加工工藝3_xxxx-文庫吧
2025-02-22 02:48 本頁面
【正文】 半導(dǎo)體加工 秦明 甩膠 半導(dǎo)體加工 秦明 半導(dǎo)體加工 秦明 先進光刻技術(shù) ? 浸入光刻 Immersion Lithography ? 電子束光刻 Electron beam Lithography ? XRay Lithography ? 離子束光刻 Ion Beam Lithography ? 納米壓印光刻 Nanoimprint Lithography 半導(dǎo)體加工 秦明 浸入光刻 ? A liquid with index of refraction n1 is introduced between the imaging optics and the wafer. ? 優(yōu)點 : ?分辨率與 n成正比 。 ?聚焦深度增加 半導(dǎo)體加工 秦明 電子束光刻 ? 波長 ?例 : 30keV, ?= ? 缺點 : ?束流大 , 10’ s mA ?產(chǎn)量低 , 10wafers/hr. 半導(dǎo)體加工 秦明 XRay Lithography ? Synchrotron Radiation 23 )()()()()(GeVETBGeVEmrA ???半導(dǎo)體加工 秦明 投影式 X射線光刻 半導(dǎo)體加工 秦明 離子束光刻 半導(dǎo)體加工 秦明 Pt 淀積 半導(dǎo)體加工 秦明 FEA 制造 半導(dǎo)體加工 秦明 納米壓印光刻 半導(dǎo)體加工 秦明 納米壓印光刻 ? 極高分辨率 : 可以形成 10nm的結(jié)構(gòu) 半導(dǎo)體加工 秦明 半導(dǎo)體加工工藝原理 ? 概述 ? 半導(dǎo)體襯底 ? 熱氧化 ? 擴散 ? 離子注入 ? 光刻 ? 刻蝕 ? 化學(xué)氣相淀積 ? 物理淀積 ? 外延 ? 工藝集成 ? CMOS ? 雙極工藝 ? BiCMOS 半導(dǎo)體加工 秦明 刻蝕 ? 硅片表面形成光刻膠圖形后，通過刻蝕將圖形轉(zhuǎn)移到 wafer上 ? 干法、濕法等 ? Figure of Merit: ?刻蝕速率 ?均勻性 ?選擇比 ?例： 20 : 1 = polysilicon : silicon oxide 半導(dǎo)體加工 秦明 刻蝕 ? 鉆刻 ? Etch rate anisotropy RL : lateral etch rate RV: vertical etch rate A=0, isotropic etching A=1, anisotropic etching VLRRA ?? 1半導(dǎo)體加工 秦明 腐蝕選擇性 ? S的定義 ? Wet Etching ? S 受化學(xué)溶液 , 濃度和溫度控制 ? RIE ? S受等離子參數(shù)、氣氛、氣壓、流量和溫度影響 的垂直腐蝕速率材料的垂直腐蝕速率材料BASAB ?半導(dǎo)體加工 秦明 刻蝕 ? Physical etching ? Chemical etching 半導(dǎo)體加工 秦明 濕法腐蝕 ? Anisotropy ? 工藝簡單 ? 高選擇比 ? 無襯底損傷 ? 非各向異性 ? 工藝控制差 ? 沾污 半導(dǎo)體加工 秦明 腐蝕過程 ? 1 反應(yīng)劑傳輸?shù)奖砻? ? 2 化學(xué)反應(yīng) ? 3 生成物離開表面 半導(dǎo)體加工
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1