集成電路分析與設(shè)計(jì)課程設(shè)計(jì)-wenkub
2023-07-10 03:11:48 本頁(yè)面
【正文】 穿，使MOS器件失效，因此要設(shè)置保護(hù)電路。N=從中得出M3管尺寸為： 由于輸出級(jí)部分要驅(qū)動(dòng)TTL電路，其尺寸較大，因而必須在與非門輸出與輸出級(jí)之間加入一級(jí)緩沖門M1，如圖8所示。圖7 Cs的緩沖級(jí)Cs的緩沖級(jí)設(shè)計(jì)過(guò)程如下：Cs的緩沖級(jí)與輸入級(jí)和內(nèi)部門的關(guān)系如圖7所示。所以（W/L）P2 =（2）輸入級(jí)P1管（W/L）P1的計(jì)算此P1管應(yīng)取內(nèi)部基本反相器的尺寸即（3）輸入級(jí)N1管（W/L）N1的計(jì)算由于要與TTL電路兼容，～，因此要選 取反相器的狀態(tài)轉(zhuǎn)變電平： 又知：式中 ， 解得= 所以= 緩沖級(jí)的設(shè)計(jì)由74HC139的邏輯圖可知，在輸入級(jí)中有三個(gè)信號(hào)：Cs、AA0。因此，N管的尺寸放大3倍，而P管尺寸不變，即：圖5 內(nèi)部邏輯門的電路 輸入級(jí)設(shè)計(jì)由于本電路是與TTL兼容，如果按正常內(nèi)部反相器進(jìn)行設(shè)計(jì)，則NP1構(gòu)成的CMOS將有較大直流功耗。③ 連線雜散電容CS CS＝一般CPN＋Cg≈10CS，可忽略CS作用。：， ， 。圖4 內(nèi)部反相器它的負(fù)載由以下三部分電容組成：①本級(jí)漏極的PN結(jié)電容CPN；②下級(jí)的柵電容Cg；③連線雜散電容CS。以|IOH|≤20μA，VOH，min=（W/L）P，min極限值：用PMOS管的理想電流方程分段表達(dá)式：PMOS低電平導(dǎo)通，Vs=5V Vg=0V Vd= Tox= Vto= Uo= Vgs= 5V Vds= PMOS工作在線性區(qū)Ids= 取相近整數(shù) 又N管和P管的充放電時(shí)間tr和tf表達(dá)式分別為： 以tr=tf為條件計(jì)算（W/L）P，min極限值。圖1 74HC139的管腳圖表1 74HC139真值表片選輸入數(shù)據(jù)輸出CsA1A0Y0Y1Y2Y300001110011011010110101111101111174HC139的邏輯表達(dá)式： ， ，74HC139的邏輯圖如圖2所示：圖2 74HC139的邏輯圖四、電路設(shè)計(jì) 工藝與設(shè)計(jì)規(guī)則和模型的選取 ：MOSIS: mhp_ns8 ： ********************************************************.model nmos nmos+ Level=2 Ld= Tox=+ Nsub=+16 Vto= Kp=+ Gamma=.639243 Phi= Uo=+ Uexp= Ucrit=174667 Delta=+ Vmax=177269 Xj=.9u Lambda=+ Nfs=+12 Neff= Nss=+10+ Tpg= Rsh=60 Cgso=+ Cgdo= Cj= Mj=+ Cjsw= Mjsw=.model pmos pmos+ Level=2 Ld=.03000u Tox= + Nsub=+16 Vto= Kp=+ Gamma= Phi=.541111 Uo=+ Uexp= Ucrit=637449 Delta=+ Vmax= Xj= Lambda= + Nfs=+11 Neff= Nss=+10+ Tpg= Rsh=150 Cgso=+ Cgdo= Cj= Mj=.341+ Cjsw=
法律信息相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1