透明導電薄膜tco之原理及其應用發(fā)展-wenkub
2022-08-17 06:02:37 本頁面
【正文】 ?? ?Au、 Ag、 Pt、 Cu、 Al、 Cr、 Pd、 Rh，在 10nm厚度的薄膜， 均有某種程度的可見光透光度 ?早期使用之透明電極 ?缺點：光的吸收度大、硬度低、穩(wěn)定性差 透明導電薄膜 透明導電薄膜 ?金屬化合物薄膜 (TCO) 泛指具有透明導電性之氧化物、氮化物、氟化物 a. 氧 (氮 )化物： In2O SnO ZnO、 CdO、 TiN b. 摻雜氧化物： In2O3:Sn (ITO)、 ZnO:In (IZO)、 ZnO:Ga (GZO) ZnO:Al (AZO)、 SnO2:F、 TiO2:Ta c. 混合氧化物： In2O3ZnO、 CdIn2O Cd2SnO Zn2SnO4 History of TCO ??? 1907年 最早使用 CdO材料為透明導電鍍膜，應用在 photovoltaic cells. ? 1940年代 ，以 Spray Pyrolysis及 CVD 方式沉積 SnOx於玻璃基板上 . ?? ? 1970年代 ，以 Evaporation 及 Sputtering 方式沉積 InOx及 ITO. ??? 1980年代 ，磁控濺鍍 ﹙ magron sputtering﹚ 開發(fā)，使低溫沉膜製程，不 論在玻璃及塑膠基板均能達到低面阻值、高透性 ITO薄膜 . ??? 1990年代 ，具有導電性之 TCO陶瓷靶材開發(fā)，使用 DC 磁控濺鍍 ITO，使 沉積製程之控制更趨容易，各式 TCO材料開始廣泛被應用 . ??? 2022年代 ，主要的透明導電性應用以 ITO 材料為主，磁控濺鍍 ITO成為市 場上製程的主流 . 透明導電薄膜主角 ITO ? 中文名稱： 銦錫氧化物 ? 英文全名： Indium Tin Oxide（ ITO） ? 成分： 摻雜錫之銦氧化物 (Tindoped Indium Oxide) ? 年代： 1934年被美國銦礦公司最早合成出來 ? 世界最大 ITO薄膜製造國： 日本 ? 選用率： 在 TCO材料中， 75%應用在平面顯示器 ? 主要應用： 平面顯示器、透明加熱元件、抗靜電膜、電 磁、防護膜、太陽能電池之透明電極、防反 光塗佈及熱反射鏡 (heat reflecting mirror)等 電子
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