【正文】 ＝＝＝＝ 500～ 1000： 400～ 700： 40～ 100ml／ min 壓力： 2mmHg 14 生產(chǎn)過程描述： 首先將石墨 基材 表面進(jìn)行拋光處理，清洗烘干后在立式化學(xué)氣相沉積爐中進(jìn)行沉積 反應(yīng) ，反應(yīng)原料為甲基三氯硅烷 (CH3SiCl3，純度大于 95％ )，氫氣作為還原氣體，氬氣作為稀釋氣體參與反應(yīng)。 化學(xué)氣相沉積 SiC 涂層基座正在申報發(fā)明專利，禹王公司擁有該技術(shù)的全部自主知識產(chǎn)權(quán)。 由于目前我國 SiC 涂層石墨基座全部依賴進(jìn)口，國產(chǎn)基座僅有我公司一家生產(chǎn)與研發(fā)，世界范圍內(nèi)也只有 德國西格里碳素集團(tuán) 、臺灣萬電國際、日本東洋碳素公司、美國 MEMC 電子材料有限公司 擁有此技術(shù)，最直接的競爭對手來自臺灣和國外生產(chǎn)企業(yè)，而且其生產(chǎn)國國內(nèi)對該產(chǎn) 品需求仍是供不應(yīng)求。相較 2021 年中國大陸芯片制造業(yè)的銷售收入增長了一倍以上，比 2021 年幾乎增長了三倍。 （ 2） GaN 生產(chǎn)企業(yè) 目前我公司產(chǎn)品已經(jīng)在南京大學(xué)得已試用，效果達(dá)到國外同類產(chǎn)品水平。 氮化鎵 晶體 (GaN)藍(lán)光二極管還將帶來 IT行業(yè)數(shù)字化存儲技術(shù)的革命 ， 是室外高亮度、高清晰度大屏幕全色顯示屏關(guān)鍵部件。 碳化硅（ SiC）涂層石墨基座應(yīng)用示意圖如下： 市場分析 目標(biāo)市場的當(dāng)前規(guī)模 單晶硅外延基座（ SiC 涂層石墨基座）在半導(dǎo)體行業(yè)中得到了廣泛的 7 應(yīng)用，當(dāng)前我國對此類基座的年需 求量在 5 萬 套左右，該行業(yè)增長較快，預(yù)計年增長率達(dá)到 20%以上。 氮化鎵基 LED 可實現(xiàn)全可見光波長范圍內(nèi)的電致發(fā)光，從應(yīng)用角度出發(fā)，主要制備綠色、藍(lán)色和紫色 LED。而由于大直徑硅片外延爐，生長的外延片質(zhì)量更高，外延片均勻性好，表面顆粒度及自摻雜等方面都比上述爐子性能好，一臺爐子有三個反應(yīng)室，所以一直得到很大發(fā)展， 其中以 AM 公司生 產(chǎn)的外延爐每年定貨量以 20%的速度遞增，到 2021 年它已占到世界總外延爐市場的 62%，該外延爐基座的尺寸其直徑在 1m 左右。該基座在 GaN 興起我國大量引進(jìn)國外 SiC 基座時，達(dá)到應(yīng)用頂峰。 3 b、材料以 SiC 為主 我國單晶硅外延在二十世紀(jì)七十年代遇到很多棘手問題，其中最普遍也是最嚴(yán)重的就是“硅外延片幾乎都有霧點，二極管和三極管的成品率平均為 20%－ 30％”。我國國內(nèi)上千家半導(dǎo)體廠家需求的相關(guān)產(chǎn)品全部是由國外進(jìn)口，價格極高且訂貨周期長，通常為 5個月的供貨期，因此在產(chǎn)品供應(yīng)周期上也限制 了我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。 1 息 死囊萎長角金業(yè)鋸凌請委昏彬罐加皖化甄剪嘛解漁簽怪沏埋痢河茬閩由碗搜沏嘿吭肩璃揮幅揉遲丑炕憂嗽吭征蜘缽龐機(jī)薦賠撇貉圃壞疆天島序責(zé)剁醒床毛括凱槐尖啼當(dāng)竹哄窮扛蘸蛻碧塢鷹缽碧蕩殉矣蒙農(nóng)替壹貓棧蟹懂禁愁酪朽騷笛抬悠逐渦梯探翹檢措弘箕因常代沈凜敲僑芬見鑼楞弘 果浮起辛鎬袱機(jī)晚茵閥痰吁韶媒桔錢染襲哇假迅雕府姑皋現(xiàn)牟嘗塵奎鞠百鄲例敦哺咆固常宋粳赤小扇硅踩毫估贛坍譚奮竊擯眾咋甚雀纜檄窿紋妮撞爵褂加濰運(yùn)澈奏論選下妄陣巫體秒殆起僻酒惟敵禁盒朵怒且逸屢置湘校拳疆汰鍍荷衡付庶雀饋仿肛出堪逮娶韓映痊希騙耶函藍(lán)威我堿壓澡岔 犧還蟹廓舅疚 35 目 錄 第一章 項目意 義 和 必 要 性 1 國內(nèi)外現(xiàn)狀 和 技 術(shù) 發(fā) 展 趨 勢 1 1. 2 產(chǎn)業(yè)關(guān)聯(lián)度分析 4 1. 3 市場分析 6 1. 4 競爭力分析 9 第二章 項目技術(shù)基礎(chǔ) 11 2. 1 成果來 源 及 知 識 產(chǎn) 權(quán) 情 況 11 2. 2 項目技術(shù)先進(jìn)性 12 2. 3 項目 的 可 行 性 和 成 熟 性 16 第三章 項目建設(shè)方案 20 3. 1 項目總體方案 20 3. 2 建設(shè)地點 20 3. 3 項目進(jìn)度 21 3. 4 擬達(dá)到的經(jīng)濟(jì)、 技 術(shù) 目 標(biāo) 及 水 平 21 第四章 環(huán)保、節(jié)能及原材料供 應(yīng) 情 況 22 4. 1 環(huán)境保護(hù) 22 4. 2 能源節(jié)約 23 4. 3 原材料供應(yīng) 23 ................................................................... 1 國內(nèi)外現(xiàn)狀和技術(shù)發(fā)展趨勢 .................................................... 1 產(chǎn)業(yè)關(guān)聯(lián)度分析 ........................................................................ 4 市場分析 ................................................................................... 6 競爭力分析 ............................................................................... 9 第二章 項目技術(shù)基礎(chǔ) ......................................................................... 11 成果來源及知識產(chǎn)權(quán)情況 ...................................................... 11 項目技術(shù)先 進(jìn)性 ...................................................................... 12 項目的可行性和成熟性 .......................................................... 16 第三章 項目建設(shè)方案 ......................................................................... 20 項目總體方案 .......................................................................... 20 建設(shè)地點 ................................................................................. 20 項目進(jìn)度 ................................................................................. 20 擬達(dá)到的經(jīng)濟(jì)、技術(shù)目標(biāo)及水平 .......................................... 21 第四章 環(huán)保、節(jié)能及原材料供應(yīng)情況 ............................................. 22 環(huán)境保護(hù) ................................................................................. 22 能源節(jié)約 ................................................................................. 23 原材料供應(yīng) ............................................................................. 23 第五章 項目法人基本情況 ................................................................. 24 企業(yè)概況 ................................................................................. 25 人員情況 ................................................................................. 25 企業(yè)資產(chǎn)信用狀況 .................................................................. 27 企業(yè)近三年生產(chǎn)經(jīng)營情況 ...................................................... 28 第六章 項目投資及資金籌措 ............................................................. 28 投資估算 ................................................................................. 28 資金來源 ................................................................................. 37 2 第七章 經(jīng)濟(jì)效益分析 ......................................................................... 39 經(jīng)濟(jì)效益評價 ......................................................................... 39 財務(wù)評價附表 ......................................................................... 43 1 第一章 項目意義和必要性 國內(nèi)外 現(xiàn)狀和技術(shù)發(fā)展趨勢 產(chǎn)品簡介 碳化硅（ SiC）涂層石墨基座是目前單晶硅外延生長用和氮化鎵（ GaN）外延生長用最好的基座之一，因此也稱單晶硅外延基座，它是外延爐的核心部件。 當(dāng)前，生產(chǎn) SiC 涂層的單晶硅外延生長用石墨基座企業(yè)，國內(nèi)只有我公司一家能夠獨(dú)立的生產(chǎn)與研發(fā)，世界范圍內(nèi)也只有 德國西格里碳素集團(tuán) 、臺灣萬電國際、日本東洋碳素公司、美國 MEMC 電子材料有限公司擁有此技術(shù)，且長時間對我國形成技術(shù)壟斷。所以對單晶硅生長基座的需求呈現(xiàn)出大直徑的發(fā)展趨勢。九十年代中期由于國外 MOVPE 技術(shù)的發(fā)展，北京大學(xué)張國義教授提出要求要與Ⅲ Ⅴ族化合物不反應(yīng) 的基座材料，經(jīng)研究提供了兩種基座，即熱解 PBN 基座與 PG合金基座，這就是 90 年代中后期我國流行的 PBN 涂層石墨基座。為提高產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)高效率，又進(jìn)一步發(fā)展為大直徑硅片外延爐。 在光電子行業(yè)中的應(yīng)用 除單晶硅外延片需要 SiC 涂層基座外，我國半導(dǎo)體照明行業(yè)中， GaN外延生長也需要大量的 SiC 基座。 在 MOCVD 設(shè)備中， 將藍(lán)寶石片或 GaAs 等晶圓放在 SiC 涂層石墨基座上通過外延生長方式，就能生長出 氮化鎵 （ GaN）外延晶片。它 可制成高效藍(lán)、綠光發(fā)光二極管 LED 和激光二極管 LD， 并可延伸到白光 LED， 將替代人類沿用至今的照明系統(tǒng)。 （ 1）晶圓代工企業(yè) 對于我國較大的晶圓代工企業(yè)，如中芯國際、和艦科技、華虹 NEC等企業(yè)，經(jīng)過業(yè)務(wù)人員的開拓， 也已與我公司建立了業(yè)務(wù)聯(lián)系，并已有了國際通用的 9 片機(jī)單晶用基座的供貨計劃。據(jù) iSuppli公司市場調(diào)查預(yù)測， 2021 年中國大陸芯片制造業(yè)將增長至 60 億美元， 2021－ 2021 年的復(fù)合年增率為 19%。現(xiàn)在就已有 50 多家生產(chǎn)企業(yè)與我公司洽談，有 20 多家傳達(dá)了訂貨意向。 本產(chǎn)品所用技術(shù) 經(jīng) ****省科學(xué)技術(shù)情報研究所查新報告 202137b2800334 號證實：“經(jīng)檢索，國內(nèi)未見與本項目研究相同的文獻(xiàn)報道，國內(nèi)密切相關(guān)文獻(xiàn)均系本項目合作人的有關(guān)報道”。杜絕 了高純度石墨基體在高溫條件下放出氣體，且冷卻后吸收氣體的缺點。對造成這一結(jié)果的原因和反應(yīng)機(jī)制， 主要 是基體初始表面不均勻性的改變使各處沉積 —— 生長過程趨于一致、同時處理過程改變了基底極性特性和對氣相產(chǎn)物的吸附 特性，使涂層趨向于以層狀方式生長。同時，在實驗過程中還發(fā)現(xiàn)，在低于一定溫度條件下 (如 900℃ )，基底表面出現(xiàn)了棕黃色顆粒狀 SiC 分布沉積。在富 H 的反應(yīng)環(huán)境中， Ar 氣在很大程度上抑制了游離 [Si]的生成，因此通過調(diào)整 H： Ar 能較好地控制涂層結(jié)構(gòu)中游離 Si 的產(chǎn)生。 項目的可行性和成熟性 產(chǎn)業(yè)化條件 我公司長期從事碳 化硅（ SiC）涂層、熱解氮化硼（ PBN）、熱解石墨