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單晶硅外延基座研發(fā)項(xiàng)目資金申請(qǐng)報(bào)告(存儲(chǔ)版)

  

【正文】 資料估算設(shè)備購(gòu)置費(fèi)。 投資估算依據(jù) 項(xiàng)目的編制是根據(jù)國(guó)家發(fā)展和改革委員會(huì)《建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告編制內(nèi)容深度規(guī)定》進(jìn)行編制。 2021 年其研制的“熱解石墨合金”新材料,榮獲國(guó)家第二批科技型中小企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新基金。公司擁有自主的知識(shí)產(chǎn)權(quán)與專(zhuān)利,有獨(dú)特專(zhuān)業(yè)技術(shù)。 本項(xiàng)目 用 電由 ****市供電公司供 應(yīng),裝機(jī)容量能完全滿(mǎn)足本項(xiàng)目的需要,所以電 力 供應(yīng)是有保障的。 本項(xiàng)目是采用化學(xué)氣相沉積技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)的,所需原材料主要為 甲基三氯硅烷 、 氬 氣、氫氣和石墨,在生產(chǎn)和存儲(chǔ)過(guò)程中都有嚴(yán)格的安全措施, 23 不會(huì)對(duì)人身和周?chē)h(huán)境造成損害。 項(xiàng)目進(jìn)度 21 本項(xiàng)目建設(shè)期為 2021 年 1 月- 2021 年 1 月 , 從資金到位開(kāi)始 12 個(gè)月內(nèi)完工投產(chǎn),進(jìn)度安排如下: 項(xiàng)目進(jìn)度 項(xiàng)目?jī)?nèi)容 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 工程整體分項(xiàng)設(shè)計(jì) 設(shè)備訂貨購(gòu)置制造 土建施工 設(shè)備安裝及調(diào)試 人員培訓(xùn) 原、輔料購(gòu) 置 試 車(chē) 投 產(chǎn) 擬達(dá)到的經(jīng)濟(jì)、技術(shù)目標(biāo)及水平 項(xiàng)目建設(shè)完成后, ********將成為我國(guó)最大的半導(dǎo)體用特種陶材研發(fā)與生產(chǎn)基地,將達(dá)到年產(chǎn) SiC 涂層石墨基 座 21000 套的生產(chǎn)能力,單晶硅外延基座產(chǎn)品生產(chǎn)與研發(fā)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平,為我國(guó)半導(dǎo)體用大尺寸硅單晶片生產(chǎn)提供堅(jiān)實(shí)的設(shè)備支撐和充足的配套件供應(yīng)。進(jìn)一步提高大直徑、全系列半導(dǎo)體材料 用特種陶瓷基座生產(chǎn)、研發(fā)水平。 技術(shù)的成熟性 公司緊密跟蹤技術(shù)發(fā)展趨勢(shì),持續(xù)創(chuàng)新,研制開(kāi)發(fā)出一系列具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的 產(chǎn)品和技術(shù),并擁有多項(xiàng)國(guó)家專(zhuān)利技術(shù),一直保持企業(yè)在業(yè)界的技術(shù)領(lǐng)先地位,為企業(yè)持續(xù)發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。 產(chǎn)品銷(xiāo)售預(yù)測(cè) 雖然我公司開(kāi)發(fā)出 SiC 涂層石墨基座不久,但很快就打開(kāi)了銷(xiāo)售市場(chǎng)。另外可以制作大件,如大的圓片和大型坩堝等。實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn),隨著工藝條件及試樣位置的不同和表面微量元素的調(diào)整,所得到的涂層顏色呈現(xiàn)出棕青、棕黃、灰黑、黑色等多種變化,涂層表面形貌也可能出現(xiàn)顆粒狀、菜花團(tuán)狀、疏松粉狀和晶須等多種結(jié)構(gòu)。 在沉積過(guò)程中發(fā)現(xiàn),沉積溫度和各氣相反應(yīng)物的分壓等工藝參數(shù)值的過(guò)高與過(guò)低,都會(huì)使各中間反應(yīng)的反應(yīng)速率產(chǎn)生不同的變化,從而改變了反應(yīng)進(jìn)程的最慢步驟,導(dǎo)致了反應(yīng)產(chǎn)物的變化和沉積結(jié)構(gòu)的不同,從而使 15 氣相沉積結(jié)果 “ 強(qiáng)烈 ” 依賴(lài)于實(shí)際 過(guò)程中具體的工藝條件。 對(duì)于涂層均勻性而言,表面處理、反應(yīng)溫度、沉積時(shí)間均為顯著影響因素, Ar 氣的含 量有一定的影響。 本項(xiàng)目技術(shù)成果來(lái)源為企業(yè)自主研發(fā),并擁有該生產(chǎn)技術(shù)與生產(chǎn)設(shè)備(偏心進(jìn)氣化學(xué)氣相沉積爐,專(zhuān)利號(hào) )的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。 為適應(yīng)我國(guó)快速發(fā)展的微光電子產(chǎn)業(yè),國(guó)內(nèi)也必將會(huì)有企業(yè)對(duì) SiC 涂層石墨基座進(jìn)行研究與開(kāi)發(fā),所以潛在的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手將會(huì)是在國(guó)內(nèi)。這是絕對(duì)不可忽視的耗材和專(zhuān)用生產(chǎn)部件。 除四個(gè)國(guó)家工業(yè)化基地(上海、大連、南昌、廈門(mén))外,現(xiàn)已經(jīng)初步 9 形成的七大區(qū)域:長(zhǎng)江三角洲、珠江三角洲、江西及福建、北京-天津-****半島、遼東半島、大連-沈陽(yáng)-長(zhǎng)春、武漢、成都等數(shù)以百計(jì)的光電廠(chǎng)家,在國(guó)內(nèi)形成了新興 的光電子產(chǎn)業(yè),急待國(guó)內(nèi)提供優(yōu)質(zhì)廉價(jià) SiC 基座。 它比同樣亮度的白熾燈節(jié)能十分之一,壽命是其 100倍。硅外延片在 IC 業(yè)和分立元件業(yè)使用量占硅拋光片總量 7080%,由于 Φ 5″、 Φ 6″IC 生產(chǎn)線(xiàn)和分立元件生產(chǎn)線(xiàn)從國(guó)外大量向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移,目前呈現(xiàn) Φ 6硅外延片產(chǎn)品短缺、價(jià)格上升趨勢(shì)。我國(guó) LED 的市場(chǎng)銷(xiāo)售規(guī)模在 120 億元左右 。與高純度石墨比較,高純石 5 墨在 400℃要發(fā)生強(qiáng)烈氧化,即使溫度不高,長(zhǎng)期應(yīng)用也因氧化而掉粉末,會(huì)粘附工件與臺(tái)面,對(duì)半導(dǎo)體器件及產(chǎn)品產(chǎn)生污染。 國(guó)內(nèi)目前還在使用熱解石墨作外延基座的廠(chǎng)家及生產(chǎn)廠(chǎng)家已屈指可數(shù)了。熱解石墨涂層技術(shù)在國(guó)內(nèi)推廣,國(guó)內(nèi)形成三個(gè)主要生產(chǎn)廠(chǎng)家, ****1 家,遼寧 2 家。目前國(guó)際市場(chǎng)對(duì) SiC 涂層基座需求呈現(xiàn)大直徑發(fā)展的趨勢(shì),以Φ 300mm 左右的 SiC 涂層石墨基座生產(chǎn)將成為主流。 碳化硅( SiC)涂層石墨基座是以化學(xué)氣相沉積( CVD)技術(shù)生產(chǎn)出來(lái)的,具有高純度、耐高溫、耐腐蝕、氣密性好,因此具有很好的高溫物理、化學(xué)性能,是當(dāng)今特種陶瓷領(lǐng)域中的高端產(chǎn)品和前沿課題。 國(guó)內(nèi)外技術(shù)現(xiàn)狀 碳化硅( SiC)氣相沉積技術(shù)是國(guó)外早已發(fā)展的技術(shù),但作為化學(xué)氣相沉積,用做外延基座在我國(guó)至今仍然還是空白,所以,每年約幾十億元的資金用于進(jìn)口此種基座, 西方各國(guó) 對(duì) 此技術(shù)的生產(chǎn)配方和工藝都極為保密 。 產(chǎn)品、技術(shù)發(fā)展趨勢(shì) a、直徑呈擴(kuò)大趨勢(shì) 單晶硅的 發(fā)展一直呈現(xiàn)大直徑的發(fā)展潮流,硅單晶圓片越大,同一圓片上生產(chǎn)的集成電路就越多,這樣既可降低成本,又能提高成品率,但材料技術(shù)和生產(chǎn)技術(shù)要求會(huì)更高。 八十年代中后期,由于我國(guó)硅外延設(shè)備與技術(shù)落后,單晶硅外延廠(chǎng)家在減少,后來(lái)隨我國(guó)的改革開(kāi)放,引進(jìn)大量的國(guó)外技術(shù)與設(shè)備,硅外延基座全由國(guó)外進(jìn)口,全是 SiC 涂層基座。 2021 年由趙鳳鳴教授研制的 SiC 涂層基座在南京大學(xué)試用,因使用效果良好使南京大學(xué)已成為我們的忠實(shí)客戶(hù)。它不僅可以提高集成電路的成品率,而且可以顯著提高其集成度和運(yùn)算速度。 II、 III 族金屬有機(jī)化合物它們大多數(shù)是高蒸汽壓的液體或固體。 ( 2) 氮化鎵 ( GaN)半導(dǎo)體照明材料用基座 以 GaN 為代表的第三代半導(dǎo)體材料及器件的開(kāi)發(fā)是新興半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心和基礎(chǔ) , 是信息產(chǎn)業(yè)前進(jìn)的發(fā)動(dòng)機(jī) , 同時(shí)有可能改變?nèi)祟?lèi)照明光源的技術(shù)現(xiàn)狀。 國(guó)內(nèi)形成的以 GaN 為代 表的新興光電子產(chǎn)業(yè),對(duì) SiC 涂層石墨基座的年需求量在 2 萬(wàn)套 左右,急待國(guó)內(nèi)提供優(yōu)質(zhì)廉價(jià) SiC 基座。 市場(chǎng)年均增長(zhǎng)率 SiC 涂層石墨基座是消耗性材料,它占 Si 外延片成本的 1/4~1/5。 競(jìng)爭(zhēng)力分析 目前我國(guó) SiC 外延基座,幾乎全部依靠進(jìn)口,而進(jìn)口產(chǎn)品有兩大問(wèn)題:一是價(jià)格較貴,二是供貨時(shí)間太長(zhǎng)。如能盡早規(guī)模化擴(kuò)產(chǎn),就又會(huì)占據(jù)規(guī)模優(yōu)勢(shì)。 12 項(xiàng)目技術(shù) 先進(jìn)性 工藝流程 碳化硅( SiC)氣相沉積技術(shù)是國(guó)外發(fā)展較早的技術(shù),但作為化學(xué)氣相沉積,用做外延基座在我國(guó)至今仍然還是空白。 通常條件下,在沉積過(guò)程之前對(duì) 基體 進(jìn)行預(yù)處理目的在于除去表面雜質(zhì)和表面缺陷,使 “ 新鮮 ” 的基底得以暴露。吸附在基底表面的粉末作為一種污染源,會(huì)降低涂層的質(zhì)量和表面完整性。過(guò)高的流速還會(huì)降低基體表面的氣體溫度,造成沉積曲線(xiàn)的漂移。 此外該項(xiàng)目的生產(chǎn)過(guò)程屬低壓氣相沉積( 2mmHg)接近真空,三廢排放主要是氮?dú)夂退魵?,另外有少量氯化氫氣體排放,且加設(shè)淋水浴廢氣捕捉完全回收利用,用于后加工的清洗打磨工序使用。 公司經(jīng)過(guò)多年持續(xù)不斷的研發(fā)投入與積累, 現(xiàn)已擁有各類(lèi)先進(jìn)的研發(fā)生產(chǎn)設(shè)備 210 余臺(tái)套。 特別本項(xiàng)目所使用的“一爐多支技術(shù)”為世界首創(chuàng),達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平,大大降低了碳化硅涂層石墨基座等產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。 項(xiàng)目建成后形成 4 條生產(chǎn)線(xiàn),年可生產(chǎn)單晶硅外延用和 GaN 外延用SiC 涂層石墨基座 21000 套,其中:Φ 312 8 產(chǎn)能 9000 套 /年,Φ 41210 產(chǎn)能 6000 套 /年,Φ 360 60 產(chǎn)能 1000 套 /年,Φ 117 5 產(chǎn)能 5000 套 /年。項(xiàng)目的建設(shè),使該地區(qū)的地形、地物發(fā)生了變化,項(xiàng)目施工期間,主要污染因素是施工噪聲、建筑垃圾和揚(yáng)塵。而用偏心進(jìn)氣化學(xué)氣相沉積爐可以生產(chǎn)多只小件,可降低電能消耗 35%。公司擁有國(guó)家級(jí)新產(chǎn)品 3 個(gè), 國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利 11 項(xiàng), 承擔(dān)了 2 項(xiàng)國(guó)家火炬計(jì)劃。 技術(shù)人員及構(gòu)成 現(xiàn)有 科研技術(shù)人員 157 人, 其中博士 6 人 ,碩士 7 人,本科學(xué)歷員工67 人。 企業(yè)資產(chǎn)信用狀況 資產(chǎn)總額 根據(jù) ****德州大正有限責(zé)任會(huì)計(jì)師事務(wù)所出具的審計(jì)報(bào)告,截止2021 年 12 月 31 日,集團(tuán)總資產(chǎn) 121,732 萬(wàn)元, 固定資產(chǎn)原值 46,898 萬(wàn)元、固定資產(chǎn)凈值 30,691 萬(wàn)元、流動(dòng)資產(chǎn) 77,011 萬(wàn)元、負(fù)債總額 67,232萬(wàn)元、流動(dòng)負(fù)債 50,478 萬(wàn)元、 所有者權(quán)益合計(jì) 54,499 萬(wàn)元。 建設(shè)投資估算內(nèi)容包括建筑工程、設(shè)備購(gòu)置、安裝工程及其它費(fèi)用,見(jiàn)表 “項(xiàng)目總投資構(gòu)成分析表 ” 。 工程建設(shè)其他費(fèi)用估算表見(jiàn)附表 6- 2“ 設(shè)備投資估算表 ” 預(yù)備費(fèi)估算 基本預(yù)備費(fèi)估算:以工程費(fèi)用及工程建設(shè)其他費(fèi)用的 10%計(jì)取。其中建設(shè)投資 5117 萬(wàn)元,鋪底流動(dòng)資金 400 萬(wàn)元。 60 1045 6 冷卻池 鋼筋砼 m3 1500 990 7 綜合樓 磚混 m 178。 具備融資方案見(jiàn)表 。計(jì)算期確定為 10 年。 ( 5)攤銷(xiāo)費(fèi)年限 該項(xiàng)目其他資產(chǎn) 萬(wàn)元,按 5年攤銷(xiāo),年攤銷(xiāo)費(fèi) 萬(wàn)元。 總成本費(fèi)用估算見(jiàn)表 7- 6 總成本費(fèi)用 =外購(gòu)原材料、燃料及動(dòng)力費(fèi) +人員工資及福利費(fèi) +修理費(fèi) +折舊費(fèi) +攤銷(xiāo)費(fèi) +財(cái)務(wù)費(fèi)用 +其他費(fèi)用,年總成本費(fèi)用為 萬(wàn)元。 ( Pt)稅前稅后分別為 (均含建設(shè)期 )。 財(cái)務(wù)評(píng)價(jià)結(jié)論 由以上財(cái)務(wù)評(píng)價(jià)可以看出,本項(xiàng)目投資利潤(rùn)率及投資利稅率均大于行業(yè)利潤(rùn)率和平均利稅率,說(shuō)明單位投資對(duì)國(guó)家的貢獻(xiàn)水平達(dá)到了本行業(yè)的平均水平。 詳見(jiàn)附表 7: 3- 13“項(xiàng)目資產(chǎn)負(fù)債表”。 2. 正常生產(chǎn)年份利潤(rùn)總額 萬(wàn)元,利稅總額 萬(wàn)元(含增值稅 萬(wàn)元)。 ( 8)其它費(fèi)用 41 銷(xiāo)售費(fèi)用、管理費(fèi)用以及制造費(fèi)用中的其它費(fèi)用均參照企業(yè)的管理水平進(jìn)行估算計(jì)入總成本。 ( 2)燃料、動(dòng)力消耗費(fèi) 燃燒、動(dòng)力的消耗定額由公用工程專(zhuān)業(yè)根據(jù)負(fù)荷平衡提供計(jì)算,正常年等燃料、動(dòng)力費(fèi)為 萬(wàn)元。 稅費(fèi) 本項(xiàng)目的增值稅稅率按 17%計(jì)。 資本金籌措 本項(xiàng)目企業(yè)自有資金 萬(wàn)元。 3000 1155 小計(jì) 三 公用與輔助工程1 原料庫(kù) 鋼結(jié)構(gòu) m2 300 880 2 成品庫(kù) 鋼結(jié)構(gòu) m 178。見(jiàn)附表 6- 3“ 流動(dòng)資金估算表 ” 。 建設(shè)投資估算 工程費(fèi)用估算 ( 1)建筑工程費(fèi)用估算 :按工程量及有關(guān)定額或指標(biāo)估算建筑工程費(fèi) .見(jiàn)附表 6- 1“ 建 (構(gòu) )筑物工程費(fèi)用估算表 ” 。 企業(yè)近 三 年生 產(chǎn)經(jīng)營(yíng)情況 公司近幾年來(lái)生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)狀況一直良好, 近 三 年經(jīng)濟(jì)效益指標(biāo)如下表: (單位:萬(wàn)元 ) 年 份 銷(xiāo)售收入 利潤(rùn) 稅金 總資產(chǎn) 資產(chǎn)負(fù)債率 2021 85081 5621 4072 91215 57% 2021 124997 7740 4563 110868 58% 2021 137772 8480 4986 121732 55% 第六章 項(xiàng)目投資及資金籌措 投資估算 29 編制說(shuō)明 本項(xiàng)目投資估算范圍包括建筑工程費(fèi)、設(shè)備購(gòu)置費(fèi)、設(shè)備安裝費(fèi)、其它費(fèi)用、預(yù)備費(fèi)用等。 企業(yè)法人 公司法人代表 劉錫潛 ? 第十 、十一 屆全國(guó)人大代表 ? 全國(guó)勞 動(dòng)模范 ? 享受?chē)?guó)務(wù)院政府特殊津貼 ? 國(guó)家發(fā)明獎(jiǎng)獲得者 ? ****省十大優(yōu)秀民營(yíng)科技企業(yè)家 ?? 項(xiàng)目負(fù)責(zé)人 本項(xiàng)目的負(fù)責(zé)人是公司的科技帶頭人趙鳳鳴教授,是 中國(guó)科學(xué)院研究 27 員,國(guó)家級(jí)專(zhuān)家,享受?chē)?guó)務(wù)院政府特殊津貼,是我國(guó)熱解氮化硼材料的創(chuàng)始人,熱解石墨材料的早期開(kāi)拓者,獲有國(guó)家、科學(xué)院、地方一、二、三等獎(jiǎng)十余項(xiàng)及多項(xiàng)國(guó)家專(zhuān)利。近幾年來(lái),依托科技創(chuàng)新,企業(yè)得以迅速發(fā)展。 供電、用水 表 項(xiàng)目水、電年需要表 24 序號(hào) 名稱(chēng) 單位 數(shù)量 預(yù)測(cè)價(jià)格(元) 供應(yīng)來(lái)源 1 水 噸 5700 自備井 2 電 萬(wàn)度 460 外購(gòu) 本項(xiàng)目生產(chǎn)、生活、消防用水源為自備井水,完全能夠滿(mǎn)足生產(chǎn)、生活和消防用水的需求。 由信息產(chǎn)業(yè)部、國(guó)家發(fā)改委等部門(mén)聯(lián)合制定的《電子信息 產(chǎn)品污染控制管理辦法》從電子信息產(chǎn)品的研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售、進(jìn)口等環(huán)節(jié)抓起,對(duì)規(guī)范投放我國(guó)市場(chǎng)的電子信息產(chǎn)品使用有毒有害物質(zhì)或元素 進(jìn)行了嚴(yán)格的規(guī)定 , 這對(duì) 實(shí)現(xiàn)有毒有害物質(zhì)在電子信息產(chǎn)品中的替代或減量化將起到重要作用。項(xiàng)目建設(shè)區(qū)供水、供熱、供電等配套工程設(shè)施完善。項(xiàng)目新增相關(guān)設(shè)備 343 臺(tái)套,新增建筑面積 11720m2。由于重視科研的投入,使公司保持了強(qiáng)大的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,能夠不斷創(chuàng)新開(kāi)發(fā)出新產(chǎn)品。 化學(xué)氣相沉積生產(chǎn) SiC 涂層石墨基座是我們近期開(kāi)拓的科研項(xiàng)目,現(xiàn)已在小批量生產(chǎn),并且得到比較滿(mǎn)
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