【正文】 ......................................................................... 20 項(xiàng)目總體方案 .......................................................................... 20 建設(shè)地點(diǎn) ................................................................................. 20 項(xiàng)目進(jìn)度 ................................................................................. 20 擬達(dá)到的經(jīng)濟(jì)、技術(shù)目標(biāo)及水平 .......................................... 21 第四章 環(huán)保、節(jié)能及原材料供應(yīng)情況 ............................................. 22 環(huán)境保護(hù) ................................................................................. 22 能源節(jié)約 ................................................................................. 23 原材料供應(yīng) ............................................................................. 23 第五章 項(xiàng)目法人基本情況 ................................................................. 24 企業(yè)概況 ................................................................................. 25 人員情況 ................................................................................. 25 企業(yè)資產(chǎn)信用狀況 .................................................................. 27 企業(yè)近三年生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)情況 ...................................................... 28 第六章 項(xiàng)目投資及資金籌措 ............................................................. 28 投資估算 ................................................................................. 28 資金來源 ................................................................................. 37 2 第七章 經(jīng)濟(jì)效益分析 ......................................................................... 39 經(jīng)濟(jì)效益評(píng)價(jià) ......................................................................... 39 財(cái)務(wù)評(píng)價(jià)附表 ......................................................................... 43 1 第一章 項(xiàng)目意義和必要性 國(guó)內(nèi)外 現(xiàn)狀和技術(shù)發(fā)展趨勢(shì) 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 碳化硅（ SiC）涂層石墨基座是目前單晶硅外延生長(zhǎng)用和氮化鎵（ GaN）外延生長(zhǎng)用最好的基座之一，因此也稱單晶硅外延基座，它是外延爐的核心部件。由于該基座是生產(chǎn)單晶硅和氮化鎵外延等半導(dǎo)體行業(yè)基礎(chǔ)材 料的關(guān)鍵部件，所以它是我國(guó)微電子、光電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)和源頭。 當(dāng)前，生產(chǎn) SiC 涂層的單晶硅外延生長(zhǎng)用石墨基座企業(yè)，國(guó)內(nèi)只有我公司一家能夠獨(dú)立的生產(chǎn)與研發(fā)，世界范圍內(nèi)也只有 德國(guó)西格里碳素集團(tuán) 、臺(tái)灣萬電國(guó)際、日本東洋碳素公司、美國(guó) MEMC 電子材料有限公司擁有此技術(shù)，且長(zhǎng)時(shí)間對(duì)我國(guó)形成技術(shù)壟斷。 通過本項(xiàng)目的實(shí)施，將解決我國(guó)微電子、光電子行業(yè)電子基礎(chǔ)產(chǎn)品所需特種陶瓷基座的供給難題，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體生產(chǎn)中關(guān)鍵易耗部件的國(guó)產(chǎn)化。所以對(duì)單晶硅生長(zhǎng)基座的需求呈現(xiàn)出大直徑的發(fā)展趨勢(shì)。據(jù) 1984 年不完全統(tǒng) 計(jì)，熱解石墨涂層基座總產(chǎn)量將近 10000 片，占我國(guó)外延基座總量的 90%以上，應(yīng)用于全國(guó) 18 省市 70 多個(gè)半導(dǎo)體廠家與研究單位。九十年代中期由于國(guó)外 MOVPE 技術(shù)的發(fā)展，北京大學(xué)張國(guó)義教授提出要求要與Ⅲ Ⅴ族化合物不反應(yīng) 的基座材料，經(jīng)研究提供了兩種基座，即熱解 PBN 基座與 PG合金基座，這就是 90 年代中后期我國(guó)流行的 PBN 涂層石墨基座。 2021 年南昌（白光工程）會(huì)議后，引進(jìn)國(guó)外設(shè)備的廠家，都在繼續(xù)引進(jìn)國(guó)外 SiC 基座，用于白光工程，趙鳳鳴教授用熱解石墨合金涂層，應(yīng)用 于單晶硅的導(dǎo)流筒和 GaAs 單晶的防熱罩，并將含 Si 的石墨合金應(yīng)用于外延基座。為提高產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)高效率，又進(jìn)一步發(fā)展為大直徑硅片外延爐。而使用 SiC 涂層石墨基座就完全解決了這個(gè)問題，所以其在半導(dǎo)體行業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用。 在光電子行業(yè)中的應(yīng)用 除單晶硅外延片需要 SiC 涂層基座外，我國(guó)半導(dǎo)體照明行業(yè)中， GaN外延生長(zhǎng)也需要大量的 SiC 基座。 LED 外延片和芯片制造，是 光電子 產(chǎn)業(yè)鏈中價(jià)值量和技術(shù)含量最高的部分。 在 MOCVD 設(shè)備中， 將藍(lán)寶石片或 GaAs 等晶圓放在 SiC 涂層石墨基座上通過外延生長(zhǎng)方式，就能生長(zhǎng)出 氮化鎵 （ GaN）外延晶片。 2021 年中國(guó)大陸晶圓代工產(chǎn)業(yè)達(dá)到 25 億美元，據(jù) iSuppli 公司市場(chǎng)調(diào)查預(yù)測(cè)， 2021 年中國(guó)大陸芯片制造業(yè)將增長(zhǎng)至 38 億美元，我國(guó)“十一五”期間再興建 20 家芯片廠才能滿足市 場(chǎng)需求。它 可制成高效藍(lán)、綠光發(fā)光二極管 LED 和激光二極管 LD， 并可延伸到白光 LED， 將替代人類沿用至今的照明系統(tǒng)。我國(guó)工程院士陳良惠測(cè)算：到 2021 年，我國(guó)只要 1/3 的白熾燈照明被半導(dǎo)體燈取代，其節(jié)能電量相當(dāng)于再造一個(gè)三峽工程。 （ 1）晶圓代工企業(yè) 對(duì)于我國(guó)較大的晶圓代工企業(yè)，如中芯國(guó)際、和艦科技、華虹 NEC等企業(yè)，經(jīng)過業(yè)務(wù)人員的開拓， 也已與我公司建立了業(yè)務(wù)聯(lián)系，并已有了國(guó)際通用的 9 片機(jī)單晶用基座的供貨計(jì)劃。 （ 3）半導(dǎo)體封裝企業(yè)及其它 半導(dǎo)體器件金屬封裝廠家，用大量的 SiC 涂層石墨板材做金屬封裝底座；在粉沫冶金行業(yè)用 SiC 涂層石墨板作為隧道窯滾板，燒結(jié)用匣缽等，增加其強(qiáng)度及抗氧化性，從而延長(zhǎng)壽命；在真空設(shè)備與單晶提拉領(lǐng)域中，SiC 涂層廣泛用于石墨發(fā)熱體、石墨導(dǎo)流筒及熱場(chǎng)材料中。據(jù) iSuppli公司市場(chǎng)調(diào)查預(yù)測(cè)， 2021 年中國(guó)大陸芯片制造業(yè)將增長(zhǎng)至 60 億美元， 2021－ 2021 年的復(fù)合年增率為 19%。由于 GaN與 Si 晶圓外延的需求量相當(dāng)?shù)拇?，所?SiC 基座市場(chǎng)容量空間也是非常大的?，F(xiàn)在就已有 50 多家生產(chǎn)企業(yè)與我公司洽談，有 20 多家傳達(dá)了訂貨意向。不過我們公司涉足此領(lǐng)域在國(guó)內(nèi)最早，具有一定的市場(chǎng)先入優(yōu)勢(shì)，同時(shí)有比較雄厚的技術(shù)基礎(chǔ)和設(shè)備實(shí)力。 本產(chǎn)品所用技術(shù) 經(jīng) ****省科學(xué)技術(shù)情報(bào)研究所查新報(bào)告 202137b2800334 號(hào)證實(shí)：“經(jīng)檢索，國(guó)內(nèi)未見與本項(xiàng)目研究相同的文獻(xiàn)報(bào)道，國(guó)內(nèi)密切相關(guān)文獻(xiàn)均系本項(xiàng)目合作人的有關(guān)報(bào)道”。 公司總工程師趙鳳鳴教授，是原中國(guó)科學(xué)院金屬研究所研究員，長(zhǎng)期從事特種陶瓷材料的研究，擁有熱解氮化硼產(chǎn)品的發(fā)明專利，技術(shù)總監(jiān)趙林擁有設(shè)備實(shí)用新型專利， 2021 年“熱解石墨合金技術(shù)”通過了國(guó)家鑒定和驗(yàn)收（甬科鑒字［ 2021］第 129 號(hào)），擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，并榮獲“國(guó)家 2021 年度第二批科技型中小企業(yè) 技術(shù)創(chuàng)新基金”。杜絕 了高純度石墨基體在高溫條件下放出氣體，且冷卻后吸收氣體的缺點(diǎn)。對(duì)于涂層厚度，僅沉積時(shí)間為顯著影響因素，沉積溫度有一定的影響；對(duì)于沉積速率也表現(xiàn)為沉積時(shí)間有顯著影響，而 H2 流量 也 有影響。對(duì)造成這一結(jié)果的原因和反應(yīng)機(jī)制， 主要 是基體初始表面不均勻性的改變使各處沉積 —— 生長(zhǎng)過程趨于一致、同時(shí)處理過程改變了基底極性特性和對(duì)氣相產(chǎn)物的吸附 特性，使涂層趨向于以層狀方式生長(zhǎng)。 在多數(shù)情況下，沉積過程中的反應(yīng)形式為多相反應(yīng)，但在某些條件下，基底表面空間內(nèi)也會(huì)發(fā)生單相氣相形核過程，產(chǎn)生膠狀粒子煙霧。同時(shí)，在實(shí)驗(yàn)過程中還發(fā)現(xiàn)，在低于一定溫度條件下 (如 900℃ )，基底表面出現(xiàn)了棕黃色顆粒狀 SiC 分布沉積。沉積粒子在基底表面的積聚生長(zhǎng)情況取決于原料入／出口處的幾何形狀、能量區(qū)的分布、氣體的比例、原料在實(shí)驗(yàn)條件下的反應(yīng)活度等一系列因素。在富 H 的反應(yīng)環(huán)境中， Ar 氣在很大程度上抑制了游離 [Si]的生成，因此通過調(diào)整 H： Ar 能較好地控制涂層結(jié)構(gòu)中游離 Si 的產(chǎn)生。 在一爐多只的同時(shí)，本公司又實(shí)現(xiàn)了多種產(chǎn)品在爐內(nèi)公轉(zhuǎn)與自轉(zhuǎn)同時(shí)進(jìn)行（如圖 2），使涂層表面更加均勻，元素的分布更加理想。 項(xiàng)目的可行性和成熟性 產(chǎn)業(yè)化條件 我公司長(zhǎng)期從事碳 化硅（ SiC）涂層、熱解氮化硼（ PBN）、熱解石墨 17 合金涂層等特種陶瓷材料的研究與生產(chǎn)，是 集化學(xué)氣相沉積技術(shù)的研究、開發(fā)、生產(chǎn)為一體的 高科技企 業(yè)。目前國(guó)內(nèi)較 知名的半導(dǎo)體廠家，如華虹 NEC、廈門三安電子、上海藍(lán)光、南京大學(xué)、中科電子科技集團(tuán)十三所等都已有了訂貨計(jì)劃， 預(yù)計(jì)2021 年訂單在 15000 套以上， 2021 年訂單可達(dá)到 22021 套，所以，迫切需要我公司盡快擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，滿足越來越大的市場(chǎng)需求。 這些設(shè)備為研究開發(fā)工作提供了必要的支持，創(chuàng)造了較好的工作環(huán)境。 本項(xiàng)目技術(shù)成果來源為企業(yè)自主研發(fā)，并擁有該生產(chǎn)技術(shù)與生產(chǎn)設(shè)備（偏心進(jìn)氣化學(xué)氣相沉積爐，專利號(hào) ）的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。 SiC，屬面心立方； ? 碳化硅（ SiC）表面晶格常數(shù) a = 197。 項(xiàng)目建設(shè)新增大直徑 SiC 涂層基座生產(chǎn)設(shè)備，設(shè)計(jì)、制造全新的化學(xué)氣相沉積真空碳管爐和感應(yīng)爐。 建設(shè)地點(diǎn) 項(xiàng)目擬建地點(diǎn)位于 ****省 ****市高新技術(shù)開發(fā)區(qū)禹王 ****分公司內(nèi)，廠區(qū)南靠富華街，東臨東外環(huán)，向北 2km 是京福高速入口，向南 3km 是火車站，交通便利，企業(yè)占地 120 畝。 預(yù)計(jì)項(xiàng)目完成后，產(chǎn)品年可實(shí)現(xiàn)銷售收入 8700 萬元，年工業(yè)增加值2750 萬元，年凈利潤(rùn) 1200 萬元，年交稅金 980 萬元。 項(xiàng)目生產(chǎn)過程產(chǎn)生的污染物對(duì)環(huán)境的影響 該項(xiàng)目的生產(chǎn)過程屬低壓氣相沉積（ 2mmHg）接近真空，三廢排放主要是氮?dú)夂退魵猓硗庥猩倭柯然瘹錃怏w排放，且加設(shè)淋水浴廢氣捕捉完全回收利用，用于后加工的清洗打磨工序使用。 SiC 涂層石墨基座產(chǎn)品成分主要為石墨和碳化硅，因此 對(duì)環(huán)境、資源以及人類身體生命健康以及財(cái)產(chǎn)安全 也不會(huì)造成 任何 破壞、損害、浪費(fèi) 等 不良影響 。在生產(chǎn)中實(shí)行多臺(tái)設(shè)備間歇式運(yùn)行，即一臺(tái)爐子通電加熱完畢后，斷電進(jìn)行冷卻時(shí)下一臺(tái)爐子再通電運(yùn)行，實(shí)現(xiàn)了多臺(tái)設(shè)備低耗電功率的平 穩(wěn)運(yùn)行，不會(huì)對(duì)電力供給帶來壓力。 第五章 項(xiàng)目法人基本情況 25 企業(yè) 概況 企業(yè)名稱： ****禹王實(shí)業(yè)有限公司 法定代表人： 劉錫潛 公司 性質(zhì)： 有限責(zé)任公司 企業(yè)地址： ****省 ****市通衢路北首 企業(yè) 簡(jiǎn)介 ****禹王 實(shí)業(yè)有限公司 是以 特種陶瓷材料、 化工、 食品、 醫(yī)藥為一體的 集團(tuán)公司，是 國(guó)家級(jí)重點(diǎn)高新技術(shù)企業(yè) 和 中國(guó)專利明星企業(yè) 。 集團(tuán)下屬禹王 ****分 公司 ，組建于 2021 年，擁有以原中科院研究員趙鳳鳴教授為首的研發(fā)隊(duì)伍，長(zhǎng)期從事碳化硅（ SiC）涂層、熱解氮化硼（ PBN）、熱解石墨合金涂層等特種陶瓷材料的研究與生產(chǎn)，是 集化學(xué)氣相沉積技術(shù)的研究、開發(fā)、生產(chǎn)為一體的 高科技企業(yè)。目前公司的設(shè)備設(shè)計(jì)、工藝技術(shù)，在國(guó)內(nèi)都處于前沿地位。D 人員 13 人，建設(shè)了一支老中青相結(jié)合的科研隊(duì)伍：公司首席科學(xué)家是我國(guó)化學(xué)氣相沉積 PBN材料的創(chuàng)始人趙鳳鳴研究員；公司客座教授東北大學(xué)博士生導(dǎo)師楊宗坡教授；還有 2 名有十年工作經(jīng)驗(yàn)、獲碩士學(xué)位的高級(jí)工