極電流從零上升為它的最終值的 10％，這段時間稱為延遲時間。我們設足夠大，能將晶體管驅動到飽和態(tài)。我們將描述在轉換過程中在晶體管內發(fā)生的物理過程。適當提高基區(qū)雜質濃度梯度 ,以建立一定的基區(qū)自建電場。*39。B圖 GP模型等效電路 等效電路模型 GP模型 等效電路模型 GP模型 由以上兩式和愛因斯坦關系式 ；且 則有 等效電路模型 HP模型 線性電路中，晶體管工作在放大區(qū)，我們只對正弦信號感興趣，故有 HP模型 完整的 HP等效電路如右： 了解 hp模型的各個組成部分 重點在各參數(shù)的意義 定義 :輸出端交流短路時輸出端與輸入端的交流電流之 比為交流短路電流放大系數(shù)。 ， 改善了高電平下的伏安特性 。 * 薄基區(qū)導致兩個結的相互作用，流過每個結的電流都應由兩個結上的電壓所決定。 ◆ 發(fā)射區(qū)有效寬度 取薄層 dy, IB（ y）在dy上的壓降為： dy 非理想效應 ? ? ? ? ? ? ? ?b B b B b Bebdyd V y d r I y I y J y d yLW??? ? ?據(jù)電流連續(xù)原理 ? ? ? ? ? ? ? ? dyLYJdIYIdYLYJYI ECBBEEB ???????兩邊同除以 經整理后 得 dyWLBE? ? ? ?2210bEbkTdVJq kT vd y qkTWq??????? ? ?????? ???????????解此二階常微分方程 非理想效應 ? ? ? ? ? ?? ?1210/bEEbJk T k TV y c h yq q W k T q??????????? ????????代入 可得電流的 Y向分布， y越大 ,JE越大 ,集邊效應越顯著 . ? ? ? ? ? ? /0 Eq v y k TEEJ y J e?◆ 發(fā)射極有效寬度：從發(fā)射極中心到邊緣處的橫向壓降為 kT／ q 所對應的條寬 ，記為 , ◆ 有效半寬度： 2 effSeffS ? ? ? ?1210be ffbEkTWqSaJ??????????? 非理想效應 設 處 , JE為峰值 JEP,得 E極電流平均值 effyS?? ? ? ?07 1 1 EEEP JeJJ ?? ?? ? ? ? 01 ( 0 ) 1 . 7 1 8 ( 0 )0qvKTkTqE E Ee ffJ J e d v JV S V??? ??用 JEP 表示 Seff: ? ? 12/ be ffb EPk T q wSJ????? ?????用 表示 Seff E J ? ? 12/ be ffbEk T q wSJ????????? 非理想效應 高頻下 : ? ? 12/2 .1 7 6 bTe ffb EPk T q w fSJf????????? ? 12/1 .7 3 0 bTe ffbEk T q w fSJf???? ????◆ 發(fā)射極有效長度（ Leff） （ 2μm）、窄，大電流時，其電阻不可忽略。 02mm xX ?(3) 時 39。()D n A Pq N p X q N X??正電荷密度增加 負電荷密度減