納米粉體ppt課件(存儲(chǔ)版)
【正文】 線波譜分析和 X射線能譜分析在納米測(cè)量學(xué)方面的應(yīng)用。 X射線顯微分析儀 納 米 科 技 第二節(jié) 電子光學(xué)表面分析方法 在納米測(cè)量中的應(yīng)用 四、俄歇電子譜儀 測(cè)試原理 當(dāng)電子探針作用于納米薄膜或納米晶塊體表面時(shí) ， 在深度為 ～ 2nm的區(qū)域會(huì)有俄歇電子發(fā)射 。 納 米 科 技 第二節(jié) 電子光學(xué)表面分析方法 在納米測(cè)量中的應(yīng)用 五、原子探針場(chǎng)離子顯微鏡 工作原理和樣品制備 在場(chǎng)離子顯微鏡中 ， 樣品是做成針尖形 ， 但從微觀看針尖還是不規(guī)則的 。 納 米 科 技 第二節(jié) 電子光學(xué)表面分析方法 在納米測(cè)量中的應(yīng)用 五、原子探針場(chǎng)離子顯微鏡 工作原理和樣品制備 當(dāng)彈跳中的偶極子進(jìn)入這突出原子外的高場(chǎng)強(qiáng)區(qū) ，若氣體的偶極子 （ 極化原子 ） 的外層電子恰好符合樣品中原子的空能級(jí)的能態(tài) ， 那么氣體的極化原子的電子將有較高的幾率 ， 通過 “ 隧道效應(yīng) ” 穿過針尖樣品表面位壘而進(jìn)入樣品 ， 氣體原子則發(fā)生了“ 場(chǎng)致電離 ” 變?yōu)閹д姷碾x子 。 納 米 科 技 第二節(jié) 電子光學(xué)表面分析方法 在納米測(cè)量中的應(yīng)用 五、原子探針場(chǎng)離子顯微鏡 原子探針場(chǎng)離子顯微鏡的優(yōu)缺點(diǎn) 測(cè)定金屬和合金表面的原子結(jié)構(gòu) ， 吸附于表面的吸附物原子結(jié)構(gòu)； 研究樣品中點(diǎn)缺陷 、 位錯(cuò) 、 界面缺陷等； FIM只能對(duì)金屬和合金的原子行為進(jìn)行觀測(cè) ， 分辨率特高； 由于樣品為針尖形 ， 實(shí)際的分析體積小于100nm 100nm 100nm， 對(duì)于納米材料的表面分析很合適 。 納 米 科 技 第二節(jié) 電子光學(xué)表面分析方法 在納米測(cè)量中的應(yīng)用 五、原子探針場(chǎng)離子顯微鏡 工作原理和樣品制備 盡管單晶樣品的尖端近似地呈半球形 ， 但從微觀看 ， 這一表面是由許多原子平面的臺(tái)階所組成 。 納 米 科 技 第二節(jié) 電子光學(xué)表面分析方法 在納米測(cè)量中的應(yīng)用 五、原子探針場(chǎng)離子顯微鏡 場(chǎng)離子顯微鏡 （ Field Ion Microscopy， FIM）是電子光學(xué)表面分析中能夠直接觀察到表面原子的分析技術(shù) 。電子探針儀采用適當(dāng)?shù)臋z測(cè)、計(jì)數(shù)系統(tǒng)就能達(dá)到成分分析的目的。 因此 ， 被測(cè)試到的信息是樣品中心直徑
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