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單晶硅外延基座研發(fā)項(xiàng)目資金申請(qǐng)報(bào)告(留存版)

2025-02-02 06:07上一頁面

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【正文】 產(chǎn)能 1000 套 /年,Φ 117 5 產(chǎn)能 5000 套 /年。 公司經(jīng)過多年持續(xù)不斷的研發(fā)投入與積累, 現(xiàn)已擁有各類先進(jìn)的研發(fā)生產(chǎn)設(shè)備 210 余臺(tái)套。過高的流速還會(huì)降低基體表面的氣體溫度,造成沉積曲線的漂移。 通常條件下,在沉積過程之前對(duì) 基體 進(jìn)行預(yù)處理目的在于除去表面雜質(zhì)和表面缺陷,使 “ 新鮮 ” 的基底得以暴露。如能盡早規(guī)?;瘮U(kuò)產(chǎn),就又會(huì)占據(jù)規(guī)模優(yōu)勢(shì)。 市場(chǎng)年均增長(zhǎng)率 SiC 涂層石墨基座是消耗性材料,它占 Si 外延片成本的 1/4~1/5。 ( 2) 氮化鎵 ( GaN)半導(dǎo)體照明材料用基座 以 GaN 為代表的第三代半導(dǎo)體材料及器件的開發(fā)是新興半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心和基礎(chǔ) , 是信息產(chǎn)業(yè)前進(jìn)的發(fā)動(dòng)機(jī) , 同時(shí)有可能改變?nèi)祟愓彰鞴庠吹募夹g(shù)現(xiàn)狀。它不僅可以提高集成電路的成品率,而且可以顯著提高其集成度和運(yùn)算速度。 八十年代中后期,由于我國(guó)硅外延設(shè)備與技術(shù)落后,單晶硅外延廠家在減少,后來隨我國(guó)的改革開放,引進(jìn)大量的國(guó)外技術(shù)與設(shè)備,硅外延基座全由國(guó)外進(jìn)口,全是 SiC 涂層基座。 國(guó)內(nèi)外技術(shù)現(xiàn)狀 碳化硅( SiC)氣相沉積技術(shù)是國(guó)外早已發(fā)展的技術(shù),但作為化學(xué)氣相沉積,用做外延基座在我國(guó)至今仍然還是空白,所以,每年約幾十億元的資金用于進(jìn)口此種基座, 西方各國(guó) 對(duì) 此技術(shù)的生產(chǎn)配方和工藝都極為保密 。目前國(guó)際市場(chǎng)對(duì) SiC 涂層基座需求呈現(xiàn)大直徑發(fā)展的趨勢(shì),以Φ 300mm 左右的 SiC 涂層石墨基座生產(chǎn)將成為主流。 國(guó)內(nèi)目前還在使用熱解石墨作外延基座的廠家及生產(chǎn)廠家已屈指可數(shù)了。我國(guó) LED 的市場(chǎng)銷售規(guī)模在 120 億元左右 。 它比同樣亮度的白熾燈節(jié)能十分之一,壽命是其 100倍。這是絕對(duì)不可忽視的耗材和專用生產(chǎn)部件。 本項(xiàng)目技術(shù)成果來源為企業(yè)自主研發(fā),并擁有該生產(chǎn)技術(shù)與生產(chǎn)設(shè)備(偏心進(jìn)氣化學(xué)氣相沉積爐,專利號(hào) )的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。 在沉積過程中發(fā)現(xiàn),沉積溫度和各氣相反應(yīng)物的分壓等工藝參數(shù)值的過高與過低,都會(huì)使各中間反應(yīng)的反應(yīng)速率產(chǎn)生不同的變化,從而改變了反應(yīng)進(jìn)程的最慢步驟,導(dǎo)致了反應(yīng)產(chǎn)物的變化和沉積結(jié)構(gòu)的不同,從而使 15 氣相沉積結(jié)果 “ 強(qiáng)烈 ” 依賴于實(shí)際 過程中具體的工藝條件。另外可以制作大件,如大的圓片和大型坩堝等。 技術(shù)的成熟性 公司緊密跟蹤技術(shù)發(fā)展趨勢(shì),持續(xù)創(chuàng)新,研制開發(fā)出一系列具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的 產(chǎn)品和技術(shù),并擁有多項(xiàng)國(guó)家專利技術(shù),一直保持企業(yè)在業(yè)界的技術(shù)領(lǐng)先地位,為企業(yè)持續(xù)發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。 項(xiàng)目進(jìn)度 21 本項(xiàng)目建設(shè)期為 2021 年 1 月- 2021 年 1 月 , 從資金到位開始 12 個(gè)月內(nèi)完工投產(chǎn),進(jìn)度安排如下: 項(xiàng)目進(jìn)度 項(xiàng)目?jī)?nèi)容 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 工程整體分項(xiàng)設(shè)計(jì) 設(shè)備訂貨購(gòu)置制造 土建施工 設(shè)備安裝及調(diào)試 人員培訓(xùn) 原、輔料購(gòu) 置 試 車 投 產(chǎn) 擬達(dá)到的經(jīng)濟(jì)、技術(shù)目標(biāo)及水平 項(xiàng)目建設(shè)完成后, ********將成為我國(guó)最大的半導(dǎo)體用特種陶材研發(fā)與生產(chǎn)基地,將達(dá)到年產(chǎn) SiC 涂層石墨基 座 21000 套的生產(chǎn)能力,單晶硅外延基座產(chǎn)品生產(chǎn)與研發(fā)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平,為我國(guó)半導(dǎo)體用大尺寸硅單晶片生產(chǎn)提供堅(jiān)實(shí)的設(shè)備支撐和充足的配套件供應(yīng)。 本項(xiàng)目 用 電由 ****市供電公司供 應(yīng),裝機(jī)容量能完全滿足本項(xiàng)目的需要,所以電 力 供應(yīng)是有保障的。 2021 年其研制的“熱解石墨合金”新材料,榮獲國(guó)家第二批科技型中小企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新基金。 ( 2)設(shè)備及工器具購(gòu)置費(fèi)估算:根據(jù)項(xiàng)目主要設(shè)備表及價(jià)格、費(fèi)用資料估算設(shè)備購(gòu)置費(fèi)。 300 990 3 機(jī)修車間 磚混 m 178。同時(shí)按照有關(guān)規(guī)定,本項(xiàng)目繳納城市維護(hù)建設(shè)稅和教育附加,分別為增值稅和消費(fèi)稅額的 7%和 3%。 詳見附 7: 3- 6 表“總成本費(fèi)用估算表”。 不確定性分析 敏感性分析 該項(xiàng) 目對(duì)所得稅前全部投資作了敏感性分析,財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率為%,投資回收期 年,考慮到項(xiàng)目在實(shí)施過程中的一些不利因素的變化分別對(duì)建設(shè)投資、經(jīng)營(yíng)成本、銷售收入作了提高 5%和降低 5%的單因素變化,對(duì)財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率、投資回收期影響的敏感性分析,詳見敏感性分析表 表 敏感性分析表 5 5 5 5 5 51 財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率(% ) % % % % % % %2 較基本方案 % % % % % %3 投資回收期(年) 經(jīng)營(yíng)成本 銷售收入序號(hào) 項(xiàng)目 基本方案 投資 從敏感性分析表和敏感性分析圖可以看出,該項(xiàng)目對(duì)收入變化較為 43 最敏感,其次為成本。 239% ( FNPV)所得稅前為 萬元,所得稅后為 萬元。 詳見附 7: 3- 5“固定資產(chǎn)折舊及無形及其他資產(chǎn)攤銷表”。投產(chǎn)期達(dá)產(chǎn)負(fù)荷 80%,投入 萬元,投產(chǎn)期達(dá)產(chǎn)負(fù)荷 100%,再投入 萬元。 31 項(xiàng)目總投資估算 項(xiàng) 目所需投入的總投資 5517 萬元。財(cái)務(wù)評(píng)價(jià)是根據(jù)《建設(shè)項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)評(píng)價(jià)方法與參數(shù)》 (第三版 )進(jìn)行編制。 人員情況 26 職工總數(shù)及構(gòu)成 公司 現(xiàn)有員工 1500 多人, 擁有博士及碩士學(xué)歷員工 16 人,本科學(xué)歷員工 500 余人, 大專以上學(xué)歷者占 公司員工總數(shù)的 60%。 能源節(jié)約 本公司使用 SiC 涂層基座專用生產(chǎn)設(shè)備的專利 —— “偏心進(jìn)氣化學(xué)氣相沉積爐”,該爐突破了中心進(jìn)氣的傳統(tǒng)模式,一爐只能做一只小件。同時(shí)建設(shè)或改造化學(xué)氣相沉積( CVD)車間、機(jī)械加工車間、產(chǎn)品后處理車間、產(chǎn)品檢驗(yàn)、包裝車間、純水處理及冷卻設(shè)施等。 研發(fā)優(yōu)勢(shì) 我公司建有省級(jí)企業(yè)技術(shù)中心,擁有一支穩(wěn)定的高素質(zhì)的技術(shù)力量,在材料科學(xué)、非金屬無機(jī)材料、化學(xué)氣相沉積技術(shù)、金屬熱處理、工業(yè)電氣自動(dòng)化等學(xué)科領(lǐng)域具有綜合技術(shù)優(yōu)勢(shì)。 用 Ar 氣作為稀釋劑或載氣的目的在于降低反應(yīng)氣體的濃度,使氣體能夠安全地充分混合,以減 少氣相反應(yīng)物在局部流向上的富集和避免單一氣相形核的產(chǎn)生。因此,該化學(xué)氣相沉積反應(yīng)過程極為復(fù)雜,各種工藝參數(shù)控制極為精密。并且產(chǎn)品已經(jīng)被部分院所及半導(dǎo)體廠家應(yīng)用及試用,取得了認(rèn)可(后附使用廠家的應(yīng)用報(bào)告)。如 Si 單晶用SiC 涂層導(dǎo)流筒,其需求量 500~1000 萬元 /年。有這么多設(shè)備投入和芯片產(chǎn)出,就要有約 3 萬套 的SiC 涂層基座的需求,因此是閃光的、高附加值的利潤(rùn)增長(zhǎng)點(diǎn)。 在微電子行業(yè)中的應(yīng)用 在單晶硅外延生長(zhǎng)工藝中,使用高頻感應(yīng)爐加熱,將單晶襯底基片置于包有碳化硅( SiC )涂層的高純石墨加熱體(基座)上,然后放進(jìn)石英反應(yīng)器中加熱并通入特種氣體,就能生長(zhǎng)出一層有一定要求的、與襯底晶向相同的特定單晶薄膜,通過 控制生長(zhǎng)條件,可以獲得不同電阻率、不同厚度及不同導(dǎo)電類型的外延層,主要應(yīng)用于各種硅集成電路和器件的制作。 中科院金屬研究所趙鳳鳴教授牽頭組織了全國(guó)科研成果鑒定會(huì),榮獲國(guó)家級(jí)鑒定成果證書。 根據(jù)國(guó)家發(fā)展和改革委員會(huì)、科技部、商務(wù)部發(fā)布的 《當(dāng)前優(yōu)先發(fā)展的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化重點(diǎn)領(lǐng)域指南( 2021 年度)》,該產(chǎn)品屬于指南“第一類第 15 條:電子專用設(shè)備、儀器和工模具: 812 寸硅片生產(chǎn)設(shè)備,化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備,碳化硅單晶材料生長(zhǎng)設(shè)備,片式元件生產(chǎn)設(shè)備, ??”。 通過本項(xiàng)目的實(shí)施,將解決我國(guó)微電子、光電子行業(yè)電子基礎(chǔ)產(chǎn)品所需特種陶瓷基座的供給難題,實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體生產(chǎn)中關(guān)鍵易耗部件的國(guó)產(chǎn)化。 2021 年南昌(白光工程)會(huì)議后,引進(jìn)國(guó)外設(shè)備的廠家,都在繼續(xù)引進(jìn)國(guó)外 SiC 基座,用于白光工程,趙鳳鳴教授用熱解石墨合金涂層,應(yīng)用 于單晶硅的導(dǎo)流筒和 GaAs 單晶的防熱罩,并將含 Si 的石墨合金應(yīng)用于外延基座。 LED 外延片和芯片制造,是 光電子 產(chǎn)業(yè)鏈中價(jià)值量和技術(shù)含量最高的部分。我國(guó)工程院士陳良惠測(cè)算:到 2021 年,我國(guó)只要 1/3 的白熾燈照明被半導(dǎo)體燈取代,其節(jié)能電量相當(dāng)于再造一個(gè)三峽工程。由于 GaN與 Si 晶圓外延的需求量相當(dāng)?shù)拇?,所?SiC 基座市場(chǎng)容量空間也是非常大的。 公司總工程師趙鳳鳴教授,是原中國(guó)科學(xué)院金屬研究所研究員,長(zhǎng)期從事特種陶瓷材料的研究,擁有熱解氮化硼產(chǎn)品的發(fā)明專利,技術(shù)總監(jiān)趙林擁有設(shè)備實(shí)用新型專利, 2021 年“熱解石墨合金技術(shù)”通過了國(guó)家鑒定和驗(yàn)收(甬科鑒字[ 2021]第 129 號(hào)),擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),并榮獲“國(guó)家 2021 年度第二批科技型中小企業(yè) 技術(shù)創(chuàng)新基金”。 在多數(shù)情況下,沉積過程中的反應(yīng)形式為多相反應(yīng),但在某些條件下,基底表面空間內(nèi)也會(huì)發(fā)生單相氣相形核過程,產(chǎn)生膠狀粒子煙霧。 在一爐多只的同時(shí),本公司又實(shí)現(xiàn)了多種產(chǎn)品在爐內(nèi)公轉(zhuǎn)與自轉(zhuǎn)同時(shí)進(jìn)行(如圖 2),使涂層表面更加均勻,元素的分布更加理想。 本項(xiàng)目技術(shù)成果來源為企業(yè)自主研發(fā),并擁有該生產(chǎn)技術(shù)與生產(chǎn)設(shè)備(偏心進(jìn)氣化學(xué)氣相沉積爐,專利號(hào) )的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。 預(yù)計(jì)項(xiàng)目完成后,產(chǎn)品年可實(shí)現(xiàn)銷售收入 8700 萬元,年工業(yè)增加值2750 萬元,年凈利潤(rùn) 1200 萬元,年交稅金 980 萬元。 第五章 項(xiàng)目法人基本情況 25 企業(yè) 概況 企業(yè)名稱: ****禹王實(shí)業(yè)有限公司 法定代表人: 劉錫潛 公司 性質(zhì): 有限責(zé)任公司 企業(yè)地址: ****省 ****市通衢路北首 企業(yè) 簡(jiǎn)介 ****禹王 實(shí)業(yè)有限公司 是以 特種陶瓷材料、 化工、 食品、 醫(yī)藥為一體的 集團(tuán)公司,是 國(guó)家級(jí)重點(diǎn)高新技術(shù)企業(yè) 和 中國(guó)專利明星企業(yè) 。 管理班子 為了提高公司管理的水平,高薪聘請(qǐng)了有著十余年管理工作經(jīng)驗(yàn)的復(fù)旦大學(xué)經(jīng)濟(jì)管理系碩 士畢業(yè)生周鋒先生為總經(jīng)理。 ( 3)安裝工程費(fèi)估算 :按行業(yè)或?qū)iT機(jī)構(gòu)發(fā)布的安裝工程定額、取費(fèi) 30 標(biāo)準(zhǔn)和指標(biāo)估算安裝工程費(fèi)用。 150 880 4 五金器材庫 磚混 m 178。銷售稅金及附加為 萬元。 單位產(chǎn)品成本估算 單位成本 =直接材料費(fèi) +直接燃料及動(dòng)力費(fèi) +直接工資 +其他直接支出 +配送費(fèi)用,估算為 341 元 /噸。因此,建議在本項(xiàng)目設(shè)計(jì)投產(chǎn)后的保證控制好產(chǎn)品質(zhì)量并作好銷售渠道,做好投資成本控制,提高使用人員素質(zhì),以利于取得更好的經(jīng)濟(jì)效益。 財(cái)務(wù)評(píng)價(jià) 盈利能力分析 ( 1)財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率( FIRR) ( 1)財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率( FIRR) 42 %,所得稅后為 %。 ( 4)折舊費(fèi)方法及費(fèi)率 固定資產(chǎn)原值 萬元(基本預(yù)備費(fèi)、建設(shè)期利息及其它費(fèi)用按建筑工程和工藝設(shè)備所占投資比例分?jǐn)偟焦潭ㄙY產(chǎn)原值中提取折舊), 根椐規(guī)定房屋及構(gòu)筑物折舊年限按 20年計(jì)算、機(jī)械設(shè)備折舊年限按 10 年計(jì)算,運(yùn)輸設(shè)備折舊年限按 10 年計(jì)算,預(yù)計(jì)殘值率按 5%計(jì)算,經(jīng)計(jì)算年折舊額 萬元。項(xiàng)目流動(dòng) 資金在投產(chǎn)期和達(dá)產(chǎn)期投入。項(xiàng)目第一年達(dá)運(yùn)力負(fù)荷 80%,需要流動(dòng)資金 萬元,鋪底流動(dòng)資金 萬元;第二年達(dá)運(yùn)力負(fù)荷 100%,需要流動(dòng)資金 萬元,鋪底流動(dòng)資金 萬元。投資估算是根據(jù)國(guó)家發(fā)展和改革委員會(huì)《工程設(shè)計(jì)概算編制辦法》進(jìn)行編制。目前公司的設(shè)備設(shè)計(jì)、工藝技術(shù),在國(guó)內(nèi)都處于前沿地位。 SiC 涂層石墨基座產(chǎn)品成分主要為石墨和碳化硅,因此 對(duì)環(huán)境、資源以及人類身體生命健康以及財(cái)產(chǎn)安全 也不會(huì)造成 任何 破壞、損害、浪費(fèi) 等 不良影響 。 項(xiàng)目建設(shè)新增大直徑 SiC 涂層基座生產(chǎn)設(shè)備,設(shè)計(jì)、制造全新的化學(xué)氣相沉積真空碳管爐和感應(yīng)爐。目前國(guó)內(nèi)較 知名的半導(dǎo)體廠家,如華虹 NEC、廈門三安電子、上海藍(lán)光、南京大學(xué)、中科電子科技集團(tuán)十三所等都已有了訂貨計(jì)劃, 預(yù)計(jì)2021 年訂單在 15000 套以上, 2021 年訂單可達(dá)到 22021 套,所以,迫切需要我公司盡快擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模,滿足越來越大的市場(chǎng)需求。沉積粒子在基底表面的積聚生長(zhǎng)情況取決于原料入/出口處的幾何形狀、能量區(qū)的分布、氣體的比例、原料在實(shí)驗(yàn)條件下的反應(yīng)活度等一系列因素。對(duì)于涂層厚度,僅沉積時(shí)間為顯著影響因素,沉積溫度有一定的影響;對(duì)于沉積速率也表現(xiàn)為沉積時(shí)間有顯著影響,而 H2 流量 也 有影響。不過我們公司涉足此領(lǐng)域在國(guó)內(nèi)最早,具有一定的市場(chǎng)先入優(yōu)勢(shì),同時(shí)有比較雄厚的技術(shù)基礎(chǔ)和設(shè)備實(shí)力。 ( 3)半導(dǎo)體封裝企業(yè)及其它 半導(dǎo)體器件金屬封裝廠家,用大量的 SiC 涂層石墨板材做金屬封裝底座;在粉沫冶金行業(yè)用 SiC 涂層石墨板作為隧道窯滾板,燒結(jié)用匣缽等,增加其強(qiáng)度及抗氧化性,從而延長(zhǎng)壽命;在真空設(shè)備與單晶提拉領(lǐng)域中,SiC 涂層廣泛用于石墨發(fā)熱體、石墨導(dǎo)流筒及熱場(chǎng)材料中。 2021 年中國(guó)大陸晶圓代工產(chǎn)業(yè)達(dá)到 25 億美元,據(jù) iSuppli 公司市場(chǎng)調(diào)查預(yù)測(cè), 20
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