【正文】 、新菜地開發(fā)基金，土地使用費）、工程地質勘察費、可行性研究費、工程設計費、環(huán)境影響咨詢費、安全評價費、研究試驗費、臨時設施費、聯(lián)合試運轉費、城市基礎設施配套費、工程保險費、生產準備及開辦費（培訓費及提前進廠費、辦公及生活家具購置費）、工程量清單（或預算、標底）編制費、施工圖審查費及其他費用等。 各項工程費用估算、工程建設其他費用估算 方法、指標及費率，參照《輕工業(yè)工程設計概算編制辦法》（ QBJS10— 2021）中的規(guī)定估算。財務評價是根據《建設項目經濟評價方法與參數》 (第三版 )進行編制。 銀行信用等級 我公司已連續(xù) 10年被 中國農業(yè)銀行 ****省分行 評 定 為銀行信用 AAA級。 公司常務副總經理趙林，是新西蘭藉華人，奧克蘭大學碩士畢業(yè)生，主抓生產，擁有化學氣相沉積 PBN 偏心進氣專利，參與熱解石墨合金的研制和Φ 12″ PBN 坩堝的研制，有 10 余年專業(yè)技術經驗與管理才能，并且有著豐富的營銷經驗，善于技術攻關與市場開拓，為新產品推向市場打下了良好的基礎。這個團隊善于學習、敢于創(chuàng)新、勇于實踐，成為禹王公司持續(xù)發(fā)展的強大動力。 人員情況 26 職工總數及構成 公司 現有員工 1500 多人， 擁有博士及碩士學歷員工 16 人，本科學歷員工 500 余人， 大專以上學歷者占 公司員工總數的 60%。 公司主要產品為碳化硅（ SiC）涂層材料和熱解氮化硼（ PBN）坩堝及其涂層，其中碳化硅（ SiC）涂層石墨基座添補了國內空白，世界上只有美、德、日等極少數科學技術先進國家擁有此技術。集團成立于 1986 年，所有制性質為民營， 銀行信用等級 AAA 級 ， 下屬 7 個工業(yè)企業(yè)、 1 個省級企業(yè)技術中心、 1 個研發(fā)中心、 20 多個駐外銷售分公司 、員工 1500 多人 。 原材料供應 主要原輔材料供應 本項目的主要原輔材料為 甲基三氯硅烷 、 氬 氣、氫氣和石墨 等， 項目所需輔料 全部可以 從周邊地區(qū) 及國內其他市場 購買，能保證供應。 能源節(jié)約 本公司使用 SiC 涂層基座專用生產設備的專利 —— “偏心進氣化學氣相沉積爐”，該爐突破了中心進氣的傳統(tǒng)模式，一爐只能做一只小件。實現廢氣零排放，沒有環(huán)境污染，符合環(huán)保要求。 22 第四章 環(huán)保、節(jié)能及原材料供應情況 環(huán)境保護 項目建設對環(huán)境的影響 該工程項目附近無森林、草地以及文物古跡和風景名勝等。本項目利用企業(yè)原有預留發(fā)展空地，不新增占地面積。同時建設或改造化學氣相沉積（ CVD）車間、機械加工車間、產品后處理車間、產品檢驗、包裝車間、純水處理及冷卻設施等。； ? 碳化硅（ SiC）表面密度接近理論值： ； ? 碳化硅（ SiC）表面具有很高的純度與各向異性； ? 碳化硅（ SiC） X 光測試見下圖： 19 20 第三章 項目建設方案 項目總體方案 本項目總投資 萬元，將建設 ****禹王微光電陶材生產與研發(fā)基地。目前，化學氣相沉積 SiC 涂層基座生產工藝正在申請國家發(fā)明專利。 為了贏得產品競爭優(yōu)勢，我公司十分注重科研投入，近三年平均投入研發(fā)經費占企業(yè)銷售收的 ％以上，擁有了完善的研究與開發(fā)體系，具 18 備了強大的科研開發(fā)和技術創(chuàng)新能力，在全國特種陶瓷材料行業(yè)中位居前列，為未來發(fā)展打下了堅實的基礎。 研發(fā)優(yōu)勢 我公司建有省級企業(yè)技術中心，擁有一支穩(wěn)定的高素質的技術力量，在材料科學、非金屬無機材料、化學氣相沉積技術、金屬熱處理、工業(yè)電氣自動化等學科領域具有綜合技術優(yōu)勢。相關技術人員擁有幾十年 CVD 技術的積累和嫻熟運用，擁有自主知識產權及市場先入優(yōu)勢。這項技術為我公司首創(chuàng)，擁有全部自主知識產權。 16 生產工藝創(chuàng)新點 本公司擁有 SiC 涂層基座專用生產設備的專利 —— “偏心進氣化學氣相沉積爐”，該爐突破了中心進氣的傳統(tǒng)模式（如圖 1），一爐只能做一只小件。 用 Ar 氣作為稀釋劑或載氣的目的在于降低反應氣體的濃度，使氣體能夠安全地充分混合，以減 少氣相反應物在局部流向上的富集和避免單一氣相形核的產生。并且涂層的最大厚度隨著溫度的降低而有所減少。當反應溫度超過某一范圍 (如 1450℃ 時 )，過量的氫氣還會與反應室壁材料中的 [O]元素發(fā)生反應，使氣流下游處的管壁上形成白色粉末狀涂層。 利用 CH3SiCl3+H2 體系在加熱基底上形成 SiC 涂層的過程，是基底表面附近經稀釋的氣態(tài) CH3SiCl3與過量 H2 之間的一系列復雜鏈式反應及形成氣相粒于在基底表面逐步凝聚生長的過程。因此，該化學氣相沉積反應過程極為復雜，各種工藝參數控制極為精密。 其工藝流程圖如下： 13 化學氣體沉積反應條件及組分比例： 950℃ ～ 1400℃ CH3SiCl3： H2： Ar＝＝＝＝ 500～ 1000： 400～ 700： 40～ 100ml／ min 壓力： 2mmHg 14 生產過程描述： 首先將石墨 基材 表面進行拋光處理，清洗烘干后在立式化學氣相沉積爐中進行沉積 反應 ，反應原料為甲基三氯硅烷 (CH3SiCl3，純度大于 95％ )，氫氣作為還原氣體，氬氣作為稀釋氣體參與反應。特別是其發(fā)明的“一爐多支技術”為世界首創(chuàng)，達到國際領先水平，大大降低了碳化硅涂層石墨基座等產品的生產成本。 化學氣相沉積 SiC 涂層基座正在申報發(fā)明專利，禹王公司擁有該技術的全部自主知識產權。并且產品已經被部分院所及半導體廠家應用及試用，取得了認可（后附使用廠家的應用報告）。 由于目前我國 SiC 涂層石墨基座全部依賴進口，國產基座僅有我公司一家生產與研發(fā)，世界范圍內也只有 德國西格里碳素集團 、臺灣萬電國際、日本東洋碳素公司、美國 MEMC 電子材料有限公司 擁有此技術，最直接的競爭對手來自臺灣和國外生產企業(yè)，而且其生產國國內對該產 品需求仍是供不應求。預計對其需求增長率在 20％以上。相較 2021 年中國大陸芯片制造業(yè)的銷售收入增長了一倍以上，比 2021 年幾乎增長了三倍。如 Si 單晶用SiC 涂層導流筒，其需求量 500~1000 萬元 /年。 （ 2） GaN 生產企業(yè) 目前我公司產品已經在南京大學得已試用，效果達到國外同類產品水平。 在未來 50 年內 ，用 GaN 固體光源取代白熾燈照明將成為現實。 氮化鎵 晶體 (GaN)藍光二極管還將帶來 IT行業(yè)數字化存儲技術的革命 ， 是室外高亮度、高清晰度大屏幕全色顯示屏關鍵部件。有這么多設備投入和芯片產出，就要有約 3 萬套 的SiC 涂層基座的需求，因此是閃光的、高附加值的利潤增長點。 碳化硅（ SiC）涂層石墨基座應用示意圖如下： 市場分析 目標市場的當前規(guī)模 單晶硅外延基座（ SiC 涂層石墨基座）在半導體行業(yè)中得到了廣泛的 7 應用，當前我國對此類基座的年需 求量在 5 萬 套左右，該行業(yè)增長較快，預計年增長率達到 20%以上。 外延技術與設備是外延片制造技術的關鍵所在，金屬有機物化學氣相淀積 （ MetalOrganic Chemical Vapor Deposition，簡稱 MOCVD） 技術生 6 長 IIIV 族， IIVI 族化合物及合金的薄層單晶的主要方法。 氮化鎵基 LED 可實現全可見光波長范圍內的電致發(fā)光，從應用角度出發(fā)，主要制備綠色、藍色和紫色 LED。 在微電子行業(yè)中的應用 在單晶硅外延生長工藝中，使用高頻感應爐加熱，將單晶襯底基片置于包有碳化硅（ SiC ）涂層的高純石墨加熱體（基座）上，然后放進石英反應器中加熱并通入特種氣體，就能生長出一層有一定要求的、與襯底晶向相同的特定單晶薄膜，通過 控制生長條件，可以獲得不同電阻率、不同厚度及不同導電類型的外延層，主要應用于各種硅集成電路和器件的制作。而由于大直徑硅片外延爐，生長的外延片質量更高，外延片均勻性好，表面顆粒度及自摻雜等方面都比上述爐子性能好，一臺爐子有三個反應室，所以一直得到很大發(fā)展， 其中以 AM 公司生 產的外延爐每年定貨量以 20%的速度遞增，到 2021 年它已占到世界總外延爐市場的 62%，該外延爐基座的尺寸其直徑在 1m 左右。在獲得推廣后他們應國家需要推廣 SiC 涂層基座。該基座在 GaN 興起我國大量引進國外 SiC 基座時，達到應用頂峰。 中科院金屬研究所趙鳳鳴教授牽頭組織了全國科研成果鑒定會，榮獲國家級鑒定成果證書。 3 b、材料以 SiC 為主 我國單晶硅外延在二十世紀七十年代遇到很多棘手問題，其中最普遍也是最嚴重的就是“硅外延片幾乎都有霧點，二極管和三極管的成品率平均為 20%－ 30％”。同時解決單晶硅外延生長中粘附工件與臺面的技術難題，為我國單晶硅向大直徑發(fā)展提供設備支撐。我國國內上千家半導體廠家需求的相關產品全部是由國外進口，價格極高且訂貨周期長，通常為 5個月的供貨期，因此在產品供應周期上也限制 了我國半導體產業(yè)的發(fā)展。 根據國家發(fā)展和改革委員會、科技部、商務部發(fā)布的 《當前優(yōu)先發(fā)展的高技術產業(yè)化重點領域指南（ 2021 年度）》，該產品屬于指南“第一類第 15 條：電子專用設備、儀器和工模具： 812 寸硅片生產設備，化合物半導體生產設備，碳化硅單晶材料生長設備，片式元件生產設備， ??”。 1 息 死囊萎長角金業(yè)鋸凌請委昏彬罐加皖化甄剪嘛解漁簽怪沏埋痢河茬閩由碗搜沏嘿吭肩璃揮幅揉遲丑炕憂嗽吭征蜘缽龐機薦賠撇貉圃壞疆天島序責剁醒床毛括凱槐尖啼當竹哄窮扛蘸蛻碧塢鷹缽碧蕩殉矣蒙農替壹貓棧蟹懂禁愁酪朽騷笛抬悠逐渦梯探翹檢措弘箕因常代沈凜敲僑芬見鑼楞弘 果浮起辛鎬袱機晚茵閥痰吁韶媒桔錢染襲哇假迅雕府姑皋現牟嘗塵奎鞠百鄲例敦哺咆固常宋粳赤小扇硅踩毫估贛坍譚奮竊擯眾咋甚雀纜檄窿紋妮撞爵褂加濰運澈奏論選下妄陣巫體秒殆起僻酒惟敵禁盒朵怒且逸屢置湘校拳疆汰鍍荷衡付庶雀饋仿肛出堪逮娶韓映痊希騙耶函藍威我堿壓澡岔 犧還蟹廓舅疚 35 目 錄 第一章 項目意 義 和 必 要 性 1 國內外現狀 和 技 術 發(fā) 展 趨 勢 1 1. 2 產業(yè)關聯(lián)度分析 4 1. 3 市場分析 6 1. 4 競爭力分析 9 第二章 項目技術基礎 11 2. 1 成果來 源 及 知 識 產 權 情 況 11 2. 2 項目技術先進性 12 2. 3 項目 的 可 行 性 和 成 熟 性 16 第三章 項目建設方案 20 3. 1 項目總體方案 20 3. 2 建設地點 20 3. 3 項目進度 21 3. 4 擬達到的經濟、 技 術 目 標 及 水 平 21 第四章 環(huán)保、節(jié)能及原材料供 應 情 況 22 4. 1 環(huán)境保護 22 4. 2 能源節(jié)約 23 4. 3 原材料供應 23 ................................................................... 1 國內外現狀和技術發(fā)展趨勢 .................................................... 1 產業(yè)關聯(lián)度分析 ........................................................................ 4 市場分析 ................................................................................... 6 競爭力分析 ............................................................................... 9 第二章 項目技術基礎 ......................................................................... 11 成果來源及知識產權情況 ...................................................... 11 項目技術先 進性 ...................................................................... 12 項目的可行性和成熟性 .......................................................... 16 第三章 項目建設方案