【正文】 資料估算設備購置費。 投資估算依據(jù) 項目的編制是根據(jù)國家發(fā)展和改革委員會《建設項目可行性研究報告編制內容深度規(guī)定》進行編制。 2021 年其研制的“熱解石墨合金”新材料，榮獲國家第二批科技型中小企業(yè)技術創(chuàng)新基金。公司擁有自主的知識產權與專利，有獨特專業(yè)技術。 本項目 用 電由 ****市供電公司供 應，裝機容量能完全滿足本項目的需要，所以電 力 供應是有保障的。 本項目是采用化學氣相沉積技術進行生產的，所需原材料主要為 甲基三氯硅烷 、 氬 氣、氫氣和石墨，在生產和存儲過程中都有嚴格的安全措施， 23 不會對人身和周圍環(huán)境造成損害。 項目進度 21 本項目建設期為 2021 年 1 月－ 2021 年 1 月 ， 從資金到位開始 12 個月內完工投產，進度安排如下： 項目進度 項目內容 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 工程整體分項設計 設備訂貨購置制造 土建施工 設備安裝及調試 人員培訓 原、輔料購 置 試 車 投 產 擬達到的經濟、技術目標及水平 項目建設完成后， ********將成為我國最大的半導體用特種陶材研發(fā)與生產基地，將達到年產 SiC 涂層石墨基 座 21000 套的生產能力，單晶硅外延基座產品生產與研發(fā)達到國際先進水平，為我國半導體用大尺寸硅單晶片生產提供堅實的設備支撐和充足的配套件供應。進一步提高大直徑、全系列半導體材料 用特種陶瓷基座生產、研發(fā)水平。 技術的成熟性 公司緊密跟蹤技術發(fā)展趨勢，持續(xù)創(chuàng)新，研制開發(fā)出一系列具有自主知識產權的 產品和技術，并擁有多項國家專利技術，一直保持企業(yè)在業(yè)界的技術領先地位，為企業(yè)持續(xù)發(fā)展奠定了堅實的基礎。 產品銷售預測 雖然我公司開發(fā)出 SiC 涂層石墨基座不久，但很快就打開了銷售市場。另外可以制作大件，如大的圓片和大型坩堝等。實驗中發(fā)現(xiàn)，隨著工藝條件及試樣位置的不同和表面微量元素的調整，所得到的涂層顏色呈現(xiàn)出棕青、棕黃、灰黑、黑色等多種變化，涂層表面形貌也可能出現(xiàn)顆粒狀、菜花團狀、疏松粉狀和晶須等多種結構。 在沉積過程中發(fā)現(xiàn)，沉積溫度和各氣相反應物的分壓等工藝參數(shù)值的過高與過低，都會使各中間反應的反應速率產生不同的變化，從而改變了反應進程的最慢步驟，導致了反應產物的變化和沉積結構的不同，從而使 15 氣相沉積結果 “ 強烈 ” 依賴于實際 過程中具體的工藝條件。 對于涂層均勻性而言，表面處理、反應溫度、沉積時間均為顯著影響因素， Ar 氣的含 量有一定的影響。 本項目技術成果來源為企業(yè)自主研發(fā)，并擁有該生產技術與生產設備（偏心進氣化學氣相沉積爐，專利號 ）的自主知識產權。 為適應我國快速發(fā)展的微光電子產業(yè)，國內也必將會有企業(yè)對 SiC 涂層石墨基座進行研究與開發(fā)，所以潛在的競爭對手將會是在國內。這是絕對不可忽視的耗材和專用生產部件。 除四個國家工業(yè)化基地（上海、大連、南昌、廈門）外，現(xiàn)已經初步 9 形成的七大區(qū)域：長江三角洲、珠江三角洲、江西及福建、北京－天津－****半島、遼東半島、大連－沈陽－長春、武漢、成都等數(shù)以百計的光電廠家，在國內形成了新興 的光電子產業(yè)，急待國內提供優(yōu)質廉價 SiC 基座。 它比同樣亮度的白熾燈節(jié)能十分之一，壽命是其 100倍。硅外延片在 IC 業(yè)和分立元件業(yè)使用量占硅拋光片總量 7080%，由于 Φ 5″、 Φ 6″IC 生產線和分立元件生產線從國外大量向中國大陸轉移，目前呈現(xiàn) Φ 6硅外延片產品短缺、價格上升趨勢。我國 LED 的市場銷售規(guī)模在 120 億元左右 。與高純度石墨比較，高純石 5 墨在 400℃要發(fā)生強烈氧化，即使溫度不高，長期應用也因氧化而掉粉末，會粘附工件與臺面，對半導體器件及產品產生污染。 國內目前還在使用熱解石墨作外延基座的廠家及生產廠家已屈指可數(shù)了。熱解石墨涂層技術在國內推廣，國內形成三個主要生產廠家， ****1 家，遼寧 2 家。目前國際市場對 SiC 涂層基座需求呈現(xiàn)大直徑發(fā)展的趨勢，以Φ 300mm 左右的 SiC 涂層石墨基座生產將成為主流。 碳化硅（ SiC）涂層石墨基座是以化學氣相沉積（ CVD）技術生產出來的，具有高純度、耐高溫、耐腐蝕、氣密性好，因此具有很好的高溫物理、化學性能，是當今特種陶瓷領域中的高端產品和前沿課題。 國內外技術現(xiàn)狀 碳化硅（ SiC）氣相沉積技術是國外早已發(fā)展的技術，但作為化學氣相沉積，用做外延基座在我國至今仍然還是空白，所以，每年約幾十億元的資金用于進口此種基座， 西方各國 對 此技術的生產配方和工藝都極為保密 。 產品、技術發(fā)展趨勢 a、直徑呈擴大趨勢 單晶硅的 發(fā)展一直呈現(xiàn)大直徑的發(fā)展潮流，硅單晶圓片越大，同一圓片上生產的集成電路就越多，這樣既可降低成本，又能提高成品率，但材料技術和生產技術要求會更高。 八十年代中后期，由于我國硅外延設備與技術落后，單晶硅外延廠家在減少，后來隨我國的改革開放，引進大量的國外技術與設備，硅外延基座全由國外進口，全是 SiC 涂層基座。 2021 年由趙鳳鳴教授研制的 SiC 涂層基座在南京大學試用，因使用效果良好使南京大學已成為我們的忠實客戶。它不僅可以提高集成電路的成品率，而且可以顯著提高其集成度和運算速度。 II、 III 族金屬有機化合物它們大多數(shù)是高蒸汽壓的液體或固體。 （ 2） 氮化鎵 （ GaN）半導體照明材料用基座 以 GaN 為代表的第三代半導體材料及器件的開發(fā)是新興半導體產業(yè)的核心和基礎 ， 是信息產業(yè)前進的發(fā)動機 ， 同時有可能改變人類照明光源的技術現(xiàn)狀。 國內形成的以 GaN 為代 表的新興光電子產業(yè)，對 SiC 涂層石墨基座的年需求量在 2 萬套 左右，急待國內提供優(yōu)質廉價 SiC 基座。 市場年均增長率 SiC 涂層石墨基座是消耗性材料，它占 Si 外延片成本的 1/4~1/5。 競爭力分析 目前我國 SiC 外延基座，幾乎全部依靠進口，而進口產品有兩大問題：一是價格較貴，二是供貨時間太長。如能盡早規(guī)?；瘮U產，就又會占據(jù)規(guī)模優(yōu)勢。 12 項目技術 先進性 工藝流程 碳化硅（ SiC）氣相沉積技術是國外發(fā)展較早的技術，但作為化學氣相沉積，用做外延基座在我國至今仍然還是空白。 通常條件下，在沉積過程之前對 基體 進行預處理目的在于除去表面雜質和表面缺陷，使 “ 新鮮 ” 的基底得以暴露。吸附在基底表面的粉末作為一種污染源，會降低涂層的質量和表面完整性。過高的流速還會降低基體表面的氣體溫度，造成沉積曲線的漂移。 此外該項目的生產過程屬低壓氣相沉積（ 2mmHg）接近真空，三廢排放主要是氮氣和水蒸氣，另外有少量氯化氫氣體排放，且加設淋水浴廢氣捕捉完全回收利用，用于后加工的清洗打磨工序使用。 公司經過多年持續(xù)不斷的研發(fā)投入與積累， 現(xiàn)已擁有各類先進的研發(fā)生產設備 210 余臺套。 特別本項目所使用的“一爐多支技術”為世界首創(chuàng)，達到國際領先水平，大大降低了碳化硅涂層石墨基座等產品的生產成本。 項目建成后形成 4 條生產線，年可生產單晶硅外延用和 GaN 外延用SiC 涂層石墨基座 21000 套，其中：Φ 312 8 產能 9000 套 /年，Φ 41210 產能 6000 套 /年，Φ 360 60 產能 1000 套 /年，Φ 117 5 產能 5000 套 /年。項目的建設，使該地區(qū)的地形、地物發(fā)生了變化，項目施工期間，主要污染因素是施工噪聲、建筑垃圾和揚塵。而用偏心進氣化學氣相沉積爐可以生產多只小件，可降低電能消耗 35%。公司擁有國家級新產品 3 個， 國家發(fā)明專利 11 項， 承擔了 2 項國家火炬計劃。 技術人員及構成 現(xiàn)有 科研技術人員 157 人， 其中博士 6 人 ，碩士 7 人，本科學歷員工67 人。 企業(yè)資產信用狀況 資產總額 根據(jù) ****德州大正有限責任會計師事務所出具的審計報告，截止2021 年 12 月 31 日，集團總資產 121,732 萬元， 固定資產原值 46,898 萬元、固定資產凈值 30,691 萬元、流動資產 77,011 萬元、負債總額 67,232萬元、流動負債 50,478 萬元、 所有者權益合計 54,499 萬元。 建設投資估算內容包括建筑工程、設備購置、安裝工程及其它費用，見表 “項目總投資構成分析表 ” 。 工程建設其他費用估算表見附表 6－ 2“ 設備投資估算表 ” 預備費估算 基本預備費估算：以工程費用及工程建設其他費用的 10%計取。其中建設投資 5117 萬元，鋪底流動資金 400 萬元。 60 1045 6 冷卻池 鋼筋砼 m3 1500 990 7 綜合樓 磚混 m 178。 具備融資方案見表 。計算期確定為 10 年。 （ 5）攤銷費年限 該項目其他資產 萬元，按 5年攤銷，年攤銷費 萬元。 總成本費用估算見表 7－ 6 總成本費用 =外購原材料、燃料及動力費 +人員工資及福利費 +修理費 +折舊費 +攤銷費 +財務費用 +其他費用，年總成本費用為 萬元。 （ Pt）稅前稅后分別為 (均含建設期 )。 財務評價結論 由以上財務評價可以看出，本項目投資利潤率及投資利稅率均大于行業(yè)利潤率和平均利稅率，說明單位投資對國家的貢獻水平達到了本行業(yè)的平均水平。 詳見附表 7： 3－ 13“項目資產負債表”。 2. 正常生產年份利潤總額 萬元，利稅總額 萬元（含增值稅 萬元）。 （ 8）其它費用 41 銷售費用、管理費用以及制造費用中的其它費用均參照企業(yè)的管理水平進行估算計入總成本。 （ 2）燃料、動力消耗費 燃燒、動力的消耗定額由公用工程專業(yè)根據(jù)負荷平衡提供計算，正常年等燃料、動力費為 萬元。 稅費 本項目的增值稅稅率按 17%計。 資本金籌措 本項目企業(yè)自有資金 萬元。 3000 1155 小計 三 公用與輔助工程1 原料庫 鋼結構 m2 300 880 2 成品庫 鋼結構 m 178。見附表 6－ 3“ 流動資金估算表 ” 。 建設投資估算 工程費用估算 （ 1）建筑工程費用估算 :按工程量及有關定額或指標估算建筑工程費 .見附表 6－ 1“ 建 (構 )筑物工程費用估算表 ” 。 企業(yè)近 三 年生 產經營情況 公司近幾年來生產經營狀況一直良好， 近 三 年經濟效益指標如下表： (單位：萬元 ) 年 份 銷售收入 利潤 稅金 總資產 資產負債率 2021 85081 5621 4072 91215 57% 2021 124997 7740 4563 110868 58% 2021 137772 8480 4986 121732 55% 第六章 項目投資及資金籌措 投資估算 29 編制說明 本項目投資估算范圍包括建筑工程費、設備購置費、設備安裝費、其它費用、預備費用等。 企業(yè)法人 公司法人代表 劉錫潛 ? 第十 、十一 屆全國人大代表 ? 全國勞 動模范 ? 享受國務院政府特殊津貼 ? 國家發(fā)明獎獲得者 ? ****省十大優(yōu)秀民營科技企業(yè)家 ?? 項目負責人 本項目的負責人是公司的科技帶頭人趙鳳鳴教授，是 中國科學院研究 27 員，國家級專家，享受國務院政府特殊津貼，是我國熱解氮化硼材料的創(chuàng)始人，熱解石墨材料的早期開拓者，獲有國家、科學院、地方一、二、三等獎十余項及多項國家專利。近幾年來，依托科技創(chuàng)新，企業(yè)得以迅速發(fā)展。 供電、用水 表 項目水、電年需要表 24 序號 名稱 單位 數(shù)量 預測價格（元） 供應來源 1 水 噸 5700 自備井 2 電 萬度 460 外購 本項目生產、生活、消防用水源為自備井水，完全能夠滿足生產、生活和消防用水的需求。 由信息產業(yè)部、國家發(fā)改委等部門聯(lián)合制定的《電子信息 產品污染控制管理辦法》從電子信息產品的研發(fā)、設計、生產、銷售、進口等環(huán)節(jié)抓起，對規(guī)范投放我國市場的電子信息產品使用有毒有害物質或元素 進行了嚴格的規(guī)定 ， 這對 實現(xiàn)有毒有害物質在電子信息產品中的替代或減量化將起到重要作用。項目建設區(qū)供水、供熱、供電等配套工程設施完善。項目新增相關設備 343 臺套，新增建筑面積 11720m2。由于重視科研的投入，使公司保持了強大的市場競爭力，能夠不斷創(chuàng)新開發(fā)出新產品。 化學氣相沉積生產 SiC 涂層石墨基座是我們近期開拓的科研項目，現(xiàn)已在小批量生產，并且得到比較滿