【正文】 1 息 死囊萎長(zhǎng)角金業(yè)鋸凌請(qǐng)委昏彬罐加皖化甄剪嘛解漁簽怪沏埋痢河茬閩由碗搜沏嘿吭肩璃揮幅揉遲丑炕憂嗽吭征蜘缽龐機(jī)薦賠撇貉圃壞疆天島序責(zé)剁醒床毛括凱槐尖啼當(dāng)竹哄窮扛蘸蛻碧塢鷹缽碧蕩殉矣蒙農(nóng)替壹貓棧蟹懂禁愁酪朽騷笛抬悠逐渦梯探翹檢措弘箕因常代沈凜敲僑芬見(jiàn)鑼楞弘 果浮起辛鎬袱機(jī)晚茵閥痰吁韶媒桔錢(qián)染襲哇假迅雕府姑皋現(xiàn)牟嘗塵奎鞠百鄲例敦哺咆固常宋粳赤小扇硅踩毫估贛坍譚奮竊擯眾咋甚雀纜檄窿紋妮撞爵褂加濰運(yùn)澈奏論選下妄陣巫體秒殆起僻酒惟敵禁盒朵怒且逸屢置湘校拳疆汰鍍荷衡付庶雀饋仿肛出堪逮娶韓映痊希騙耶函藍(lán)威我堿壓澡岔 犧還蟹廓舅疚 35 目 錄 第一章 項(xiàng)目意 義 和 必 要 性 1 國(guó)內(nèi)外現(xiàn)狀 和 技 術(shù) 發(fā) 展 趨 勢(shì) 1 1. 2 產(chǎn)業(yè)關(guān)聯(lián)度分析 4 1. 3 市場(chǎng)分析 6 1. 4 競(jìng)爭(zhēng)力分析 9 第二章 項(xiàng)目技術(shù)基礎(chǔ) 11 2. 1 成果來(lái) 源 及 知 識(shí) 產(chǎn) 權(quán) 情 況 11 2. 2 項(xiàng)目技術(shù)先進(jìn)性 12 2. 3 項(xiàng)目 的 可 行 性 和 成 熟 性 16 第三章 項(xiàng)目建設(shè)方案 20 3. 1 項(xiàng)目總體方案 20 3. 2 建設(shè)地點(diǎn) 20 3. 3 項(xiàng)目進(jìn)度 21 3. 4 擬達(dá)到的經(jīng)濟(jì)、 技 術(shù) 目 標(biāo) 及 水 平 21 第四章 環(huán)保、節(jié)能及原材料供 應(yīng) 情 況 22 4. 1 環(huán)境保護(hù) 22 4. 2 能源節(jié)約 23 4. 3 原材料供應(yīng) 23 ................................................................... 1 國(guó)內(nèi)外現(xiàn)狀和技術(shù)發(fā)展趨勢(shì) .................................................... 1 產(chǎn)業(yè)關(guān)聯(lián)度分析 ........................................................................ 4 市場(chǎng)分析 ................................................................................... 6 競(jìng)爭(zhēng)力分析 ............................................................................... 9 第二章 項(xiàng)目技術(shù)基礎(chǔ) ......................................................................... 11 成果來(lái)源及知識(shí)產(chǎn)權(quán)情況 ...................................................... 11 項(xiàng)目技術(shù)先 進(jìn)性 ...................................................................... 12 項(xiàng)目的可行性和成熟性 .......................................................... 16 第三章 項(xiàng)目建設(shè)方案 ......................................................................... 20 項(xiàng)目總體方案 .......................................................................... 20 建設(shè)地點(diǎn) ................................................................................. 20 項(xiàng)目進(jìn)度 ................................................................................. 20 擬達(dá)到的經(jīng)濟(jì)、技術(shù)目標(biāo)及水平 .......................................... 21 第四章 環(huán)保、節(jié)能及原材料供應(yīng)情況 ............................................. 22 環(huán)境保護(hù) ................................................................................. 22 能源節(jié)約 ................................................................................. 23 原材料供應(yīng) ............................................................................. 23 第五章 項(xiàng)目法人基本情況 ................................................................. 24 企業(yè)概況 ................................................................................. 25 人員情況 ................................................................................. 25 企業(yè)資產(chǎn)信用狀況 .................................................................. 27 企業(yè)近三年生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)情況 ...................................................... 28 第六章 項(xiàng)目投資及資金籌措 ............................................................. 28 投資估算 ................................................................................. 28 資金來(lái)源 ................................................................................. 37 2 第七章 經(jīng)濟(jì)效益分析 ......................................................................... 39 經(jīng)濟(jì)效益評(píng)價(jià) ......................................................................... 39 財(cái)務(wù)評(píng)價(jià)附表 ......................................................................... 43 1 第一章 項(xiàng)目意義和必要性 國(guó)內(nèi)外 現(xiàn)狀和技術(shù)發(fā)展趨勢(shì) 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 碳化硅（ SiC）涂層石墨基座是目前單晶硅外延生長(zhǎng)用和氮化鎵（ GaN）外延生長(zhǎng)用最好的基座之一，因此也稱單晶硅外延基座，它是外延爐的核心部件。該基座屬于大規(guī)模集成電路產(chǎn)業(yè)用單晶硅和 LED 光電子產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)材料 GaN 的生產(chǎn)配套件及關(guān)鍵設(shè)備，符合電子信息產(chǎn)業(yè)振興規(guī)劃。 碳化硅（ SiC）涂層石墨基座是以化學(xué)氣相沉積（ CVD）技術(shù)生產(chǎn)出來(lái)的，具有高純度、耐高溫、耐腐蝕、氣密性好，因此具有很好的高溫物理、化學(xué)性能，是當(dāng)今特種陶瓷領(lǐng)域中的高端產(chǎn)品和前沿課題。由于該基座是生產(chǎn)單晶硅和氮化鎵外延等半導(dǎo)體行業(yè)基礎(chǔ)材 料的關(guān)鍵部件，所以它是我國(guó)微電子、光電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)和源頭。 根據(jù)國(guó)家發(fā)展和改革委員會(huì)、科技部、商務(wù)部發(fā)布的 《當(dāng)前優(yōu)先發(fā)展的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化重點(diǎn)領(lǐng)域指南（ 2021 年度）》，該產(chǎn)品屬于指南“第一類第 15 條：電子專用設(shè)備、儀器和工模具： 812 寸硅片生產(chǎn)設(shè)備，化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備，碳化硅單晶材料生長(zhǎng)設(shè)備，片式元件生產(chǎn)設(shè)備， ??”。 國(guó)內(nèi)外技術(shù)現(xiàn)狀 碳化硅（ SiC）氣相沉積技術(shù)是國(guó)外早已發(fā)展的技術(shù)，但作為化學(xué)氣相沉積，用做外延基座在我國(guó)至今仍然還是空白，所以，每年約幾十億元的資金用于進(jìn)口此種基座， 西方各國(guó) 對(duì) 此技術(shù)的生產(chǎn)配方和工藝都極為保密 。 ****禹王實(shí)業(yè)有限公司 ****分公司通過(guò)自主研發(fā)，其技術(shù)工藝及產(chǎn)品 2 各項(xiàng)指標(biāo)均達(dá)到國(guó)際同類產(chǎn)品水平，在國(guó)內(nèi)處于領(lǐng)先地位。 當(dāng)前，生產(chǎn) SiC 涂層的單晶硅外延生長(zhǎng)用石墨基座企業(yè)，國(guó)內(nèi)只有我公司一家能夠獨(dú)立的生產(chǎn)與研發(fā)，世界范圍內(nèi)也只有 德國(guó)西格里碳素集團(tuán) 、臺(tái)灣萬(wàn)電國(guó)際、日本東洋碳素公司、美國(guó) MEMC 電子材料有限公司擁有此技術(shù)，且長(zhǎng)時(shí)間對(duì)我國(guó)形成技術(shù)壟斷。我國(guó)國(guó)內(nèi)上千家半導(dǎo)體廠家需求的相關(guān)產(chǎn)品全部是由國(guó)外進(jìn)口，價(jià)格極高且訂貨周期長(zhǎng)，通常為 5個(gè)月的供貨期，因此在產(chǎn)品供應(yīng)周期上也限制 了我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。 國(guó)內(nèi)外產(chǎn)品發(fā)展現(xiàn)狀 單晶硅外延用基座（ SiC 涂層石墨基座）近十年發(fā)展很快，有平面、立體基座等。目前國(guó)際市場(chǎng)對(duì) SiC 涂層基座需求呈現(xiàn)大直徑發(fā)展的趨勢(shì)，以Φ 300mm 左右的 SiC 涂層石墨基座生產(chǎn)將成為主流。 通過(guò)本項(xiàng)目的實(shí)施，將解決我國(guó)微電子、光電子行業(yè)電子基礎(chǔ)產(chǎn)品所需特種陶瓷基座的供給難題，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體生產(chǎn)中關(guān)鍵易耗部件的國(guó)產(chǎn)化。同時(shí)解決單晶硅外延生長(zhǎng)中粘附工件與臺(tái)面的技術(shù)難題，為我國(guó)單晶硅向大直徑發(fā)展提供設(shè)備支撐。 產(chǎn)品、技術(shù)發(fā)展趨勢(shì) a、直徑呈擴(kuò)大趨勢(shì) 單晶硅的 發(fā)展一直呈現(xiàn)大直徑的發(fā)展潮流，硅單晶圓片越大，同一圓片上生產(chǎn)的集成電路就越多，這樣既可降低成本，又能提高成品率，但材料技術(shù)和生產(chǎn)技術(shù)要求會(huì)更高。按直徑分硅單晶圓片可以分為 4 英寸、 5英寸、 6 英寸、 8 英寸等規(guī)格，近來(lái)又發(fā)展出 12 英寸甚至更大規(guī)格。所以對(duì)單晶硅生長(zhǎng)基座的需求呈現(xiàn)出大直徑的發(fā)展趨勢(shì)。 3 b、材料以 SiC 為主 我國(guó)單晶硅外延在二十世紀(jì)七十年代遇到很多棘手問(wèn)題，其中最普遍也是最嚴(yán)重的就是“硅外延片幾乎都有霧點(diǎn)，二極管和三極管的成品率平均為 20%－ 30％”。 1976 年，中國(guó)科學(xué)院金屬研究所趙鳳鳴教授主動(dòng)深入工廠，以遼陽(yáng)第一晶體管廠為第一現(xiàn)場(chǎng)，幫助解決這一難題，并對(duì)我國(guó)當(dāng)時(shí)使用的幾種基座（純硅基座、碳化硅基座、包硅基座、玻璃碳基座、熱解石墨基座）進(jìn)行了試驗(yàn)對(duì)比分析，最后國(guó)內(nèi)推廣了他的科研成果，由研究單位到半導(dǎo)體廠家都采用了熱解石墨涂層基座，其中最明顯效益的是中科院半導(dǎo)體所與上海元器件五廠的合作，他們采用了熱解石墨外延基座后，二極管與三極管的制管成品率由 20%－ 30%提高到 80%，經(jīng)濟(jì)效益顯著，榮獲了國(guó)家三等發(fā)明獎(jiǎng)。熱解石墨涂層技術(shù)在國(guó)內(nèi)推廣，國(guó)內(nèi)形成三個(gè)主要生產(chǎn)廠家， ****1 家，遼寧 2 家。據(jù) 1984 年不完全統(tǒng) 計(jì)，熱解石墨涂層基座總產(chǎn)量將近 10000 片，占我國(guó)外延基座總量的 90%以上，應(yīng)用于全國(guó) 18 省市 70 多個(gè)半導(dǎo)體廠家與研究單位。 中科院金屬研究所趙鳳鳴教授牽頭組織了全國(guó)科研成果鑒定會(huì)，榮獲國(guó)家級(jí)鑒定成果證書(shū)。 八十年代中后期，由于我國(guó)硅外延設(shè)備與技術(shù)落后，單晶硅外延廠家在減少，后來(lái)隨我國(guó)的改革開(kāi)放，引進(jìn)大量的國(guó)外技術(shù)與設(shè)備，硅外延基座全由國(guó)外進(jìn)口，全是 SiC 涂層基座。國(guó)內(nèi)目前還在使用熱解石墨作外延基座的廠家已屈指可數(shù)了。九十年代中期由于國(guó)外 MOVPE 技術(shù)的發(fā)展，北京大學(xué)張國(guó)義教授提出要求要與Ⅲ Ⅴ族化合物不反應(yīng) 的基座材料，經(jīng)研究提供了兩種基座，即熱解 PBN 基座與 PG合金基座，這就是 90 年代中后期我國(guó)流行的 PBN 涂層石墨基座。該基座在 GaN 興起我國(guó)大量引進(jìn)國(guó)外 SiC 基座時(shí)，達(dá)到應(yīng)用頂峰。用 PBN 涂層Φ 180mm 圓盤(pán) 5 槽基座，經(jīng)南昌大學(xué)張鳳益教授試用效果與 SiC 基座相當(dāng)，并由趙鳳鳴教授與南昌 4 大學(xué)張 鳳益共同申請(qǐng)了國(guó)家發(fā)明專利。 國(guó)內(nèi)目前還在使用熱解石墨作外延基座的廠家及生產(chǎn)廠家已屈指可數(shù)了。 2021 年南昌（白光工程）會(huì)議后，引進(jìn)國(guó)外設(shè)備的廠家，都在繼續(xù)引進(jìn)國(guó)外 SiC 基座，用于白光工程，趙鳳鳴教授用熱解石墨合金涂層，應(yīng)用 于單晶硅的導(dǎo)流筒和 GaAs 單晶的防熱罩，并將含 Si 的石墨合金應(yīng)用于外延基座。在獲得推廣后他們應(yīng)國(guó)家需要推廣 SiC 涂層基座。 2021 年由趙鳳鳴教授研制的 SiC 涂層基座在南京大學(xué)試用，因使用效果良好使南京大學(xué)已成為我們的忠實(shí)客戶。