【總結(jié)】19-6MOS工藝我們主要要了解各次光刻版的作用,為學(xué)習(xí)版圖設(shè)計(jì)打下基礎(chǔ)。(1)外延生長?外延生長為在單晶襯底(基片)上生長一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單品層的方法。生長外延層有多種方法,但采用最多的是氣相外延工藝,常使用高頻感應(yīng)爐加熱,襯底置于包有碳化硅、玻璃態(tài)石墨或熱分解石墨的高純石墨加熱體
2025-04-28 22:22
【總結(jié)】555定時(shí)器及其應(yīng)用555定時(shí)器用555定時(shí)器組成施密特觸發(fā)器用555定時(shí)器組成單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器用555定時(shí)器組成多諧振蕩器555定時(shí)器是一種應(yīng)用方便的中規(guī)模集成電路,廣泛用于信號(hào)的產(chǎn)生、變換、控制與檢測。555定時(shí)器及其應(yīng)用電阻分壓器電壓比較器基本SR鎖存器輸出緩沖反相器
2025-05-05 18:18
【總結(jié)】3/3xxx專業(yè)個(gè)人簡歷姓名:***性別:男出生日期:1977-03-01籍貫:深圳市目前城市:深圳市工作年限:五年以上目前年薪:15-30萬人民幣聯(lián)系電話:15900000000E-mail:xxxxxxx@(郵件&MSN)請(qǐng)換成自己的真實(shí)信箱!應(yīng)聘方向求職行業(yè):電子技術(shù)/半導(dǎo)體/集成
2025-05-14 04:40
【總結(jié)】CMOS集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)-數(shù)字集成電路基礎(chǔ)對(duì)邏輯門的基本要求1)魯棒性(用靜態(tài)或穩(wěn)態(tài)行為來表示)靜態(tài)特性常常用電壓傳輸特性(VTC)來表示即輸出與輸入的關(guān)系),傳輸特性上具有一些重要的特征點(diǎn)。邏輯門的功能會(huì)因制造過程的差異而偏離設(shè)計(jì)的期望值。(2)噪聲容限:芯片內(nèi)外的噪聲會(huì)使電路的響應(yīng)偏離設(shè)計(jì)的期望值(電感、電容耦合,電源
2025-07-15 18:10
【總結(jié)】賽迪顧問股份有限公司2023年8月背景?十八大提出“四化同步”,集成電路和軟件成為實(shí)現(xiàn)新四化的核心和基礎(chǔ)。?2023年中國電子信息產(chǎn)業(yè)規(guī)模超過10萬億,其中集成電路產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值僅為2158億,占比僅為2%,“缺芯少屏”成為制約信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的巨大瓶頸。?2023年,中國集成電路進(jìn)口總額達(dá)到1920
2025-01-14 09:24
【總結(jié)】第三章集成電路制造工藝第三章第三章§硅平面工藝§氧化絕緣層工藝§擴(kuò)散摻雜工藝§光刻工藝§掩模制版技術(shù)§外延生長工藝§金屬層制備工藝§
2025-04-30 13:59
【總結(jié)】2022年5月28日星期六集成電路原理及應(yīng)用能源工程學(xué)院1第8章語音和圖像集成電路收音機(jī)集成電路語音集成電路功放集成電路電視機(jī)及圖像處理集成電路家庭影院集成電路2022年5月28日星期六集成電路原理及應(yīng)用能源工程學(xué)院2收音機(jī)集成電路收音
2025-04-30 12:02
【總結(jié)】集成電路工藝原理復(fù)旦大學(xué)微電子研究院於偉峰SemiconductorVLSIProcessPrinciple半導(dǎo)體集成電路工藝原理2第四章擴(kuò)散(Diffusion)§引言§擴(kuò)散機(jī)理§擴(kuò)散方程及其解§影響雜質(zhì)分布的其他因素§
2025-01-18 20:36
【總結(jié)】集成電路分析與設(shè)計(jì)第一章集成電路基本制造工藝本章概要?雙極工藝流程?CMOS工藝流程?CMOS先進(jìn)工藝?BiCMOS工藝流程?無源器件雙極工藝流程典型NPN管剖面圖雙極工藝流程襯底選擇(1)襯底選擇對(duì)于典型的PN結(jié)隔離雙極集成電路,襯底一
2025-01-07 01:53
【總結(jié)】集成電路后端設(shè)計(jì)簡介第一部分簡單導(dǎo)言集成電路的發(fā)展?集成電路(IC:IntegratedCircuit)是指通過一系列特定的加工工藝,將晶體管、二極管等有源器件和電阻、電容、電感等無源器件,按照一定的電路互連,“集成”在一塊半導(dǎo)體晶片上,并封裝在一個(gè)外殼內(nèi),執(zhí)行特定電路或系統(tǒng)功能的一種器件。?1965年,In
2025-01-07 01:54
【總結(jié)】第一章CMOS集成電路工藝基礎(chǔ)1、半導(dǎo)體材料:N型半導(dǎo)體:N-NN+P型半導(dǎo)體:P-PP+2、CMOS集成電路工藝氧化工藝攙雜工藝淀積工藝鈍化工藝光刻和腐蝕工藝
2025-05-11 01:31
【總結(jié)】集成電路版圖基礎(chǔ)——電容版圖設(shè)計(jì)光電工程學(xué)院王智鵬一、電容概述?電容器,能夠存儲(chǔ)電荷的器件。?單位:法拉(F)兩塊導(dǎo)電材料中間存在絕緣介質(zhì)就會(huì)形成電容?電容充電二、MOS集成電路中的電容器MOS集成電路中的電容器幾乎都是平板電容器。平板電容器的電容表示式:C=εoε
2025-04-30 18:27
【總結(jié)】第九章版圖設(shè)計(jì)實(shí)例主要內(nèi)容1.CMOS門電路2.CMOSRAM單元及陣列3.CMOSD觸發(fā)器4.CMOS放大器5.雙極集成電路1.CMOS門電路(1)反相器電路圖
【總結(jié)】?2022/8/20東?南?大?學(xué)射?頻?與?光?電?集?成?電?路?研?究?所集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)王志功東南大學(xué)無線電系2022年東?南?大?學(xué)射?頻?與?光?電?集?成?電?路?研?究?所?2022/8/202第六章M
2025-08-01 14:45
【總結(jié)】集成電路工藝原理第七章金屬互聯(lián)本章概要?引言?金屬鋁?金屬銅?阻擋層金屬?硅化物?金屬淀積系統(tǒng)引言概述金屬化是芯片制造過程中在絕緣介質(zhì)薄膜上淀積金屬薄膜,通過光刻形成互連金屬線和集成電路的孔填充塞的過程。金屬線被夾在兩個(gè)絕緣介質(zhì)層中間形成電整體。高性
2025-04-30 18:17