《納米粉體》ppt課件-文庫吧
2025-04-18 03:30 本頁面
【正文】 強(qiáng)度或讓它打到熒光屏上 ， 使熒光屏發(fā)光 ， 然后再用光度計或攝像管測量光強(qiáng) 。 測試原理 納 米 科 技 第二節(jié) 電子光學(xué)表面分析方法 在納米測量中的應(yīng)用 二、低能電子衍射（ LEED） 電子束斑的直徑一般為 ～ 1mm， 發(fā)散度為1176。 。 因此 ， 被測試到的信息是樣品中心直徑400μm的區(qū)域中的綜合信息 。 測試原理 納 米 科 技 第二節(jié) 電子光學(xué)表面分析方法 在納米測量中的應(yīng)用 二、低能電子衍射（ LEED） 在納米測量中的應(yīng)用 納米晶薄膜的結(jié)構(gòu)分析； 研究表面膜的生長過程 ， 可以探索納米薄膜與基底結(jié)構(gòu) ， 缺陷和雜質(zhì)的關(guān)系； 可探索氧化膜的形成 ， 物理吸附 、 化學(xué)吸附的基本特點(diǎn) ， 特別是在催化過程中的納米薄膜的狀況 。 納 米 科 技 第二節(jié) 電子光學(xué)表面分析方法 在納米測量中的應(yīng)用 三、電子顯微鏡和電子探針 利用透射電鏡（ TEM）和掃描電鏡（ SEM）對納米粉體粒度的觀測，上節(jié)已闡述，這里重點(diǎn)介紹加裝在掃描電子顯微鏡上的電子探針、 X射線波譜分析和 X射線能譜分析在納米測量學(xué)方面的應(yīng)用。 納 米 科 技 第二節(jié) 電子光學(xué)表面分析方法 在納米測量中的應(yīng)用 三、電子顯微鏡和電子探針 電子探針束流為1011～ 1013A時，最小直徑可達(dá) 6～7nm，甚至達(dá) ～。 電子探針 納 米 科 技 第二節(jié) 電子光學(xué)表面分析方法 在納米測量中的應(yīng)用 三、電子顯微鏡和電子探針 激發(fā)出的各種信息，因信息不同，反映的激發(fā)范圍也不同： 電子探針 ?俄歇電子 發(fā)射區(qū)深度 ～ 2nm； ? 二次電子 發(fā)射區(qū)深度為 5～ 10nm； 納 米 科 技 第二節(jié) 電子光學(xué)表面分析方法 在納米測量中的應(yīng)用 三、電子顯微鏡和電子探針 激發(fā)出的各種信息，因信息不同，反映的激發(fā)范圍也不同： 電子探針 ?背散射電子 發(fā)射區(qū)深度為 100～ 1000nm； ?X射線 發(fā)射區(qū)深度為500～ 5000nm。 納 米 科 技 第二節(jié) 電子光學(xué)表面分析方法 在納米測量中的應(yīng)用 三、電子顯
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