【正文】 資料估算設(shè)備購置費。 投資估算依據(jù) 項目的編制是根據(jù)國家發(fā)展和改革委員會《建設(shè)項目可行性研究報告編制內(nèi)容深度規(guī)定》進(jìn)行編制。 2021 年其研制的“熱解石墨合金”新材料，榮獲國家第二批科技型中小企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新基金。公司擁有自主的知識產(chǎn)權(quán)與專利，有獨特專業(yè)技術(shù)。 本項目 用 電由 ****市供電公司供 應(yīng)，裝機(jī)容量能完全滿足本項目的需要，所以電 力 供應(yīng)是有保障的。 本項目是采用化學(xué)氣相沉積技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)的，所需原材料主要為 甲基三氯硅烷 、 氬 氣、氫氣和石墨，在生產(chǎn)和存儲過程中都有嚴(yán)格的安全措施， 23 不會對人身和周圍環(huán)境造成損害。 項目進(jìn)度 21 本項目建設(shè)期為 2021 年 1 月－ 2021 年 1 月 ， 從資金到位開始 12 個月內(nèi)完工投產(chǎn)，進(jìn)度安排如下： 項目進(jìn)度 項目內(nèi)容 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 工程整體分項設(shè)計 設(shè)備訂貨購置制造 土建施工 設(shè)備安裝及調(diào)試 人員培訓(xùn) 原、輔料購 置 試 車 投 產(chǎn) 擬達(dá)到的經(jīng)濟(jì)、技術(shù)目標(biāo)及水平 項目建設(shè)完成后， ********將成為我國最大的半導(dǎo)體用特種陶材研發(fā)與生產(chǎn)基地，將達(dá)到年產(chǎn) SiC 涂層石墨基 座 21000 套的生產(chǎn)能力，單晶硅外延基座產(chǎn)品生產(chǎn)與研發(fā)達(dá)到國際先進(jìn)水平，為我國半導(dǎo)體用大尺寸硅單晶片生產(chǎn)提供堅實的設(shè)備支撐和充足的配套件供應(yīng)。進(jìn)一步提高大直徑、全系列半導(dǎo)體材料 用特種陶瓷基座生產(chǎn)、研發(fā)水平。 技術(shù)的成熟性 公司緊密跟蹤技術(shù)發(fā)展趨勢，持續(xù)創(chuàng)新，研制開發(fā)出一系列具有自主知識產(chǎn)權(quán)的 產(chǎn)品和技術(shù)，并擁有多項國家專利技術(shù)，一直保持企業(yè)在業(yè)界的技術(shù)領(lǐng)先地位，為企業(yè)持續(xù)發(fā)展奠定了堅實的基礎(chǔ)。 產(chǎn)品銷售預(yù)測 雖然我公司開發(fā)出 SiC 涂層石墨基座不久，但很快就打開了銷售市場。另外可以制作大件，如大的圓片和大型坩堝等。實驗中發(fā)現(xiàn)，隨著工藝條件及試樣位置的不同和表面微量元素的調(diào)整，所得到的涂層顏色呈現(xiàn)出棕青、棕黃、灰黑、黑色等多種變化，涂層表面形貌也可能出現(xiàn)顆粒狀、菜花團(tuán)狀、疏松粉狀和晶須等多種結(jié)構(gòu)。 在沉積過程中發(fā)現(xiàn)，沉積溫度和各氣相反應(yīng)物的分壓等工藝參數(shù)值的過高與過低，都會使各中間反應(yīng)的反應(yīng)速率產(chǎn)生不同的變化，從而改變了反應(yīng)進(jìn)程的最慢步驟，導(dǎo)致了反應(yīng)產(chǎn)物的變化和沉積結(jié)構(gòu)的不同，從而使 15 氣相沉積結(jié)果 “ 強烈 ” 依賴于實際 過程中具體的工藝條件。 對于涂層均勻性而言，表面處理、反應(yīng)溫度、沉積時間均為顯著影響因素， Ar 氣的含 量有一定的影響。 本項目技術(shù)成果來源為企業(yè)自主研發(fā)，并擁有該生產(chǎn)技術(shù)與生產(chǎn)設(shè)備（偏心進(jìn)氣化學(xué)氣相沉積爐，專利號 ）的自主知識產(chǎn)權(quán)。 為適應(yīng)我國快速發(fā)展的微光電子產(chǎn)業(yè)，國內(nèi)也必將會有企業(yè)對 SiC 涂層石墨基座進(jìn)行研究與開發(fā)，所以潛在的競爭對手將會是在國內(nèi)。這是絕對不可忽視的耗材和專用生產(chǎn)部件。 除四個國家工業(yè)化基地（上海、大連、南昌、廈門）外，現(xiàn)已經(jīng)初步 9 形成的七大區(qū)域：長江三角洲、珠江三角洲、江西及福建、北京－天津－****半島、遼東半島、大連－沈陽－長春、武漢、成都等數(shù)以百計的光電廠家，在國內(nèi)形成了新興 的光電子產(chǎn)業(yè)，急待國內(nèi)提供優(yōu)質(zhì)廉價 SiC 基座。 它比同樣亮度的白熾燈節(jié)能十分之一，壽命是其 100倍。硅外延片在 IC 業(yè)和分立元件業(yè)使用量占硅拋光片總量 7080%，由于 Φ 5″、 Φ 6″IC 生產(chǎn)線和分立元件生產(chǎn)線從國外大量向中國大陸轉(zhuǎn)移，目前呈現(xiàn) Φ 6硅外延片產(chǎn)品短缺、價格上升趨勢。我國 LED 的市場銷售規(guī)模在 120 億元左右 。與高純度石墨比較，高純石 5 墨在 400℃要發(fā)生強烈氧化，即使溫度不高，長期應(yīng)用也因氧化而掉粉末，會粘附工件與臺面，對半導(dǎo)體器件及產(chǎn)品產(chǎn)生污染。 國內(nèi)目前還在使用熱解石墨作外延基座的廠家及生產(chǎn)廠家已屈指可數(shù)了。熱解石墨涂層技術(shù)在國內(nèi)推廣，國內(nèi)形成三個主要生產(chǎn)廠家， ****1 家，遼寧 2 家。目前國際市場對 SiC 涂層基座需求呈現(xiàn)大直徑發(fā)展的趨勢，以Φ 300mm 左右的 SiC 涂層石墨基座生產(chǎn)將成為主流。 碳化硅（ SiC）涂層石墨基座是以化學(xué)氣相沉積（ CVD）技術(shù)生產(chǎn)出來的，具有高純度、耐高溫、耐腐蝕、氣密性好，因此具有很好的高溫物理、化學(xué)性能，是當(dāng)今特種陶瓷領(lǐng)域中的高端產(chǎn)品和前沿課題。 國內(nèi)外技術(shù)現(xiàn)狀 碳化硅（ SiC）氣相沉積技術(shù)是國外早已發(fā)展的技術(shù)，但作為化學(xué)氣相沉積，用做外延基座在我國至今仍然還是空白，所以，每年約幾十億元的資金用于進(jìn)口此種基座， 西方各國 對 此技術(shù)的生產(chǎn)配方和工藝都極為保密 。 產(chǎn)品、技術(shù)發(fā)展趨勢 a、直徑呈擴(kuò)大趨勢 單晶硅的 發(fā)展一直呈現(xiàn)大直徑的發(fā)展潮流，硅單晶圓片越大，同一圓片上生產(chǎn)的集成電路就越多，這樣既可降低成本，又能提高成品率，但材料技術(shù)和生產(chǎn)技術(shù)要求會更高。 八十年代中后期，由于我國硅外延設(shè)備與技術(shù)落后，單晶硅外延廠家在減少，后來隨我國的改革開放，引進(jìn)大量的國外技術(shù)與設(shè)備，硅外延基座全由國外進(jìn)口，全是 SiC 涂層基座。 2021 年由趙鳳鳴教授研制的 SiC 涂層基座在南京大學(xué)試用，因使用效果良好使南京大學(xué)已成為我們的忠實客戶。它不僅可以提高集成電路的成品率，而且可以顯著提高其集成度和運算速度。 II、 III 族金屬有機(jī)化合物它們大多數(shù)是高蒸汽壓的液體或固體。 （ 2） 氮化鎵 （ GaN）半導(dǎo)體照明材料用基座 以 GaN 為代表的第三代半導(dǎo)體材料及器件的開發(fā)是新興半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心和基礎(chǔ) ， 是信息產(chǎn)業(yè)前進(jìn)的發(fā)動機(jī) ， 同時有可能改變?nèi)祟愓彰鞴庠吹募夹g(shù)現(xiàn)狀。 國內(nèi)形成的以 GaN 為代 表的新興光電子產(chǎn)業(yè)，對 SiC 涂層石墨基座的年需求量在 2 萬套 左右，急待國內(nèi)提供優(yōu)質(zhì)廉價 SiC 基座。 市場年均增長率 SiC 涂層石墨基座是消耗性材料，它占 Si 外延片成本的 1/4~1/5。 競爭力分析 目前我國 SiC 外延基座，幾乎全部依靠進(jìn)口，而進(jìn)口產(chǎn)品有兩大問題：一是價格較貴，二是供貨時間太長。如能盡早規(guī)模化擴(kuò)產(chǎn)，就又會占據(jù)規(guī)模優(yōu)勢。 12 項目技術(shù) 先進(jìn)性 工藝流程 碳化硅（ SiC）氣相沉積技術(shù)是國外發(fā)展較早的技術(shù)，但作為化學(xué)氣相沉積，用做外延基座在我國至今仍然還是空白。 通常條件下，在沉積過程之前對 基體 進(jìn)行預(yù)處理目的在于除去表面雜質(zhì)和表面缺陷，使 “ 新鮮 ” 的基底得以暴露。吸附在基底表面的粉末作為一種污染源，會降低涂層的質(zhì)量和表面完整性。過高的流速還會降低基體表面的氣體溫度，造成沉積曲線的漂移。 此外該項目的生產(chǎn)過程屬低壓氣相沉積（ 2mmHg）接近真空，三廢排放主要是氮氣和水蒸氣，另外有少量氯化氫氣體排放，且加設(shè)淋水浴廢氣捕捉完全回收利用，用于后加工的清洗打磨工序使用。 公司經(jīng)過多年持續(xù)不斷的研發(fā)投入與積累， 現(xiàn)已擁有各類先進(jìn)的研發(fā)生產(chǎn)設(shè)備 210 余臺套。 特別本項目所使用的“一爐多支技術(shù)”為世界首創(chuàng)，達(dá)到國際領(lǐng)先水平，大大降低了碳化硅涂層石墨基座等產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。 項目建成后形成 4 條生產(chǎn)線，年可生產(chǎn)單晶硅外延用和 GaN 外延用SiC 涂層石墨基座 21000 套，其中：Φ 312 8 產(chǎn)能 9000 套 /年，Φ 41210 產(chǎn)能 6000 套 /年，Φ 360 60 產(chǎn)能 1000 套 /年，Φ 117 5 產(chǎn)能 5000 套 /年。項目的建設(shè)，使該地區(qū)的地形、地物發(fā)生了變化，項目施工期間，主要污染因素是施工噪聲、建筑垃圾和揚塵。而用偏心進(jìn)氣化學(xué)氣相沉積爐可以生產(chǎn)多只小件，可降低電能消耗 35%。公司擁有國家級新產(chǎn)品 3 個， 國家發(fā)明專利 11 項， 承擔(dān)了 2 項國家火炬計劃。 技術(shù)人員及構(gòu)成 現(xiàn)有 科研技術(shù)人員 157 人， 其中博士 6 人 ，碩士 7 人，本科學(xué)歷員工67 人。 企業(yè)資產(chǎn)信用狀況 資產(chǎn)總額 根據(jù) ****德州大正有限責(zé)任會計師事務(wù)所出具的審計報告，截止2021 年 12 月 31 日，集團(tuán)總資產(chǎn) 121,732 萬元， 固定資產(chǎn)原值 46,898 萬元、固定資產(chǎn)凈值 30,691 萬元、流動資產(chǎn) 77,011 萬元、負(fù)債總額 67,232萬元、流動負(fù)債 50,478 萬元、 所有者權(quán)益合計 54,499 萬元。 建設(shè)投資估算內(nèi)容包括建筑工程、設(shè)備購置、安裝工程及其它費用，見表 “項目總投資構(gòu)成分析表 ” 。 工程建設(shè)其他費用估算表見附表 6－ 2“ 設(shè)備投資估算表 ” 預(yù)備費估算 基本預(yù)備費估算：以工程費用及工程建設(shè)其他費用的 10%計取。其中建設(shè)投資 5117 萬元，鋪底流動資金 400 萬元。 60 1045 6 冷卻池 鋼筋砼 m3 1500 990 7 綜合樓 磚混 m 178。 具備融資方案見表 。計算期確定為 10 年。 （ 5）攤銷費年限 該項目其他資產(chǎn) 萬元，按 5年攤銷，年攤銷費 萬元。 總成本費用估算見表 7－ 6 總成本費用 =外購原材料、燃料及動力費 +人員工資及福利費 +修理費 +折舊費 +攤銷費 +財務(wù)費用 +其他費用，年總成本費用為 萬元。 （ Pt）稅前稅后分別為 (均含建設(shè)期 )。 財務(wù)評價結(jié)論 由以上財務(wù)評價可以看出，本項目投資利潤率及投資利稅率均大于行業(yè)利潤率和平均利稅率，說明單位投資對國家的貢獻(xiàn)水平達(dá)到了本行業(yè)的平均水平。 詳見附表 7： 3－ 13“項目資產(chǎn)負(fù)債表”。 2. 正常生產(chǎn)年份利潤總額 萬元，利稅總額 萬元（含增值稅 萬元）。 （ 8）其它費用 41 銷售費用、管理費用以及制造費用中的其它費用均參照企業(yè)的管理水平進(jìn)行估算計入總成本。 （ 2）燃料、動力消耗費 燃燒、動力的消耗定額由公用工程專業(yè)根據(jù)負(fù)荷平衡提供計算，正常年等燃料、動力費為 萬元。 稅費 本項目的增值稅稅率按 17%計。 資本金籌措 本項目企業(yè)自有資金 萬元。 3000 1155 小計 三 公用與輔助工程1 原料庫 鋼結(jié)構(gòu) m2 300 880 2 成品庫 鋼結(jié)構(gòu) m 178。見附表 6－ 3“ 流動資金估算表 ” 。 建設(shè)投資估算 工程費用估算 （ 1）建筑工程費用估算 :按工程量及有關(guān)定額或指標(biāo)估算建筑工程費 .見附表 6－ 1“ 建 (構(gòu) )筑物工程費用估算表 ” 。 企業(yè)近 三 年生 產(chǎn)經(jīng)營情況 公司近幾年來生產(chǎn)經(jīng)營狀況一直良好， 近 三 年經(jīng)濟(jì)效益指標(biāo)如下表： (單位：萬元 ) 年 份 銷售收入 利潤 稅金 總資產(chǎn) 資產(chǎn)負(fù)債率 2021 85081 5621 4072 91215 57% 2021 124997 7740 4563 110868 58% 2021 137772 8480 4986 121732 55% 第六章 項目投資及資金籌措 投資估算 29 編制說明 本項目投資估算范圍包括建筑工程費、設(shè)備購置費、設(shè)備安裝費、其它費用、預(yù)備費用等。 企業(yè)法人 公司法人代表 劉錫潛 ? 第十 、十一 屆全國人大代表 ? 全國勞 動模范 ? 享受國務(wù)院政府特殊津貼 ? 國家發(fā)明獎獲得者 ? ****省十大優(yōu)秀民營科技企業(yè)家 ?? 項目負(fù)責(zé)人 本項目的負(fù)責(zé)人是公司的科技帶頭人趙鳳鳴教授，是 中國科學(xué)院研究 27 員，國家級專家，享受國務(wù)院政府特殊津貼，是我國熱解氮化硼材料的創(chuàng)始人，熱解石墨材料的早期開拓者，獲有國家、科學(xué)院、地方一、二、三等獎十余項及多項國家專利。近幾年來，依托科技創(chuàng)新，企業(yè)得以迅速發(fā)展。 供電、用水 表 項目水、電年需要表 24 序號 名稱 單位 數(shù)量 預(yù)測價格（元） 供應(yīng)來源 1 水 噸 5700 自備井 2 電 萬度 460 外購 本項目生產(chǎn)、生活、消防用水源為自備井水，完全能夠滿足生產(chǎn)、生活和消防用水的需求。 由信息產(chǎn)業(yè)部、國家發(fā)改委等部門聯(lián)合制定的《電子信息 產(chǎn)品污染控制管理辦法》從電子信息產(chǎn)品的研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)、銷售、進(jìn)口等環(huán)節(jié)抓起，對規(guī)范投放我國市場的電子信息產(chǎn)品使用有毒有害物質(zhì)或元素 進(jìn)行了嚴(yán)格的規(guī)定 ， 這對 實現(xiàn)有毒有害物質(zhì)在電子信息產(chǎn)品中的替代或減量化將起到重要作用。項目建設(shè)區(qū)供水、供熱、供電等配套工程設(shè)施完善。項目新增相關(guān)設(shè)備 343 臺套，新增建筑面積 11720m2。由于重視科研的投入，使公司保持了強大的市場競爭力，能夠不斷創(chuàng)新開發(fā)出新產(chǎn)品。 化學(xué)氣相沉積生產(chǎn) SiC 涂層石墨基座是我們近期開拓的科研項目，現(xiàn)已在小批量生產(chǎn)，并且得到比較滿