cmos集成電路工藝基礎(chǔ)-wenkub
2023-05-22 01:31:49 本頁(yè)面
【正文】 0 Ω 但硅的導(dǎo)電能力隨溫度上升而增加，且變化非常明顯。則其電阻率變?yōu)椋??＝ 利用此特性可以制作熱敏器件 。 材料來(lái)源豐富，價(jià)格便宜 基于 Si半導(dǎo)體的工藝技術(shù)已經(jīng)相當(dāng)成熟 B） 砷化鉀 GaAs 是 III/IV族化合物 材料比較貴，比 Si片貴十幾倍 工藝制造比較成熟 GaAs的集成電路具有更好的性能 C） 磷化銦 也是 III/IV族化合物 主要應(yīng)用于光纖系統(tǒng)中 制作發(fā)光器件和 OEIC 工藝制造技術(shù)不時(shí)非常成熟 5． 絕緣材料的作用 在集成電路系統(tǒng)中，主要的絕緣材料有： SiO SiON、 SiN4 主要功能： 1）器件之間、有源層、導(dǎo)線層之間的絕 緣層。 硅和鍺的都是四價(jià)元素，原子的最外層軌道 上有四個(gè)電子。 ? 當(dāng)硅中摻入 Ⅲ 族元素 B時(shí)，硅中多數(shù)載流子為空穴，這種半導(dǎo)體稱為 P型半導(dǎo)體。 GDS D G SP si1. 擴(kuò)散：擴(kuò)散爐與氧化爐基本相同 ， 只是將要摻入的雜質(zhì)如 P或 B的源放入爐管內(nèi) 。 eDtN DtT xxP 4212)(2)( ?)1(3 10 15 cmN T ??2．離子注入 eN ppRxxN ]2[m a x 22)()( ??? ?σ p σ pN m a x0 Rp 深度 X硼原子數(shù)0 X ?其中： 離子注入的分布有以下兩個(gè)特點(diǎn)： 1． 離子注入的分布曲線形狀 （ Rp， б p） ， 只與離子的初始能量 E0有關(guān) 。 因此，離子注入方法可以精確地控制摻雜區(qū)域的濃度及深度。 AL離子束w a f e r、 淀積多晶硅 ? 淀積多晶硅一般采用化學(xué)汽相淀積 （ LPCVD） 的方法 。 采用 在 700176。 ? 目前 ， 廣泛采用的是氮化硅做保護(hù)膜 ， 其加工過(guò)程是在 450176。 那時(shí)的光刻機(jī) 采用接觸式 的。 存在問(wèn)題是： （ 1） Mask難做，要求平坦，不能有缺陷。代表產(chǎn)品有：美國(guó)的 GCA， 日本的 Canon，Nikon及荷蘭的 ASM。 ? 90年代對(duì) Stepper的改進(jìn)大致兩個(gè)方面， ? 一是在光源上： （ 1）用 Iline的紫外線，波長(zhǎng)在 365nm， 可加工~ m的芯片。 、外延生長(zhǎng) 外延生長(zhǎng)是用同質(zhì)材料形成具有不同摻雜種類及濃度而具有不同性能的晶體層 外延層（ P） 單晶硅 器件和 IC都制作在外延層 第四節(jié) CMOS集成電路加工過(guò)程簡(jiǎn)介 *硅片制備 *前道工序 *后道封裝 、 MOS工藝
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